专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]MOS晶体管的制备方法-CN202311133679.7在审
  • 阳清;郑大燮 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-09-05 - 2023-10-10 - H01L21/8238
  • 本发明提供了一种MOS晶体管的制备方法,包括:提供衬底,衬底包括第一电压区、第二电压区及第三电压区,且第一电压区的电压、第二电压区的电压及第三电压区的电压依次递增;执行第一掺杂工艺,以在第一电压区、第二电压区及第三电压区中形成阱区;在第一电压区、第二电压区及第三电压区上均形成栅极结构,且第一电压区上的相邻两个栅极结构的间距、第二电压区上的相邻两个栅极结构的间距及第三电压区上的相邻两个栅极结构的间距依次递增;以及,执行第二掺杂工艺,以在阱区中形成轻掺杂区。本发明能够简化工序及节约制备成本。
  • mos晶体管制备方法
  • [发明专利]消除自动测量设备中机械传动间隙对测量速度影响的方法-CN202210631850.6有效
  • 阳清;何勇华;韩晓东;林文忠;陈俊远 - 闽江学院
  • 2022-06-07 - 2023-09-01 - G01D21/00
  • 本发明涉及一种消除自动测量设备中机械传动间隙对测量速度影响的方法,步骤如下:(1)前一次从动轴停止前是逆时针转动,在某个时刻从动轴需要顺时针转动b角度到达目标角度,此时先不进行常规的顺时针转动,而是主动轴带动从动轴先逆时针转动一定角度2θ;其中,θ为反向转动死区角,按机械间隙最大来预估;(2)主动轴带动从动轴再按顺时针方转动2θ,由于机械间隙的存在,其实际转动的角度会小于2θ;(3)经过步骤(2)后,从动轴将传动结构的机械间隙已经全部挤消,克服方向死区角;(4)重新计算当前角度值与目标角度的差值α1;(5)主动轴带动从动轴再按顺时针方转动α1到达目标角度。该方法提升自动测量设备的测量速度,消除因机械传动间隙的差异性影响测量设备工作效率的因素。
  • 消除自动测量设备机械传动间隙速度影响方法
  • [发明专利]静态随机存取存储器单元及其制备方法-CN202310208479.7有效
  • 阳清;崔助凤;张纪稳 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-03-07 - 2023-06-30 - H10B10/00
  • 本发明提供了一种静态随机存取存储器单元及其制备方法,包括:衬底,衬底中形成有两个第一有源区、两个第二有源区和两个第三有源区,其中第一有源区和第二有源区的宽度相等;两个下拉晶体管,下拉晶体管包括位于第一有源区上的下拉栅极结构,下拉栅极结构两侧的第一有源区中形成有第一源区和第一漏区;两个传输晶体管,传输晶体管包括位于第二有源区上的传输栅极结构;第一应变区和第二应变区分别位于第一源区和第一漏区与下拉晶体管的沟道区之间,且第一应变区和第二应变区沿远离衬底表面的相向倾斜,以使下拉晶体管的沟道区具有拉应力;本发明能够获得足够高的静态噪声容限,以提高静态随机存取存储器的性能。
  • 静态随机存取存储器单元及其制备方法
  • [发明专利]掩膜版、半导体结构及其制备方法-CN202211545761.6在审
  • 郑启涛;郭哲劭;阳清;张立涛 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2022-12-05 - 2023-01-17 - G03F1/00
  • 本发明涉及一种掩膜版、半导体结构及其制备方法。其中,掩膜版具有半透区、全透区以及遮光区,所述掩膜版包括:基板;图形化遮光层,位于所述基板上,包括第一遮光图形以及第二遮光图形,所述第一遮光图形位于所述遮光区,且具有第一透光开口以及第二透光开口,所述第一透光开口位于所述全透区,所述第二透光开口位于所述半透区,所述第二遮光图形位于所述第二透光开口内。通过在掩膜版上设置第一遮光图形和第二遮光图形,将第二遮光图形设置于第二透光开口内,从而在使用上述掩膜版曝光光刻胶层时,仅使用一张上述掩膜版即可以在光刻胶层上形成深浅不一的开口,进而便于后续刻蚀出深浅不一的开孔,不仅提升半导体制备速率,也降低制备成本。
