专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]防止限流电路过度调整的装置-CN201410408009.6在审
  • 郑辰光 - 圣邦微电子(北京)股份有限公司
  • 2014-08-19 - 2014-11-12 - H02H9/02
  • 该装置通过限流时防止输出电流出现短时间为零的情况以更好地保护上游电源安全,包括由功率MOS管结合感应MOS管的双MOS管结构,所述功率MOS管的栅极和感应MOS管的栅极互连,所述功率MOS管的输出电流端连接电压输出端,所述功率MOS管的漏电流输入端和所述感应MOS管的漏电流输入端均连接电压输入端,所述感应MOS管的漏电流输出端连接限流电路模块,所述功率MOS管的漏电流输出端直接连接电压输出端,所述限流电路模块分别连接电压输出端、栅压节点和边沿触发脉冲延时电路模块,所述限流电路模块所述边沿触发脉冲延时电路模块通过选择导通MOS管连接栅压节点,所述选择导通MOS管通过过渡MOS管连接电压输出端或电压输入端。
  • 防止限流电路过度调整装置
  • [发明专利]一种电流镜像电路-CN201110446787.0有效
  • 张立国;蔡新午;赵骞;潘文杰;周建波 - 国民技术股份有限公司
  • 2011-12-28 - 2013-07-03 - G05F3/26
  • 本发明公开了一种电流镜像电路,通过在电流镜像电路中设置电压复制电路和放大电路,将电流镜端子电路的漏极电压与电流镜镜像端子电路的漏极电压进行放大比较,通过放大电路的负反馈机制保证电流镜端子电路的漏极电压与电流镜镜像端子电路的漏极电压相等,使得电流镜端子电路和电流镜镜像端子电路的极、栅极、漏极电压相等,进而使得流过电流镜端子电路的漏电流与流过电流镜镜像端子电路漏电流相同,避免因组成镜像电路的元器件的尺寸的影响导致电流镜像电路的偏置电流不准的情况发生
  • 一种电流电路
  • [发明专利]LDO电路-CN201610064038.4有效
  • 唐成伟;张斌;袁志勇 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2016-01-29 - 2017-06-06 - G05F1/565
  • 本发明公开了一种LDO电路,包括LDO主体电路和衬底选择电路;主体电路的驱动管由MOS晶体管组成,第一漏电极连接电源电压,第一漏电极输出LDO输出电压,串联电阻的对LDO输出电压分压后得到反馈电压;驱动管的衬底电极连接衬底选择电路的输出端,衬底选择电路的输入端连接电源电压和LDO输出电压;当电源电压正常工作时,衬底选择电路提供第一电压到驱动管的衬底电极,当电源电压出现毛刺时衬底选择电路提供第二电压到所述驱动管的衬底电极,第一和二电压都使驱动管的第一漏电极和衬底电极之间的寄生PN结二极管截止降。本发明能够抗电源电压的毛刺干扰、能够在电源电压产生毛刺时使LDO输出电压保持稳定。
  • ldo电路
  • [实用新型]OLED像素电路-CN202022606390.0有效
  • 胡中艺;吴锦坤;王士锋;胡君文 - 信利(惠州)智能显示有限公司
  • 2020-11-11 - 2021-08-17 - G09G3/3233
  • 本实用新型的OLED像素电路,通过设置第一至第七TFT管、发光器件、电容、基准电压端、第一复位端、第二复位端、扫描信号端、数据端、发光控制端、第一电源电压输入端和第二电源电压输入端,由于在发光阶段,第七TFT管的电压大于栅极的电压,且第七TFT管的栅极电压大于基准电压,使得第二TFT管的漏电流的方向是从第七TFT管的栅极流向基准电压端,第三TFT管的漏电流方向是从极流向第七TFT管的栅极,这样子两个漏电流的方向就彼此相反,能够相互抵消,漏电流就不会对电容Cst进行充电造成Vg电压的变动,进而让OLED显示装置发光亮度更加稳定。
  • oled像素电路
  • [实用新型]一种A型低压漏电保护器专用集成电路-CN201521134754.2有效
  • 刘军 - 浙江朗威微系统有限公司
  • 2015-12-31 - 2016-06-01 - H02H3/26
  • 一种A型低压漏电保护器专用集成电路,其中毫伏级漏电信号IN1、IN2电压抬升若干倍后再经由放大电路中的三级差分运算放大器将差分信号放大并输出为差分放大输出信号OA,集成电路的外部供电电压VCC经由电阻分压,由过压检测电路中迟滞电压比较器采样该分压并作为输入信号Vop与基准电压和稳压电源的参考电压Vref进行比较来判断是否过压;差分放大输出信号OA与基准电压和稳压电源的参考电压Vref通过延时电路中的电压比较器进行比较来判断漏电信号是否有效本实用新型能够同时检测AC交流漏电信号和脉动直流漏电信号(即A型漏电信号),可重复精确延时值的功能,还具有有效输出驱动保持的功能,提高了抗干扰性能。
  • 一种低压漏电保护专用集成电路
  • [发明专利]场效应晶体管结构及其制作方法-CN200610087732.4有效
  • 杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥;戴维·M·昂松戈;戴维·R·汉森 - 国际商业机器公司
  • 2006-05-31 - 2006-12-13 - H01L29/78
