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[发明专利]外延生长用种子基板及其制造方法、和半导体基板及其制造方法-CN202280020112.6在审
发明人：久保田芳宏;久保埜一平 -专利权人：信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：目的是获得几乎没有晶体缺陷的高品质且价廉的包含如AlN、AlxGa1‑xN(0X1)和GaN等第III族氮化物的外延及无垢的外延生长用种子基板。该外延生长用种子基板包括支承基板，设置在支承基板的上表面上的0.5～3μm的平坦化层，和设置在所述平坦化层的上表面上的晶种层。支承基板包括包含第III族氮化物多晶陶瓷的芯和包封芯的0.05～1.5μm的包封层。通过使氧化诱导堆垛层错为10个/cm2以下的Si111单晶的0.1～1.5μm的表面层进行薄膜转印而设置晶种层。
外延生长种子及其制造方法半导体

[发明专利]氮化镓晶体、氮化镓衬底及氮化镓衬底的制造方法-CN202280017084.2在审
发明人：三川丰;池田宏隆;包全喜;栗本浩平;岛纮平;小岛一信;石黒徹;秩父重英 -专利权人：三菱化学株式会社;株式会社日本制钢所;国立大学法人东北大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命长的GaN晶体，以及提供一种影响该发光寿命的特定的晶体缺陷少的高品质的GaN晶体和GaN衬底。一种氮化镓晶体，其由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命为5ps以上且200ps以下，并满足下述必要条件(i)和必要条件(ii)中的至少一个：(i)004衍射X射线摇摆曲线的FWHM在晶体的至少一处为50arcsec以下；(ii)位错密度为5×106cm‑2以下。
氮化晶体衬底制造方法

[发明专利]AlN单晶基板-CN202280016509.8在审
发明人：小林博治;小川博久;渡边守道 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种裂纹的产生得到了抑制的AlN单晶基板。该AlN单晶基板是从缺陷密度的观点出发能够沿厚度方向依次划分为第一层、第二层以及第三层的、整体由一个AlN单晶构成的3层结构的AlN单晶基板，其中，第二层具有第一层以及第三层各自的缺陷密度的10倍以上的缺陷密度。
aln 单晶基板

[发明专利]一种光学各向异性纳米结构单晶薄膜及其制备方法和应用-CN202310417279.2在审
发明人：彭邵勤;曹彦伟;张如意;唐明华 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学各向异性纳米结构单晶薄膜，光学各向异性纳米结构单晶薄膜为MN单晶薄膜，且包括共格外延层和岛状外延层，且共格外延层的厚度≤60nm，岛状外延层的厚度为20～300nm，岛状外延层的横向长度为5‑150nm，本发明还提供了光学各向异性纳米结构单晶薄膜的制备方法及其应用，与现有技术相比，本发明制备光学各向异性纳米结构单晶薄膜的成本低，且制得的光学各向异性纳米结构单晶薄膜具有优良的化学与热稳定性和半导体兼容性。
一种光学各向异性纳米结构薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法-CN202310604790.3在审
发明人：杨学林;沈波;吴俊慷;杨鸿才;王豪捷;刘伟 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法，首先在在陶瓷衬底表面沉积填充材料，通过研磨抛光获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并进行等离子体处理和/或原位NH3处理；接着生长单晶GaN厚膜材料，最后将单晶GaN厚膜材料从陶瓷衬底上分离，形成GaN自支撑衬底。该方法充分利用了陶瓷衬底与GaN热膨胀系数匹配的优点，并利用二维材料层为GaN的生长提供有序的六方结构，通过等离子体处理和/或NH3处理解决了二维材料表面难成核和外延层存在两种面内取向的问题，实现了高质量GaN自支撑衬底的制备。基于引入的二维材料层，可采用剥离技术将单晶GaN厚膜材料从陶瓷衬底上分离下来，基于成熟的产业链还可以实现大尺寸、低成本的晶圆级制造。
一种利用陶瓷衬底生长 gan 支撑方法

[发明专利]一种氮化铝晶体生长的籽晶粘接方法-CN202310536263.3在审
发明人：王琦琨;吴亮;雷丹;尤忠伟 -专利权人：奥趋光电技术（杭州）有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化铝晶体生长的籽晶粘接方法，它属于氮化铝籽晶粘结技术领域，包括(1)将氮化铝粉末、硅酸盐、钨粉、蒸馏水按比例混合均匀，制成粘接剂；(2)将粘接剂分别均匀涂至支撑部件和AlN籽晶片的粘结面表面；(3)将涂有粘接剂的支撑部件和AlN籽晶片保持粘接剂裸露，低温烘烤；(4)将AlN籽晶片的粘结面置于支撑部件的粘结面上；(5)将粘好的AlN籽晶片在一定负压下，常温真空放置一段时长；(6)将AlN籽晶片与支撑部件放入高温炉中加热，最终AlN籽晶片和支撑部件牢固粘结。本发明工艺操作简单、成本低，在AlN极高温(＞2200℃)长晶环境中有效抑制孔洞形成，有利于AlN长时间稳定生长，提高长晶结晶质量与生产良率。
一种氮化晶体生长籽晶方法

[发明专利]一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法-CN202310599840.3在审
发明人：杨学林;沈波;吴俊慷;张立胜;陈正昊;付星宇 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法，首先在陶瓷衬底表面沉积填充材料，然后研磨抛光，获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并对其表面进行等离子体处理和/或原位NH3处理；最后生长单晶III族氮化物厚膜外延层。本发明不仅实现了在陶瓷衬底上外延生长单晶材料，还充分利用陶瓷衬底与III族氮化物热膨胀系数匹配的优点，实现了低热失配的高质量厚膜外延，并通过等离子体处理和/或原位NH3处理解决了二维材料表面难成核和外延层存在两种面内取向的问题。陶瓷衬底优异的热导率也为高压大电流大功率器件的应用提供了便利，基于成熟的产业链，还可以实现大尺寸、低成本的晶圆级制造。
一种陶瓷衬底生长 iii 氮化物外延方法