  • 掩膜版半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]组合式钢结构高强度混凝土柱结构-CN202211005766.X在审
  • 周莉;阳清;陈腾龙;周星中 - 华地恒工程咨询有限公司
  • 2022-08-22 - 2022-12-09 - E04C3/34
  • 本发明公开了涉及建筑材料领域的组合式钢结构高强度混凝土柱结构,包括混凝土预制柱体、内长钢筋和内短钢筋,混凝土预制柱体内设置有钢筋笼,钢筋笼由内圈体、外圈体、外钢筋、端部固定块和中间固定块组成,内圈体与外圈体之间靠近端部处焊接有端部固定块,内圈体与外圈体之间靠近端部固定块之间处焊接有中间固定块,两组端部固定块相靠近处开设有第一预留槽和第二预留槽,中间固定块一端贯穿开设有贯通槽,中间固定块两端均开设有第三预留槽,内短钢筋一端位于第三预留槽内;该新型能方便在节省材料的同时提升钢筋笼的强度,适合广泛推广使用。
  • 组合式钢结构强度混凝土结构
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202210627334.6在审
  • 阳清;崔助凤;张纪稳 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-06-06 - 2022-07-05 - H01L21/8244
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法,属于半导体技术领域。所述制造方法包括:提供一衬底,所述衬底包括驱动区和传输区;形成栅极氧化层于所述衬底上,所述栅极氧化层覆盖所述驱动区和所述传输区;形成多晶硅层于所述栅极氧化层上;刻蚀所述多晶硅层和所述栅极氧化层,在所述驱动区上形成驱动栅极结构,以及在所述传输区上形成传输栅极结构;形成源掺区和漏掺区于所述驱动区和所述传输区;在所述衬底上形成应力层;以及对所述应力层进行退火。通过本发明提供的一种半导体器件的制造方法,可提高半导体器件的性能。
  • 一种半导体器件制造方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202111513751.X有效
  • 阳清;崔助风;张纪稳 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2021-12-13 - 2022-03-22 - H01L27/11
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,且所述半导体器件至少包括:衬底,包括并排设置的多个类型不同的阱区,且每个所述阱区上包括一个或多个有源区;多个半导体元件,设置在所述有源区上,且所述多个半导体元件包括驱动晶体管和传输晶体管,其中,所述传输晶体管所在有源区宽度小于所述驱动晶体管所在有源区宽度;第一金属层,设置在所述半导体元件上,且与所述半导体元件电性连接;第二金属层,设置在所述第一金属层上,且与所述第一金属层电性连接;字线层,设置在所述第二金属层上,且与所述第二金属层电性连接。通过本发明提供的一种半导体器件及其制造方法,可提高半导体器件的性能。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202111036002.2有效
  • 张纪稳;崔助凤;阳清 - 晶芯成(北京)科技有限公司
  • 2021-09-06 - 2021-12-21 - H01L21/8239
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,包括:提供一衬底,所述衬底包括逻辑区和存储区;依次形成第一半导体层、第二半导体层于所述衬底上;并在所述逻辑区上形成第一沟槽隔离结构,在所述存储区上形成第二沟槽隔离结构;移除所述第二半导体层,并对所述存储区和所述逻辑区的衬底分别进行离子植入,形成第一类型阱和第二类型阱;之后在所述逻辑区上的所述第一半导体层上沉积第三半导体层,并移除所述第一半导体层和所述第三半导体层,以形成深度不同的第一凹陷和第二凹陷,且所述第一凹陷小于所述第二凹陷。通过本发明提供的一种半导体结构及其制造方法,可改善半导体结构的质量。
  • 一种半导体结构及其制造方法

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