专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多孔结构体的检查方法-CN200510059748.X在审
  • 岩渕宗之;森慎也;植田修司 - 日本碍子株式会社
  • 2005-03-29 - 2006-10-04 - G01N15/08
  • 本发明提供一种多孔结构体的检查方法,其不需要特殊装置或技术,通过检查成形干燥并加工成规定尺寸的成形体的重量,能够简便地检查多孔结构体的细孔特性(气孔率、平均细孔径、全细孔容积),同时还能够容易地进行全数检查。具体做法是,预先测定通过烧结经成形干燥为规定形状的成形体而获得的烧结体的细孔特性与所述成形体的重量之间的关系,分别设定所述烧结体的细孔特性的标准值与成形体的重量的标准值后,基于各自的标准值由成形体的重量进行烧结体的细孔特性的检查。
  • 多孔结构检查方法
  • [发明专利]一种治疗咽喉炎的药物组合物及其制备方法-CN200510020635.9在审
  • 徐学民;袁崇均;齐尚斌;李利民;王笳;杨红;黄卫平;陈帅;舒光明 - 四川省中药研究所
  • 2005-04-01 - 2006-10-04 - A61K31/7048
  • 本发明提供了一种治疗咽喉炎的药物组合物,它是由鸢尾科植物鸢尾Iristectorum Maxim.总黄酮提取物为活性部分,加上药学上可接受的辅料或辅助性成分制备而成的药剂,其中,提取物总黄酮的百分含量以鸢尾苷C22H22O11计算≥55%。本发明药物质量稳定、可控,且确定了其中的药效成分鸢尾苷、鸢尾甲苷A、鸢尾苷元、野鸢尾苷元,通过该四个成分的配比发挥了协同增效的作用。对导致急性咽喉炎和上呼吸道感染显著地抑制作用,该药物起效快,缓解症状迅速,咽喉肿痛导致的声音嘶哑者服药后几小时即可恢复正常语音,咽喉肿痛在数小时内明显减轻或消失,连续服药3~7天,即可痊愈,是一种疗效的速效药物,且成本低、得率高,为临床提供了一种新的药用选择。
  • 一种治疗咽喉炎药物组合及其制备方法
  • [发明专利]引力能发电机-CN200510132560.3在审
  • 梁星人 - 梁星人
  • 2005-12-26 - 2006-10-04 - H02N11/00
  • 本发明创造涉及以反重力装置、扭曲引力“直线”加速运动势能变成“圆周”循环促粒子加速动的装置、正反引力场内“加速”势能使粒子永恒“增能”运动的装置、超容高能“容电器”(非“电容器”)、永磁加速增能电动机、纳米材料的传动齿轮箱、遥控发电机、超容高压自控充电器、可控变频器、自动调压器所组成的“引力能发电系统装置(简称:《引力能发电机》)。
  • 引力发电机
  • [发明专利]电开关-CN200610067847.7在审
  • P·菲舍尔 - 迪尔阿扣基金两合公司
  • 2006-03-14 - 2006-10-04 - H01H1/58
  • 尤其适用于家用电器的电开关(2)具有接触弹簧(4),以及作用在接触弹簧(4)上的旋钮等开关元件(14)。接触弹簧(4)具有固定在印刷电路板(8)上的且相对应的对置触点(12),该对置触点具有碳层。这种碳层以较低的成本却提供了较高的机械阻力。
  • 开关
  • [发明专利]一种含有咖啡酰奎宁酸的药物组合物-CN200610001806.8在审
  • 林艳和 - 深圳市生物谷科技有限公司
  • 2006-01-20 - 2006-10-04 - A61K31/216
  • 本发明涉及一种药用、功能性保健品或化妆品用组合物、制备方法及其应用,所述组合物含有天然植物提取物或单体为活性成分。本发明药物组合物可用于治疗和/或预防糖尿病及其并发症、心脑血管疾病、脑细胞保护、老年痴呆症、高脂血症,以及用于预防心脑血管疾病的复发及防止血管成形术后再狭窄。还可以用于制备具有辅助降血脂功能、辅助降血糖功能、辅助降血压功能、抗氧化功能、辅助改善记忆功能的功能性保健品及用于具备抗氧化功效的化妆品中。
  • 一种含有咖啡奎宁药物组合
  • [发明专利]制造半导体器件的方法-CN200510136238.8在审
  • 金忠培 - 海力士半导体有限公司
  • 2005-12-23 - 2006-10-04 - H01L21/822
  • 一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底的预定区域中形成沟槽;在所述沟槽之内形成将所述器件的有源区和场区分隔开的隔离结构;以及蚀刻所述半导体衬底的暴露区域使得所述暴露区域具有弯曲表面。在本发明的一特定实施例中,执行氧化工艺以补偿蚀刻半导体衬底之后在半导体衬底的暴露区域上的损伤,并执行用于除去由氧化工艺所生长的氧化层的湿法蚀刻工艺。在本发明的一特定实施例中,该蚀刻工艺可以包括湿法或干法蚀刻工艺。
  • 制造半导体器件方法
  • [发明专利]投影曝光装置、位置对准装置以及位置对准方法-CN03123736.3有效
