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[发明专利]用于电动马达的带有故障检测功能的方法和控制器-CN201380026437.6有效
发明人：克里斯·J·崔木耳;埃里克·维拉尔 -专利权人：迪尔公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G01R31/34 文献下载
摘要：直流电压总线(64、66)将电能提供到半导体开关(81、82、181、182、281、282)。测量电路(32、34)适于测量控制器(11)的每个半导体开关的集电极‑发射极电压或源漏电压。如果特定的半导体开关的被测量的集电极‑发射极电压或被测量的源漏电压低于最小阈值，以及如果与该特定的半导体开关关联的观测电流具有与正常的操作极性相反的极性，则数据处理器(10)确定在该特定的半导体开关中存在短路
用于电动马达带有故障检测功能方法控制器

[发明专利]LDMOS晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统-CN201510570375.6有效
发明人：甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种LDMOS晶体管的自热效应评价方法以及自热效应评价系统，所述自热效应评价系统包括LDMOS晶体管和温度感应器件，所述温度感应器件加载有一预设电流，用于使所述温度感应器件的电压与温度具有对应关系；根据温度测量单元，能够得到温度感应器件的温度；自热效应评价单元根据温度测量单元得到的温度感应器件的温度作为所述LDMOS晶体管的温度，并能够根据所述LDMOS晶体管的温度以及所述LDMOS晶体管的源漏电流值、信号电压，得到LDMOS晶体管的源漏电流值与信号电压、温度之间的关系。因此，本发明能够模拟自热效应对LDMOS晶体管I‑V曲线的影响，在后续电路设计中，可以将自热效应作为影响LDMOS晶体管的源漏电流值的参考量，从而使得LDMOS晶体管的设计性能更接近实际性能。
ldmos 晶体管热效应评价方法以及系统

[发明专利]基于稳态防漏电保护和电流沉控制技术的电荷泵电路-CN201710235977.5有效
发明人：吕红亮;武岳;唐铭浩;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H03L7/089 文献下载
摘要：本发明公开了基于稳态防漏电保护和电流沉控制技术的电荷泵电路，涉及电路设计技术领域，包括防漏电保护模块、电流沉控制模块、开关模块、电流沉和电流源模块、环路滤波模块以及缓冲模块。电荷泵不需要电路电流沉与电流源精确匹配，只需满足电流沉电流大于等于电流源的电流即可。电路的工作条件更容易满足，化合物半导体电荷泵更容易实现。同时防漏电保护模块采用两个二极管来实现，该模块的结构简单，不会额外占用过多的芯片面积，更加方便集成。防漏电保护技术利用二极管的单向导电性可以解决稳态时由于电流源和电流沉不匹配所导致的漏电问题，从而使电荷泵电路在稳态情况下输出控制电压固定不变。
基于稳态漏电保护电流控制技术电荷电路

[发明专利]一种可吸收金属基板漏电流的LED照明线性恒流驱动电路-CN201710339615.0在审
发明人：邵藴奇 -专利权人：上海路傲电子科技有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可吸收金属基板漏电流的LED照明线性恒流驱动电路，包括金属基板和LED照明线性恒流驱动电路；金属基板包括导电层，金属层和夹在导电层和金属层之间的绝缘层；导电层和金属层之间具有寄生电容，寄生电容上流过漏电流；LED照明线性恒流驱动电路全部或者部分焊接在金属基板的导电层上；LED照明线性恒流驱动电路，包括一整流器、一LED、一线性电流源、一过压保护电路和一二极管。其优点在于当漏电流导致线性电流源两端的电压超过过压保护电路两端的电压时，二极管导通，释放过电流能量到过压保护电路上，避免线性电流源击穿；当漏电流导致两端承受反压时，二极管导通，避免反向击穿。
一种吸收金属漏电 led 照明线性驱动电路

