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[发明专利]在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法及电路-CN202110990186.X有效
发明人：纪志罡;乔争;任鹏鹏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法及电路，所述方法包括在DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据读取到位线上时，先将灵敏放大器中的第一外加电压线接入高电平，第二外加电压线接入低电平，使得DRAM标准单元的位线和取反位线的电压逐渐相近，再将灵敏放大器中的第一外加电压线接入低电平，第二外加电压线接入高电平，实现对DRAM标准单元的位线的控制；其中，所述第一外加电压线和所述第二外加电压线均分别连接于位线和取反位线之间，所述第一外加电压线处于DRAM标准单元和所述灵敏放大器之间，所述第二外加电压线处于所述灵敏放大器和预充电电路之间。本发明可以在不改变现有DRAM标准单元和外围电路的前提下，仅通过外加电压等操作实现DRAM标准单元的逻辑非的运算。
dram 标准单元实现逻辑操作方法电路

[发明专利]集成电路金属互连温度预测方法-CN202310829826.8在审
发明人： 任鹏鹏;纪志罡;王淑英 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路金属互连温度预测方法，包括步骤：S1：基于有限元仿真对不同电压条件下的金属互连线温度分布情况进行仿真；S2：根据仿真结果拟合确定器件自热对不同金属线温度的影响规律；S3：根据仿真结果拟合确定不同金属之间焦耳热的相互影响规律；S4：根据所述器件自热对不同金属线温度的影响规律和所述不同金属之间焦耳热的相互影响规律确定一金属线温度预测公式；S5：利用所述金属线温度预测公式预测金属线的温度。本发明的一种集成电路金属互连温度预测方法，能够快速、准确地预测一定结构及电压条件下金属的温度分布情况，为金属线电迁移的预测以及电路结构的优化提供准确的温度数据。
集成电路金属互连温度预测方法

[实用新型]检测光源装置及样本分析仪-CN202321028749.8有效
发明人：王雅楠;韩旭;邬明慧;任鹏鹏;尚保华;程果 -专利权人：中元汇吉生物技术股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种检测光源装置及样本分析仪，检测光源装置包括光源模块、准直模块、合光组件和第一壳体；光源模块包括多个能产生不同波段的光束的LED光源；准直模块包括多个与LED光源一一对应的第一准直镜，每一第一准直镜分别设置于每一LED光源的前方，第一准直镜用于将LED光源产生的发散光束整形成平行光束；合光组件包括多个设置于第一准直镜前方的分色镜，合光组件用于将多束不同的平行光束合束为一束复色光束；光源模块、准直模块和合光组件均设置于第一壳体内。该检测光源装置通过设置合光组件改变平行光束的方向，减少空间结构的占用，从而在能够设置更多的不同波段的LED光源，具有减少了占用空间、增加了检测光源装置覆盖波段的优点。
检测光源装置样本分析

[发明专利]一种小尺寸半导体器件闪烁噪声的建模方法-CN202310606229.9在审
发明人： 任鹏鹏;纪志罡;吴俊杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种小尺寸半导体器件闪烁噪声的建模方法，其包括以下步骤：测量小尺寸半导体器件在不同栅极电压下的闪烁噪声，得到器件噪声数据；对不同栅极电压下测试得到的噪声在频域上进行分离，得到由RTN缺陷带电状态变化导致的噪声频谱以及由迁移率波动造成的噪声频谱；对由RTN缺陷带电状态变化导致的噪声频谱进行处理得到Svg，I；对由迁移率波动造成的噪声频谱进行处理，得到Sid，II/III；得到总的电流噪声强度模型，其表达式为：Sid＝Sid，I+Sid，II/III。本发明建立的模型可以准确描述小尺寸器件闪烁噪声的频率、电压依赖性和涨落；可适用于不同工艺，且模型可适用于电路仿真器。
一种尺寸半导体器件闪烁噪声建模方法

[实用新型]一种便于检修的超声波式能量表-CN202321024550.8有效
发明人：吕卫兵;任鹏鹏;曹杨;韩娇;陈跃峰;闫征 -专利权人：常州酷特仪器仪表有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01K17/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种便于检修的超声波式能量表，涉及超声波式能量表技术领域，包括：超声波式能量表；所述超声波式能量表左端面和右端面均焊接有一个第一法兰。因所述第一法兰外壁顶端面开设有一个卡槽，卡槽为半圆柱形槽状结构；所述第二法兰外壁顶端面焊接有一根限位杆，限位杆与卡槽卡接相连，当限位杆与卡槽卡接后第二法兰与第一法兰上的固定孔位置对正，此时可提高了安装时的效率，解决了在超声波式能量表维修时，当固定螺栓损坏后此时会导致超声波式能量表拆卸困难，进而容易影响了维修效率，而不能够通过结构上的改进在法兰上固定螺栓损坏后通过其他连接处实现快速拆卸的问题。
一种便于检修超声波量表