  • 平林洋一;松本德嘉 - 株式会社阿迪泰克工程
  • 2003-05-20 - 2006-10-04 - G03F9/00
  • 一种可进行精确位置对准的投影曝光装置。印刷电路板76置于移动平台70上的状态下,由紫外线照明装置6的紫外线光源60照射掩模标记90时,掩模标记90的像通过投影曝光透镜71与半反射镜11,以紫外线反射面镜10反射,再通过分光器34与成像透镜32,成像于CCD30上,并由图像识别装置2对其中心坐标做计测。其次,由红外线照明装置5的红外线光源50照射印刷电路板标记91,标记91的像通过紫外线反射面镜10、半反射镜11、分光器34、反射镜43、成像透镜42以及分光器52,成像于CCD40上。对应于紫外线用的CCD30上的掩模标记90的中心坐标,使红外线用CCD40上的印刷电路板标记91的中心坐标吻合,控制移动机构81,使移动平台70在XY及θ方向旋转移动而做位置对准。
  • 投影曝光装置位置对准以及方法
  • [发明专利]驱动装置、摄影装置以及携带电话-CN200610068091.8有效
  • 佐佐木龙太;真锅充雄;一宫武史;德宫元贵 - 富士能株式会社
  • 2006-03-24 - 2006-10-04 - G02B7/04
  • 本发明的驱动装置(100)具有:能够通过电气信号的输入来进行伸缩的电气机械变换元件(12)、安装在该电气机械变换元件(12)的伸缩方向的一方侧端部中的驱动部件(14)、与该驱动部件(14)摩擦卡合的被驱动部件(16)、以及安装在电气机械变换元件(12)的伸缩方向的另一侧端部上的由共振频率降低部件所构成的锤部件(18),通过该锤部件(18)降低电气机械变换元件(12)、驱动部件(14)以及锤部件(18)所构成的系统的共振频率。从而提供一种通过安装在电气机械变换元件的另一端侧的降低调节器的共振频率的锤部件的效果,能够防止共振的影响使得驱动部件变位到电气机械变换元件的伸缩方向以外,从而能够准确且稳定地在电气机械变换元件的伸缩方向驱动被驱动部件的驱动装置、摄影装置以及携带电话。
  • 驱动装置摄影以及携带电话
  • [发明专利]包括至少两个调节系统的手表-CN200610066972.6有效
  • A·佐格 - 蒙特雷布勒盖股份有限公司
  • 2006-03-30 - 2006-10-04 - G04B17/28
  • 本发明涉及一种具有包括至少两个调节系统(SR1、SR2)的类型的机械机芯的手表,每个调节系统包括机械振荡器和擒纵机构。机芯包括与调节系统数目相等的子组件(SE1、SE2),每个所述子组件包括调节系统(SR1、SR2)、发条盒(B1、B2)以及在子组件内从发条盒向调节系统传递能量的运转轮系。显示器差动轮系(Da)将每个子组件的发条盒或运转轮系连接到显示器(A)以平均这两个子组件的速率。在一个优选实施例中,这两个子组件安装在共用的旋转支承件(5)上,它们的调节系统是围绕表盘中心作轨道运动的陀飞轮。
  • 包括至少两个调节系统手表
  • [发明专利]具有一个基本上C型机架的注塑机-CN200610071583.2有效
  • F·弗罗绍尔;G·维姆鲍尔 - 恩格尔奥地利有限公司
  • 2006-03-30 - 2006-10-04 - B29C45/17
  • 本发明涉及一种具有一个基本上C型机架的注塑机,在机架的一个侧腿(3)上支承一个位置固定的模板(4),在其另一侧腿(2)上支承一个用于驱动一个可运动的模板(5)的闭合机构,其中机架(1)侧腿的不通过横梁连接的自由端部在闭合过程期间出现的闭合力的影响下变形,其中在至少一个模板(5)和机架之间设置一个包括一个沿机器纵向延伸的梁(6)的铰链件(7),该铰链件在施加闭合力时变形,由此模板相对于所属的机架侧腿翻转,并且其中在型模打开时模板通过弹簧力压靠在一个可调节的止挡上,并且由此保持在垂直位置上,其特征为:在铰链件(7)未变形时,模板(5)略微倾斜地延伸,因此所述垂直位置与铰链件(7)的弹性变形相关。
  • 具有一个基本上机架注塑
  • [发明专利]半导体装置-CN200610004208.6有效
  • 菊地修一;大川重明;中谷清史;高桥利幸 - 三洋电机株式会社
  • 2006-01-28 - 2006-10-04 - H01L27/04
  • 一种半导体装置,在现有的半导体装置中,在施加有高电位的配线层在分离区域上面交叉的区域存在在该分离区域耐压劣化的问题。在本发明的半导体装置中,在衬底(2)上堆积外延层(3),在被分离区域(4)区分的区域形成有LDMOSFET1。在与漏极电极(16)连接的配线层(18)于分离区域(4)上面交叉的区域,在配线层(18)下方形成有接地电位的导电屏极(24)和浮置状态的导电屏极(25)。根据该结构,在配线层(18)下方,分离区域(4)附近的电场被缓和,LDMOSFET1的耐压特性提高。
  • 半导体装置

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