[实用新型]可吸收漏电流的LED照明线性恒流驱动电路-CN201720536449.9有效
发明人：邵藴奇 -专利权人：上海路傲电子科技有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可吸收漏电流的LED照明线性恒流驱动电路，包括金属基板和LED照明线性恒流驱动电路；金属基板包括导电层，金属层和夹在导电层和金属层之间的绝缘层；导电层和金属层之间具有寄生电容，寄生电容上流过漏电流；LED照明线性恒流驱动电路全部或者部分焊接在金属基板的导电层上；LED照明线性恒流驱动电路，包括一整流器、一LED、一线性电流源、一过压保护电路和一二极管。其优点在于当漏电流导致线性电流源两端的电压超过过压保护电路两端的电压时，二极管导通，释放过电流能量到过压保护电路上，避免线性电流源击穿；当漏电流导致两端承受反压时，二极管导通，避免反向击穿。
吸收漏电 led 照明线性驱动电路

[发明专利]一种静电放电箝位电路-CN201911198344.7有效
发明人：杨兆年;毛盼 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电箝位电路，由RC网络、延迟单元、电压检测器、共源放大器、反相器和箝位晶体管级联而成，上述RC网络、延迟单元、电压检测器、共源放大器、反相器和箝位晶体管的前端均与VDD导线连接，RC网络、延迟单元、电压检测器、共源放大器、反相器和箝位晶体管的末端均与GND端连接。本发明的结构，ESD事件下的开启电压较小，或者在同样的开启电压之下，静态漏电较小。
一种静电放电箝位电路

[发明专利]地电阻率观测中环境漏电干扰检测方法-CN202211449706.7在审
发明人：叶青;郅红魁;刘高川;王晓;范晔 -专利权人：叶青
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种地电阻率观测中环境漏电干扰检测方法，在多个水平方向上埋设电极，每个方向至少布设两个电极；漏电测量仪按照一定的方式与至少两个电极连接，以测量各个电极中指定两个电极之间的电位差，并根据公式电场值＝(两电极之间电压差/两电极之间极距)*1000计算两电极之间的电场值，电场值代表干扰幅度；根据距离干扰源越近干扰幅度越大的规律，判断漏电干扰源的方向和位置。本发明提供的漏电干扰检测方法减少了人力和物力的耗费，快速找到干扰源，大大缩短排查时间。
电阻率观测环境漏电干扰检测方法

[发明专利]一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法-CN201711249282.9在审
发明人：宁洪龙;杨财桂;姚日晖;陶瑞强;陈建秋;周艺聪;周尚雄;袁炜健;吴为敬;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于显示器件技术领域，公开了一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法。在干净的玻璃基板表面依次制备Al掺杂Nd薄膜、Al2O3绝缘层和a‑IGZO薄膜，得到打印基板；将所得打印基板置于喷墨打印机中，以导电银墨水进行喷墨打印制备源漏电极，所用喷墨压电波形经历四个波段的电压变化，加压速率为0.5V/μs，四个波段持续时间分别为6.52μs、6.15μs、6.78μs、1.67μs，打印完成后得到TFT阵列源漏电极。本发明通过调节压电波形消除喷墨打印源漏电极薄膜的卫星点，具有处理工艺简单，操作时间短，处理效率高，成本低的优点。 1
源漏电极薄膜压电打印基板喷墨打印波段制备绝缘层玻璃基板表面喷墨打印机处理工艺处理效率电压变化显示器件导电银调控墨水加压掺杂打印卫星

[发明专利]微纳尺度静电力开关及其制造方法-CN201310035425.1有效
发明人：聂鹏飞;朱慧珑;粟雅娟;贾昆鹏;杨杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，与源电极和漏电极电连接。依照本发明的微纳尺度静电力开关及其制造方法，采用石墨烯这种单晶薄层导电材料作为膜桥材料，利用电极和支撑电极之间的偏压产生静电力从而将膜桥下拉、形变之后通过金属层将源漏电极连接起来形成开关，开启电压小，不需要较大的驱动电路
尺度静电力开关及其制造方法

[发明专利]一种可控时序防漏电装置和系统-CN202010793043.5在审
发明人：肖朋晓 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提出了一种可控时序防漏电装置和系统，该装置包括逻辑控制器、放大器和两个带寄生二极管的MOS管；第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连，且连接至放大器输出端；第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极相连；第一MOS管的源极连接Vin；第二MOS管的源极连接Vout；逻辑控制器的与放大器的输入端相连；通过控制信号经过放大器控制两个MOS管打开或关闭。当控制信号关闭时，第一MOS管和第二MOS管均截止，防止漏电；当控制信号打开时，第一MOS管和第二MOS管均导通，Vin端电压与Vout端电压相等。基于该装置，还提出了一种可控时序防漏电系统。本发明采用低电压信号控制电路时序，有效防止漏电。
一种可控时序漏电装置系统

