专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种箝位电路和电压变换装置-CN201720315917.X有效
  • 史文科;李强 - 株式会社村田制作所
  • 2017-03-28 - 2017-12-05 - H02M1/32
  • 一种箝位电路和电压变换装置,所述箝位电路包括电容,所述电容直接或间接地接入开关漏电并由所述开关漏电充电;稳压管,所述稳压管具有击穿电压,所述击穿电压等于所述开关漏电的正常值或者与所述正常值相关联;其中,响应于所述开关漏电高于所述正常值,所述开关漏电经由正向导通或反向导通的所述稳压管传导至参考点。采用本实用新型方案可以对上述开关漏电进行箝位,并具有较小的电能损耗和较佳的散热性能。
  • 一种箝位电路电压变换装置
  • [实用新型]漏电流测量模块的校准装置和电子设备-CN202223124848.4有效
  • 胡江;单剑宏;李经鸿 - 杭州长川科技股份有限公司
  • 2022-11-23 - 2023-04-18 - G01R35/00
  • 本实用新型提供了一种漏电流测量模块的校准装置和电子设备,包括:电压校准电路、标准漏电流产生电路、漏电流测量电路、终端设备和直流;直流电压校准电路和终端设备依次连接;电压校准电路输出实际电压值数组和标准电压值数组至终端设备,终端设备确定第一对应关系;标准漏电流产生电路产生微小电流;漏电流测量电路将目标档位的微小电流输出至终端设备;终端设备确定第二对应关系,将第二对应关系存储于漏电流测量电路的存储模块中;漏电流测量电路基于第二对应关系与采集到的微小电流的实际漏电流值,计算对应的标准漏电流值并输出。可以对漏电流测量模块进行校准,在不增加仪器物料成本的同时提高漏电流的测量精度。
  • 漏电测量模块校准装置电子设备
  • [发明专利]MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法-CN201210492232.4有效
  • 陈乐乐 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-11-27 - 2014-06-04 - G01R27/14
  • 一种MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成MOS晶体管;在所述MOS晶体管的栅电极上施加第一电压,在所述MOS晶体管的极施加第二电压,第一电压不断增大,第二电压保持不变,测量获得不同的第一电压值下对应的至少10个漏电流值;通过第二电压和至少10个漏电流值,计算获得不同的第一电压下对应的至少10个MOS晶体管漏电阻,所述MOS晶体管漏电阻包括沟道区电阻和外部寄生电阻;通过对不同的第一电压值和对应的至少10个MOS晶体管漏电阻进行5次方曲线拟合,获得MOS晶体管的外部寄生电阻。
  • mos晶体管外部寄生电阻测量方法
  • [实用新型]一种室外漏电安全提示装置-CN201920747612.5有效
  • 赵文文;王继芳;曾盛;关小杰 - 广东省交通规划设计研究院股份有限公司
  • 2019-05-22 - 2020-04-14 - G01R19/165
  • 本实用新型公开了一种室外漏电安全提示装置,通过将多个检测电极间隔安装在被监测室外潜在漏电危险的最小室外潜在漏电区域的边缘上,利用电压检测模块能够监测每一个所述检测电极的对地电压,并在电压比较模块的比较判断下得到是否发生室外漏电的比较结果,实现了对被监测室外潜在漏电危险可能发生漏电触碰危险的区域的直接监测,避免了现有技术中仅能对被监测室外潜在漏电危险源本身进行漏电监测而存在无法对因其本身漏电而在室外区域范围内意外造成漏电进行有效检测的问题,因此,本实用新型实现了对被监测室外潜在漏电危险的室外漏电监测,以获悉所述被监测室外潜在漏电危险是否发生室外漏电的信息。
  • 一种室外漏电安全提示装置
  • [发明专利]互补型CMOS基准电压-CN200910304798.8无效
  • 范涛;袁国顺 - 中国科学院微电子研究所;北京中科微电子技术有限公司
  • 2009-07-24 - 2010-01-13 - G05F3/24
  • 本发明公开了一种互补型CMOS基准电压,属于电源及微电子技术领域。所述CMOS基准电压包括:参考电流产生电路,用于产生参考电流;NMOS管补偿产生电路,用于复制参考电流作为漏电流,产生与温度成反比例变化的栅电压;PMOS管补偿产生电路,用于复制参考电流作为漏电流,产生与温度成正比例变化的栅电压;比例求和电路,用于将正比例变化的栅电压和反比例变化的栅电压进行比例求和,产生不随温度变化的电压。本发明提供的纯CMOS工艺实现的基准电压结构,利用NMOS和PMOS晶体管的不同漏电流区域的温度特性,将正比例变化的栅电压和反比例变化的栅电压进行比例求和,产生不随温度变化的参考电压
  • 互补cmos基准电压
  • [发明专利]场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法-CN201610506126.5有效
  • 陈勇波 - 成都海威华芯科技有限公司
  • 2016-06-29 - 2018-12-18 - G01R19/00
  • 本发明提供了一种场效应晶体管寄生电阻和沟道参数的提取方法,其包括以下步骤:将场效应晶体管的漏极开路、极接地后在栅极施加正向偏置电压,以获得栅电压与栅电流的关系式以及漏电压与栅电流的第一关系式;保持场效应晶体管的漏极开路、极接地,在漏极注入恒定直流电流,以获得漏电压与栅电流的第二关系式;将场效应晶体管的极开路、漏极接地后在栅极施加正向偏置电压,以获得栅漏电与栅漏电流的关系式以及漏电与栅漏电流的关系式;对获得的所有关系式进行方程式数值求解得到场效应晶体管的寄生电阻、沟道电阻和夹断电压
  • 场效应晶体管寄生电阻沟道参数提取方法
  • [发明专利]晶体管的开启电压的测试方法及测试装置-CN201911220213.4有效
  • 王明 - 海光信息技术股份有限公司
  • 2019-12-03 - 2022-04-22 - G01R31/26
  • 一种晶体管的开启电压的测试方法及测试装置。该测试方法包括:获得第一测量开启电压以及检测目标电流;对晶体管的漏电流进行多个测试步骤,其中,多个测试步骤每个包括:对栅极施加测量电压,在极和漏极之间施加漏电的同时,测量极与漏极之间的测量电流,其中,多个测试步骤的多个测量电压彼此不同,漏电在多个测试步骤中保持不变,且在第一个测试步骤中采用第一测量开启电压作为测量电压,多个测试步骤的多个测量电流所构成的测量电流区间覆盖检测目标电流;以及基于多个测量电流获得晶体管的开启电压上述测试方法可以提高开启电压的测试精度以及在同等测试精度下减少测试时间。
  • 晶体管开启电压测试方法装置

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