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[发明专利]一种高光学质量K3-CN202210406819.2在审
发明人：夏明军;刘青雄;唐川;李如康;吴倩 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种高光学质量K3B6O10Br晶体生长助熔剂及晶体生长方法。所述K3B6O10Br晶体生长助熔剂的使用可以有效降低K3B6O10Br晶体的生长温度，使其温度范围在650‑700℃之间。可以明显降低溶液的粘度，有利于溶质传输，易于晶体的生长并且显著减少了包裹体的产生。可以有效减少体系的挥发度，提高生长体系的稳定性，防止漂晶的形成，提高晶体的生长速度和晶体生长的重复性。由于晶体中杂质的减少，有效解决了200‑300nm波段的吸收，并且大大提高了该波段的透过率。
一种光学质量 base sub

[发明专利]一种利用单一熔盐制备氧化锆晶须的方法-CN202310972906.9在审
发明人：张权;冯果;江峰;刘健敏;徐贵荣;李华 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开一种利用单一熔盐制备氧化锆晶须的方法，包括如下步骤：步骤一：将氧氯化锆、草酸、乙醇按一定比例混合均匀，经干燥后得到锆源；步骤二：将步骤一制得的锆源与熔盐按一定比例混合均匀，装入加盖的坩埚中放入马弗炉，经热处理、水洗、干燥得到氧化锆晶须。本发明利用单一熔盐合成氧化锆晶须，生产工艺操作方便，产品性能稳定，原料成本低廉，因此具有广阔的应用前景。
一种利用单一制备氧化锆方法

[发明专利]一种利用共晶盐助熔剂制备二氧化铀单晶的方法-CN202310733008.8在审
发明人：王渝;张蕾;雷蕾 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明属于核燃料制备领域以及晶体制备技术领域，涉及一种利用共晶盐助熔剂制备二氧化铀单晶的方法。包括以下步骤S1、将U3O8粉末、CsCl‑CsF共晶盐装入Ag坩埚中；S2、然后将Ag坩埚置于陶瓷坩埚中，在惰性气氛中，进行热处理，随后进行冷却处理至室温，清洗得UO2单晶。本发明以U3O8为原料，结合CsCl‑CsF共晶盐助熔剂，惰性气氛中在Ag坩埚中反应，以“一锅式”方法制备得到单晶UO2，有效解决了熔体法无法熔解高熔点UO2的制备问题。
一种利用共晶盐助熔剂制备氧化铀单晶方法

[发明专利]一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法-CN202211048823.2有效
发明人：周庆;廖雪峰;吴岱丰;唐永利;卢其云;曾炜炜;卢赐福;唐仁衡 -专利权人：广东省科学院资源利用与稀土开发研究所;惠州市福益乐永磁科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法。本发明采用RE‑Fe‑B‑M生长体系进行RE2Fe14B单晶生长。母合金原料RExFe100‑x‑yBy(25≤x≤40；15≤y≤30)中RE为稀土元素Nd、Pr、Dy、Tb、Ce和Y的其中一种或多种混合，熔炼形成母合金铸锭，破碎后与助溶剂M混合置于氧化锆坩埚中，助溶剂M为Mg、Cu和Ga的其中一种。再将坩埚置于石英管中进行真空封管。然后，将密闭石英管置于马弗炉中，进行升温‑保温‑缓冷降温‑水淬。最后，将样品取出后粗破碎，放入腐蚀液体中进行晶界腐蚀，最后剥离得到若干RE2Fe14B单晶颗粒。该RE2Fe14B单晶制备方法的设备成本低、流程简单、一次可制备多个高质量单晶，适用于普遍实验室和工业化研究。
一种稀土永磁熔剂生长方法

[发明专利]一种利用无氟、热稳定熔盐制备单斜氧化锆晶须的方法-CN202310832851.1在审
发明人：张权;冯果;江峰;刘健敏;徐贵荣;江伟辉 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2023-07-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开一种利用无氟、热稳定熔盐制备单斜氧化锆晶须的方法，将锆源、熔盐按一定比例混合，经热处理、洗涤、干燥得到单斜氧化锆晶须。本发明具有①工艺简单，无需回流或者溶剂热反应；②熔盐中不含氟化物，避免熔盐反应中或者后面水洗熔盐过程对环境的压力；③熔盐热稳定，避免类似硫酸盐，磷酸盐在熔盐过程热分解，减少了熔盐消耗，同时避免类似磷酸盐与锆前驱体发生反应形成杂质，无法洗去留在样品中等优点，因此具有广阔的应用前景。
一种利用稳定制备单斜氧化锆方法