[发明专利]驱动电路、驱动方法、固态成像装置和电子设备-CN200910117828.4有效
发明人：大池祐辅;田浦忠行 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：当用VM表示相对于作为电源电压的低电压的第一电压VL和作为电源电压的高电压的第二电压VH在晶体管的耐受电压内的中间电压，而用VS或VD表示相对于第二电压VH或第一电压VL在耐受电压内的第三电压时，驱动电路包括：第一晶体管，其源电极连接至中间电压VM的节点；第二晶体管，其源电极连接至第一晶体管的漏电极，以及其漏电极连接至输出端；以及控制器，将具有电压VL和VH之间的差的振幅的信号施加给第一晶体管的栅电极，以及将具有电压VS和VH之间或电压VL和VD之间的差的振幅的信号施加给第二晶体管的栅电极。
驱动电路方法固态成像装置电子设备

[发明专利]共平面栅极氧化物薄膜晶体管生物传感器及制备方法-CN201911128092.0在审
发明人：裴艳丽;杨彭;李亚 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明公开了共平面栅极氧化物薄膜晶体管生物传感器，包括衬底、绝缘层、源电极、漏电极、栅电极、源漏电极绝缘保护层和表面生物修饰的金属氧化物半导体有源层；所述源电极、漏电极和栅电极的材料相同，且三个电极共平面本发明栅电极与源电极、漏电极共平面，同材料，可通过一步工艺完成源漏电极和栅电极的沉积，与半导体实现欧姆接触的同时具有工艺简单、可集成化、成本低等优势；同时液态电解质直接与半导体有源层和栅电极接触，其中液态电解质的双电层效应使得器件具有低工作电压和低功耗
平面栅极氧化物薄膜晶体管生物传感器制备方法

[发明专利]半导体器件以及其制造方法-CN201410067292.0在审
发明人：高田修 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：当前实施例的方面，提供了包含高电压元件的半导体器件及其制造方法，所述高电压元件包含：衬底；第一半导体区；绝缘隔离膜；第二半导体区；漏区；源区；浮置漏区；第一栅电极；第二栅电极；栅绝缘体；漏电极；以及源电极
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用于检测绝缘监测装置的检测系统与检测方法-CN202111602681.5在审
发明人：张群峰;叶小松;吴振飞;张健鹏;王传斌;崔丰;刘洋;李承锋 -专利权人：江苏镇安电力设备有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：它包括三相标准源以及与三相标准源连接的检测控制系统，检测控制系统连接有故障电阻箱、漏电流传感器以及信号采集模块，故障电阻箱连接绝缘监测模块的测试电路，通过检测控制系统的控制三相标准源能够直接对故障电压定位模块的电压值进行测试，漏电流传感器与故障线定位模块连接，故障电压定位模块和故障线定位模块的继电器分别连接信号采集模块。优点在于：通过设计的检测系统可以同时检测直流源绝缘监测装置三种功能模块的各项功能参数并对直流源绝缘监测装置进行全方面性能进行分析，并判断其性能优劣，从而确了保检测合格的直流源绝缘监测装置都能可靠运行。
一种用于检测绝缘监测装置系统方法

[发明专利]具有升压读取方案的阈值电压设置-CN201980079291.9在审
发明人：榊原清彦;矢部纮贵;大和田健;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明描述了用于使用具有多晶硅沟道和p型掺杂源极线的NAND串来减少读取干扰的方法。在NAND串中的选定存储器单元晶体管的升压读取操作期间，可将背栅偏置或位线电压施加到连接到NAND串的位线，并且可将大于该位线电压的源极线电压施加到连接到NAND串的源极线；利用这些偏置条件，可在读取操作期间从位线注入电子并且在源极线中将其根除为了避免通过未选存储器块中的NAND串的泄漏电流，NAND串的源极侧选择栅极晶体管的阈值电压可被设置为负阈值电压，该负阈值电压的绝对电压值大于在读取操作期间施加的源极线电压。
具有升压读取方案阈值电压设置