[实用新型]一种超声波热量表检定装置-CN202321024518.X有效
发明人：吕卫兵;任鹏鹏;曹杨;韩娇;陈跃峰;闫征 -专利权人：常州酷特仪器仪表有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01K19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超声波热量表检定装置，涉及检定装置技术领域，所述支架共设有两处，且两处支架呈对向固定连接在底座的左右两侧面位置，支架的内部安装有导管，解决现有的由于其缺乏有效的承载连接结构，使得热量表在进行检定时，很容易因缺乏有效的限位结构而导致其密封不严出现溢水的情况，存在着局限性的问题，在当进行使用时，可以通过手动握持固定连接在挡板顶端的把手来将挡板插入到底座的内部进行密封，并同步的启动安装在底座顶端的控温器来控制底座内部温度以减少环境变量，然后再通过通水后利用热量表进行检测作业即可，且在当检测过程中的水分可以通过设置在底座中的回收箱来对多余的水流进行回收，进而达到更加实用的目的。
一种超声波量表检定装置

[发明专利]一种晶体管源漏电流预测方法-CN202310427584.X在审
发明人： 任鹏鹏;纪志罡;吴俊杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管源漏电流预测方法，其包括以下步骤：采用MVS模型对晶体管的栅源电压Vg和源漏电压Vd进行处理，得到对应的因子ηMVs；将栅源电压Vg、源漏电压Vg以及晶体管的若干个参数拼接成输入向量，对所述输入向量其进行归一化后输入神经网络，所述神经网络的输出为指数预测值计算晶体管的源漏电流预测值其表达式为本方法整体预测速度很快。发明的算法对不同技术节点的器件均可以达到较高的预测准确率，具有很高的通用性，能够协助加速工艺优化和研发。
一种晶体管漏电预测方法

[发明专利]一种半导体器件中漏源电阻的提取方法-CN202310413212.1在审
发明人： 任鹏鹏;纪志罡;吴俊杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件中漏源电阻的提取方法，包括如下步骤1)输入电压，测得半导体器件的闪烁噪声；2)在保持输入电压大于阈值电压的前提下，改变输入电压并进行噪声测试，以测得的半导体器件在不同输入电压下的闪烁噪声；3)将所述步骤1)和步骤2)中测得的闪烁噪声减去其包含的由RTN缺陷造成的噪声，得到剩余的闪烁噪声；4)剩余的闪烁噪声包括沟道区散射噪声和漏源电阻噪声；根据剩余的闪烁噪声的强度随Vg的变化关系，对数据进行拟合，获得要提取的漏源电阻大小。本发明利用的原理是沟道区和源漏接触电阻噪声形式不同，并且由于Vg变化导致的沟道电阻变化会改变两部分电阻占总电阻的比例，从而能从测量得到的噪声强度变化中提取漏源电阻大小。
一种半导体器件中漏源电阻提取方法

[发明专利]一种应用于DRAM外围晶体管的短期偏压温度不稳定性分析方法-CN202310331883.3在审
发明人：王润声;纪志罡;王达;任鹏鹏 -专利权人：北京超弦存储器研究院;北京大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于DRAM外围晶体管的短期偏压温度不稳定性分析方法，属于DRAM外围器件可靠性问题分析领域。本发明对待分析晶体管进行实验，区分出不同的陷阱类型，利用仿真计算得到任意电压、温度、时间下的不同陷阱的老化量。本发明解决了传统缺陷分析技术的短板，可以测量并分离最短在ns量级捕获或者释放载流子的陷阱，对于开发工作在GHz的DRAM的可靠性模型以及可靠性模拟电路具有重大意义；此外本发明的测试方案操作性强、容易实施，并且基于底层缺陷参数和相应物理理论完成最终BTI退化量预测，结果更加准确、可靠。
一种应用于 dram 外围晶体管短期偏压温度不稳定性分析方法

[外观设计]板材（不等厚网络加固型二）-CN202230666118.3有效
发明人：李昕远;侯国轩;任鹏鹏;刘俊鹏 -专利权人：业诺车轮有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：板材（不等厚网络加固型二）。2.本外观设计产品的用途：制造超轻量化无内胎车轮。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.其他需要说明的情形其他说明：该产品为不定长产品。
板材不等网络加固