[发明专利]III族氮化物单晶基板的清洗方法及制造方法-CN202280007650.1在审
发明人：福田真行;山本玲绪 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供可抑制III族氮化物单晶基板的氮极性面粗糙并去除异物的III族氮化物单晶基板的清洗方法及III族氮化物单晶基板的制造方法。本发明的III族氮化物单晶基板的清洗方法，其特征在于，其是具有III族元素极性面与设于该III族元素极性面的背面的氮极性面的III族氮化物单晶基板的清洗方法，以包含氟系有机化合物的清洗剂清洗前述氮极性面。
iii 氮化物单晶基板清洗方法制造

[发明专利]氮化物半导体基板的制造方法和层叠结构体-CN201980072362.2有效
发明人：吉田丈洋 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用气相外延法，所述制造方法具有如下工序：准备基底基板的工序，所述基底基板由III族氮化物半导体的单晶形成，相对于主面最近的低指数晶面为(0001)面；蚀刻工序，对基底基板的主面进行蚀刻，使该主面发生粗面化；第一工序，使III族氮化物半导体的单晶在基底基板的主面上外延生长，以经粗面化的基底基板的主面为起因，使单晶的表面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使多个凹部中的至少任一个随着向基底基板的主面的上方去而缓缓扩大，(0001)面消失，使具有仅由倾斜界面构成的第一面的第一层生长；以及，第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的第二面的第二层生长。
氮化物半导体制造方法层叠结构

[实用新型]可调节温场的晶体生长装置-CN202320224316.3有效
发明人：曾雄辉;李春鹏;王闯;王悦;周浩 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节温场的晶体生长装置。所述晶体生长装置包括生长容器和加热组件，所述生长容器包括壳体以及由壳体围合形成的生长室，所述加热组件与所述壳体导热配合，并用于对所述生长室进行加热；并且，所述可调节温场的晶体生长装置还包括：支撑组件，设置在所述壳体的外壁上，且所述支撑组件还与所述壳体导热配合并形成散热结构；保温组件，固定设置在所述支撑组件上，至少所述壳体的一部分被所述保温组件包裹。本实用新型直接对现有的生长容器进行改进，通过设置鳍片以及保温元件等改变了生长容器内的温度场，改进的成本低，且温度场的调节更加灵活方便。
调节晶体生长装置

[发明专利]紫外线发光元件用外延晶圆、紫外线发光元件用金属贴合基板的制造方法、紫外线发光元件的制造方法、及紫外线发光元件阵列的制造方法-CN202180066639.8在审
发明人：山田雅人;石崎顺也;土屋庆太郎;久保田芳宏;川原实 -专利权人：信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5x≤1)为主要成分的第一导电型包覆层、AlGaN类活性层、及以AlyGa1‑yN(0.5y≤1)为主要成分的第二导电型包覆层而成的外延层。由此，可提供一种紫外线发光元件用外延晶圆，其能够比以往价格低廉地制造高质量的深紫外线区域(UVC：200～250nm)的发光元件。
紫外线发光元件外延金属贴合制造方法阵列

[发明专利]大颗粒CBN制备方法-CN202210798418.6有效
发明人：周世杰 -专利权人：郑州沃德超硬材料有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及大颗粒CBN制备方法，它包括以下步骤：步骤1）：触媒制作：所述的触媒为LiCaN；步骤2）：配料：按照重量份数配比，将8‑15份的LiCaN和85‑92份的HBN物料进行混合；步骤3）：冷等静压：将上一步混合好的物料密封，并在冷等静压机上以290‑310Mpa的压力，等静压成型；步骤4）：破碎过筛和压柱；步骤5）：组装：将上一步形成的圆形棒料，装入叶腊石块机构中组成合成块；步骤6）：高温高压合成；步骤7）：化学处理；步骤8）：烘干处理；步骤9）：筛分；步骤10）：检验；步骤11）：包装入库；本发明具有转化率高、形成的颗粒大、使用寿命长、适于工业化生产、工艺简单的优点。
颗粒 cbn 制备方法

[发明专利]大尺寸介/微孔氮化钨单晶材料及其制备方法、应用-CN202111063857.4有效
发明人：谢奎;席少波;叶灵婷 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有介/微孔结构的大尺寸氮化钨单晶材料，及其制备方法和应用。所述介/微孔氮化钨单晶材料中含有小于10nm的孔。本申请的氮化钨单晶材料具有大尺寸，介/微孔结构的特点。目前还没有报道制备大尺寸的介/微孔氮化钨单晶的方法。本发明的介/微孔氮化钨单晶可以作为新型的催化电极材料、性能优异的超级电容器电极材料，催化剂材料及催化剂载体材料，具有广泛的应用前景。
尺寸微孔氮化钨单晶材料及其制备方法应用

[发明专利]n型GaN结晶、GaN晶片以及GaN结晶、GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法-CN201980053810.4有效
发明人：矶宪司;高桥达也;望月多惠;江夏悠贵 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
gan 结晶晶片以及氮化物半导体器件制造方法

[发明专利]大口径III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法-CN202180046066.2在审
发明人：久保田芳宏;川原实;山田雅人 -专利权人：信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及单晶的晶种层，其设置在平坦化层的上表面，在表面具有凹凸图案，且厚度为0.1μm以上且1.5μm以下。
口径 iii 氮化物外延生长用基板及其制造方法

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