  • 提供了一种场效应晶体管(“FET”),该晶体管具有包含沟道区、区和漏区的半导体区,且在沟道区上有栅极导体。这样的FET具有第一量值的第一阈值电压及第二量值的第二阈值电压,而第二量值高于第一量值,两个阈值电压同时起作用。此FET可响应于栅极导体与区之间的栅-电压而在多个状态下工作,这些状态至少包括:a)当栅-电压值低于第一量值及第二量值时的基本不导通态,漏电流则至多为可忽略值;b)当栅-电压值高于第一量值但低于第二量值时的第一导通态,漏电流则为第一工作值,约比可忽略值高十倍或更高;以及c)当栅-电压值高于第一量值及第二量值时的第二导通态,漏电流为第二工作值,约比第一工作值高十倍或更高。
  • 场效应晶体管结构及其制作方法
  • [发明专利]电力变换装置-CN200810128863.1无效
  • 重田哲;藤野伸一;能登康雄 - 株式会社日立制作所
  • 2008-06-20 - 2008-12-31 - H02M1/08
  • 本发明提供一种抑制浪涌电压的同时缩短开关时间的电力变换装置。该电力变换装置具有MOSFET(1),其根据施加在栅电极(13)上的电压,在从漏电极(12)朝向电极(11)的方向上流过主电流;电压切换电路(4),其控制施加在栅电极(13)上的电压;和导通切换电路(8),其连接在漏电极(12)和栅电极(13)之间。在电压切换电路(4)按照使MOSFET(1)OFF的方式动作时,导通切换电路(8)根据漏电极(12)和电极(11)间的第1电位差、以及栅电极(13)和电极(11)间的第2电位差进行导通控制。
  • 电力变换装置
  • [发明专利]闪存的测试方法-CN201310032590.1有效
  • 钱亮 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-01-28 - 2017-02-08 - G11C29/56
  • 本发明公开了一种闪存的测试方法,该方法至少分两次向闪存的若干行存储单元施加电压应力,每次施加电压应力之后或者所有存储单元被施加电压应力之后,逐一判断被施加过电压应力的存储单元的漏电流是否符合要求,在每次施加电压应力时,由于未被施加电压应力的存储单元控制栅极所连接的字线、极所连接的极线及漏极所连接的位线均接零伏电压,故减小了每条位线上的漏电流总和;由于位线上的漏电流总和减小了,从而极大地降低了热电子产生的几率和热电子窜入浮栅的概率,进而不会将一些漏电流符合要求的存储单元误判为漏电流不符合要求的存储单元,提高了测试的准确度。
  • 闪存测试方法
  • [发明专利]有机发光显示装置-CN201910788153.X在审
  • 秋性伯;金应泽;王盛民;黄荣仁 - 三星显示有限公司
  • 2019-08-26 - 2020-03-06 - H01L27/12
  • 该有机发光显示装置包括衬底、发光二极管、第一晶体管、第二晶体管和多条驱动电压线,其中:第一晶体管控制发光二极管的驱动电流;第二晶体管包括第二漏电极、第二栅电极、第二沟道、第二电极和下部栅电极,第二漏电极连接至第一晶体管的第一电极,当在平面图中观察时第二沟道与第二栅电极重叠,第二电极面对第二漏电极且第二沟道插置在第二电极与第二漏电极之间;多条驱动电压线传输第一驱动电压。当在平面图中观察时,第二晶体管的下部栅电极与第二沟道重叠,且下部栅电极电连接至驱动电压线中的相应的驱动电压线。
  • 有机发光显示装置
  • [实用新型]一种A型低压漏电保护器专用集成电路-CN201320308783.0有效
  • 刘军 - 浙江朗威微系统有限公司
  • 2013-05-30 - 2013-12-18 - H02H3/26
  • 一种A型低压漏电保护器专用集成电路,包括放大电路、延时电路、复位电路、稳压电源、基准电压、振荡器、计数器、锁存器和SCR驱动器,其中毫伏级漏电信号IN1、IN2电压抬升若干倍后再经由放大电路中的三级差分运算放大器将差分信号放大并输出为差分放大输出信号OA,差分放大输出信号OA与基准电压和稳压电源的参考电压Vref通过延时电路中的电压比较器进行比较来判断漏电信号是否有效。本实用新型具有能够同时检测AC交流漏电信号和脉动直流漏电信号(即A型漏电信号)的功能,可重复精确延时值的功能,还具有有效输出驱动保持的功能,提高了抗干扰性能。
  • 一种低压漏电保护专用集成电路
  • [发明专利]双向耐压开关电路以及模拟开关-CN202111091108.2在审
  • 虞志雄;戴忠伟;张阳 - 广芯电子技术(上海)股份有限公司
  • 2021-09-17 - 2021-12-24 - H03K17/081
  • 本发明公开了一种双向耐压开关电路以及模拟开关,该电路包括主开关管、高电压比较电路、低电压比较电路和钳位电路;高电压比较电路的第一输入端以及低电压比较电路的第一输入端均与主开关管的极电连接,高电压比较电路的第二输入端以及低电压比较电路的第二输入端均与主开关管的漏极电连接,钳位电路的一端以及另一端分别与高电压比较电路的输出端和低电压比较电路的输出端电连接。本发明通过引入主开关管的漏电比较电路,并将主开关管漏电中的高电压连接钳位电路的一端,将主开关管漏电中的低电压连接钳位电路的另一端,使模拟开关实现双向耐压,通过串联多个双向耐压开关电路,使模拟开关能够适用于高电压场合
  • 双向耐压开关电路以及模拟开关

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