[发明专利]一种新型稀土离子掺杂的双钼酸盐NaLu(MoO4-CN202310517188.6在审
发明人：余意;但铭杰;牛重辉 -专利权人：赣南师范大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型稀土离子掺杂的双钼酸盐NaLu(MoO4)2激光晶体的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将Na2CO3与MoO3按照化学计量比称量后放入研钵混合并充分研磨均匀后压制成片，在马弗炉内烧结后自然降温；再次研磨压片烧结冷却后研磨均匀备用；步骤2：将Na2CO3、Lu2O3与MoO3按照化学计量比称量后放入研钵混合并充分研磨均匀后压制成片，步骤3：将制备好的助溶剂Na2Mo2O7和NaLu(MoO4)2按比例混合均匀，在粉末中添加适量的NaF、MoO3和B2O3，将混合均匀的混合粉末压制成片后放入铂金坩埚中，步骤4：将b向切割的籽晶绑在籽晶杆上，降至熔体上方预热后，炉温降至饱温度之上3‑5℃并插入籽晶，恒温后炉温降至饱和温度，开始晶体生长。
一种新型稀土离子掺杂钼酸 nalu moo base sub

[发明专利]一种β-BaB2-CN202310541344.2在审
发明人：朱显超;席天卉;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种β‑BaB2O4晶体生长助熔剂及晶体生长方法，采用NaF‑LiF体系作为助熔剂。通过本发明可以大幅降低晶体生长温度，其温度范围在800～860℃之间，可以极大降低体系的挥发度，防止自发结晶的形成，提高生长体系的稳定性；可以明显降低溶液的粘度，利于传质传热的进行，提高了晶体生长速度和晶体品质，可稳定生长出一系列大尺寸、高光学质量BBO晶体。
一种 bab base sub

[发明专利]系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途-CN202111171965.3有效
发明人：潘世烈;李子健;张方方 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该系列化合物的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，分子量分别为271.38，313.50，406.24和501.12；该系列晶体的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，别为(NH4)2B4SO10，K2B4SO10，Rb2B4SO10或Cs2B4SO10,分子量分别为271.38，313.50，406.24和501.12，该系列晶体均属单斜晶系，空间群为C2，采用化学气相沉积法制备、密封熔盐法或坩埚下降法制备。通过该方法获得尺寸为厘米级的M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs非线性光学晶体，在Nd:YAG激光器所输出的1064 nm的基频光进行2倍频或3倍频或4倍频的谐波光输出或产生低于266nm的紫外倍频光输出的用途或制备倍频发生器、上或下频率转换器或光参量振荡器中的用途。
系列碱金属硫酸盐化合物非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法-CN202310253879.X在审
发明人：张敏;刘南柳;姜永京;陈垦宇;王琦 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法，该装置包括用于氮气离子化的解离室和用于氮化镓单晶生长的生长室，解离室的下端连通第一管线，第一管线通过第一驱动器通往生长室的上部，生长室的下端连通第二管线，第二管线通过第二驱动器通往解离室的上部；生长室内设有支撑杆，支撑杆的上端套有涡轮，涡轮上安装有叶片，涡轮的上端设有圆台，圆台上设有凹槽，凹槽用于放置籽晶。本发明既实现氮离子浓度分布均匀，又能让氮化镓单晶衬底自动旋转，实现氮离子溶解与消耗的分离，让整个熔体系统实现循环流动，而循环流体又可以自动带动单晶衬底旋转，解决籽晶表面生长速率不均匀，氮化镓生长质量较低的问题。
一种自动旋转氮化镓单晶生长装置方法

[发明专利]晶体生长炉纵向温度梯度测量系统、方法及晶体生长系统-CN202310315301.2在审
发明人：赵营;王晓洋;夏明军;刘丽娟 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，提供一种晶体生长炉纵向温度梯度测量系统、方法及晶体生长系统，晶体生长炉纵向温度梯度测量系统包括温度检测元件、升降装置和控制装置，温度检测元件用于穿过晶体生长炉炉盖并伸入到坩埚内熔液液面处；升降装置用于驱动温度检测元件升降；控制装置包括输入模块、显示存储模块和控制模块，输入模块用于输入温度检测元件的预设移动行程和预设移动时间，输入模块与控制模块通信连接，控制模块用于控制升降装置启停，显示存储模块与温度检测元件通信连接，显示存储模块用于显示并存储温度检测元件的检测信号。可有效克服环境和人为因素对测试数据的影响及获取真实可靠的测试数据，实现自动化测量，有效降低人力成本。
晶体生长纵向温度梯度测量系统方法