[发明专利]一种深基坑施工中钢管临时替换跨基坑混凝土管施工方法-CN202110384327.3有效
发明人：王睿;任鹏鹏;刘大鹏;李矗;詹友君;王赛;焦晓宇;张亚飞 -专利权人：中铁六局集团太原铁路建设有限公司;中铁六局集团有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： E03F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种深基坑施工中钢管临时替换跨基坑混凝土管施工方法，包括如下步骤：（1）、管道相邻钻孔桩混凝土梁的施工；（2）、封堵管道上游；（3）、凿除混凝土排水管；（4）、安装钢管砌砖封堵空隙；（5）、注浆加固混凝土排水管周围土体；（6）、施做钢筋混凝土暗涵。本发明方法先将管线上游临时封堵，创造窗口期凿除既有管线，利用钢管轻质、强度高、整体性好、利于加工运输的特性将钢管插入混凝土管道中，并做好封堵，之后解除上游封堵恢复管道畅通，以此在保证基坑安全的前提下，快速创造出后续施工的施工面，以达到节约工期、成本的目标。
一种基坑施工钢管临时替换混凝土方法

[发明专利]带有污泥排放型吸水口的潜水泵-CN202011490813.5有效
发明人：朱庆龙;梁樑;魏宏丽;康跃;孟奇;罗昊;任鹏鹏 -专利权人：合肥恒大江海泵业股份有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： F04D7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有污泥排放型吸水口的潜水泵，包括潜水电机、水泵外壳，所述潜水电机设置在所述水泵外壳内，所述潜水电机包括驱动轴，所述驱动轴位于所述水泵外壳内的部分连接有若干个驱动叶轮，所述水泵外壳的下端连接有进水管，所述水泵外壳的上端设有出水管，所述进水管的下端T形连接有污泥排放管道，所述污泥排放管道的两端为通孔，其一端设有挡块和直线驱动电机，所述直线驱动电机固定连接在所述挡块上，所述直线驱动电机的直线移动轴上设有所述推块，且所述推块设置在所述污泥排放管道内，所述直线驱动电机沿着所述污泥排放管道的长度方向推动所述推块进行移动。本发明实施例可以将污泥从吸水口处排放，减少污泥进入到潜水泵内。
带有污泥排放吸水潜水泵

[实用新型]夹具和光纤研磨装置-CN202222931215.8有效
发明人：尚保华;韩旭;梁保涛;胡志丹;任鹏鹏 -专利权人：中元汇吉生物技术股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种夹具和光纤研磨装置，其中，夹具包括夹具本体、夹持块以及至少两个固定件，所述夹具本体设有第一容置孔和第二容置孔，所述夹具本体的外周缘设有至少两个固定孔，一所述固定孔连通一所述第一容置孔或者一所述第二容置孔；所述夹持块夹持所述第一套管，并插设于所述第一容置孔，所述第二套管插设于所述第二容置孔；一所述固定件连接于一所述固定孔，并穿设于所述第一容置孔的侧壁抵接所述夹持块或者穿设于所述第二容置孔的侧壁抵接所述第二套管。本实用新型技术方案提高光纤线束的加工制造效率，进一步提高夹具和光纤研磨装置的实用性和可靠性。
夹具光纤研磨装置

[发明专利]光纤的加工方法和光纤加工设备-CN202211369547.X在审
发明人：尚保华;梁保涛;任鹏鹏;程果;王雅楠 -专利权人：中元汇吉生物技术股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：本发明公开一种光纤的加工方法和光纤加工设备，其中，光纤的加工方法包括将光纤线芯穿设于绝缘套管，并使光纤线芯的端部显露于绝缘套管的端部外侧；在光纤线芯与绝缘套管之间注入填充试剂，并使填充试剂浸入光纤线芯的内部间隙；在光纤线芯的端部涂抹连接胶体，并将转接套管套接光纤线芯的端部，以使连接胶体粘连光纤线芯的端部和转接套管。本发明技术方案旨在减少连接胶体进入光纤线芯的内部间隙，降低光纤的加工难度，提高光纤的生产效率和合格率。
光纤加工方法设备

[发明专利]适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法-CN202211162708.8在审
发明人：纪志罡;王达;王润声;任鹏鹏 -专利权人：北京超弦存储器研究院;上海交通大学;北京大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于DRAM外围晶体管的开态任意应力条件下的老化预测建模方法。本发明根据不同类型缺陷的主导应力区域，在各自缺陷主导的应力区域内提取数据来确定缺陷Nit1、Not‑e、Not‑h和Nit2的相应参数，将得到的所有参数整合，输入任意应力条件，便可以得到该条件下的器件任意时刻下的老化量。本发明可以与所有实验数据进行整体校准、参数数值微调，使得模型与实验数据的一致性达到最佳。本发明可以实现开态的不同应力条件下(Vg/Vd不同组合)器件长时老化的预测。具有高可靠性、预测准确性好、实用性强等优势。
适用于 dram 外围晶体管任意应力条件下老化预测建模方法

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