[发明专利]提笼机构及晶体生长装置、晶体生长方法-CN202310318169.0在审
发明人：赵营;王晓洋;夏明军;刘丽娟 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，提供一种提笼机构及晶体生长装置、晶体生长方法，提笼机构包括笼体和吊装组件，笼体伸入晶体生长炉的坩埚内，笼体能够供坩埚内的熔体通过，笼体位于籽晶外、以用于承载晶体；吊装组件的底端与笼体连接，吊装组件的顶端与晶体生长炉的炉盖连接。通过对提笼机构的提升可以将晶体一同提升，使晶体脱离熔体，从而便于取出晶体；由于提笼机构的承载和提升作用，不需要再通过增加籽晶的尺寸来增加籽晶与晶体的连接强度，有利于减小籽晶的尺寸，降低晶体缺陷的引入，有利于获取大口径高光学质量的非线性晶体毛坯及器件。
机构晶体生长装置方法

[发明专利]一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法-CN202211639843.7在审
发明人：潘峥嵘 -专利权人：镇江创时纳米材料有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法，属于材料领域，以碳酸钾和偏钛酸为原料，以锰酸钾为助溶剂，采用熔剂法制备得到摩擦材料用钛酸钾晶须。本发明的摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法，原料采用磷单质酸钾和偏钛酸进行，制六钛酸钾晶须，再使用助熔剂进行辅助，通过将锰酸钾分批次加入的构思，可以使得助熔剂所起到的助熔效果更好，磷单质酸钾和偏钛酸反应的较为完全，使得原料的利用率更高，降低了生产成本，同时增加了收率。
一种摩擦材料用钛酸钾晶须制备方法

[发明专利]一种稀土镍基氧化物电子相变薄膜材料的合成方法-CN202211590408.X在审
发明人：陈吉堃;边驿 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于高氧压熔盐技术的稀土镍氧化物膜的生长方法，其主要构思在于使用碱金属卤化物作为助熔剂并有效熔解稀土氧化物、镍氧化物前驱体，并在高氧压下通过适当的热处理工艺使处于热力学亚稳相的稀土镍基氧化物在具有相近晶格参数的衬底或衬底缓冲层上非均匀形核成膜。该方法的优势在于不涉及任何真空沉积过程，可实现微米级厚度稀土镍基氧化物膜在平面、曲面上的均匀批量制备。所制备的膜材料具有良好的金属‑绝缘体转变特性、氢致电子相变特性，可应用于突变式热敏电阻、红外伪装、海洋电场探测等方面。
一种稀土氧化物电子相变薄膜材料合成方法

[发明专利]一种Mg3-CN202211726317.4在审
发明人：林思琪;金敏;杨淼森;王相虎;李荣斌 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg3Sb2晶体材料的制备方法，采用坩埚下降法在助熔剂的协助作用下生长得到Mg3Sb2单晶材料，包括：选取高纯单质元素Mg、Sb、Bi、Y为起始原料，按Mg3Sb2Yx:(Sb/Bi)＝1:1～5的摩尔比配料，Mg、Sb、Bi、Y依次放入高纯氮化硼坩埚中，坩埚放置于石英管内抽真空至10‑3‑10‑1Pa，封装，放入垂直布里奇曼生长炉中，炉温为800‑900℃，升温速率为50‑200℃/h，保温5‑15h，保证充分熔化均匀；石英管以0.2‑0.5mm/h的速度向下移动，当溶质在溶剂中达到饱和，晶体在坩埚内通过自发成核不断长大，获得高质量、大尺寸的Mg3Sb2单晶材料。
一种 mg base sub

[发明专利]一种液相法碳化硅单晶生长的连续加硅料装置及加料方法-CN202211619875.0在审
发明人：王晗;陆敏;柯尊斌;张小勇;吴信杠 -专利权人：常州臻晶半导体有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅单晶生长设备技术领域，具体涉及一种液相法碳化硅单晶生长的连续加硅料装置及加料方法，本连续加硅料装置包括：副腔体打开且插板密封阀关闭时，在第一石墨坩埚中装入硅颗粒；副腔体关闭且保持真空状态时，插板密封阀打开将硅颗粒送入中转石英坩埚内，硅颗粒落入半融硅料化输送管道、外层硅料区域，硅颗粒在外层硅料区域中融化形成硅料溶液；外层硅料区域中硅料溶液溢出至第二石墨坩埚中内层生长区域，以补充第二石墨坩埚中内层生长区域在单晶生产过程中消耗的硅料溶液；本发明能够实现长时间稳定生长单晶，并在单晶生长期间分批次补充硅，结构简单、操作简单，且能多次少量的补充硅，不需要增加其他耗能电源，安全系数高。
一种液相法碳化硅生长连续加硅料装置加料方法

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