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[发明专利]一种连续浓度梯度掺杂四氧化三钴的制备方法-CN202111500796.3有效
发明人：许开华;李炳忠;戴熹;马兴兴;王丽 -专利权人：格林美（江苏）钴业股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：本发明公开了连续浓度梯度掺杂四氧化三钴的制备方法，通过向低掺杂量溶液中连续补入高掺杂量溶液，使反应体系中的掺杂元素的连续梯度增加，从而无需通过基于粒度增长的方式控制掺杂溶液进料，使反应体系始终保持基本稳定状态，有利于颗粒有序地增长，最终合成均匀一致的掺杂四氧化三钴颗粒。掺杂四氧化三钴中最终的掺铝量质量系数为能够实现材料颗粒内外部掺杂量以及总掺杂量的精准控制，从而满足不同功率型电池材料的需求。
一种连续浓度梯度掺杂氧化制备方法

[发明专利]一种共掺杂纳米二氧化钛光催化剂及其制备方法-CN201310183184.5无效
发明人：马玉山 -专利权人：马玉山
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B01J23/847 文献下载
摘要：本发明涉及一种光催化剂及其制备方法，特别涉及一种钒、镧、铜、锌、硅共掺杂的纳米二氧化钛光催化剂及其制备方法。所述钒、镧、铜、锌、硅共掺杂的纳米二氧化钛光催化剂以陶瓷为载体，以摩尔分数计，钒的掺杂量为0.5～1%，镧的掺杂量为1～1.5%，铜的掺杂量为0.5～1.1%，锌的掺杂量为0.5～1%，硅的掺杂量为10通过共掺杂大大增强光生电子－空穴的有效分离，从而提高了光催化性能。
一种掺杂纳米氧化光催化剂及其制备方法

[发明专利]晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法和确定装置-CN202310691714.0在审
发明人：梁万亮;杨文武 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：确定掺杂剂的掺杂效率；根据所述掺杂效率，确定实际拉晶工艺中掺杂剂的首次添加量a，a＝a′/η0，其中，a′为所需的融入到硅熔液中的掺杂剂的含量，η0为掺杂效率；其中，所述确定掺杂剂的掺杂效率，具体包括：将第一测试用掺杂剂加入至第一测试用硅熔液中，并拉制第一测试晶棒；根据所述第一测试晶棒的电阻率确定所述掺杂效率。本发明还涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定装置。根据拉制的晶棒的电阻率确定掺杂剂的掺杂效率，根据该掺杂效率可以确定掺杂剂的掺杂量，改善由于掺杂剂挥发导致的晶棒电阻率超规格报废的问题。
掺杂添加确定方法装置

[发明专利]一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法-CN202110883669.X有效
发明人：魏建宇;邓雪华;王银海;杨帆 -专利权人：南京国盛电子有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用重掺As衬底片，电阻率为0.002~0.004Ω•cm，外延生长：源采用超高纯三氯氢硅，生长目标厚度的外延层，同时通入相应的掺杂源掺杂源通入量分两段：第一段采用变掺杂的模式，起始掺杂流量设定值为0.1Ω·cm≤对应电阻率≤0.5Ω·cm的重掺杂质量，终点掺杂流量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量，掺杂量变化速率恒定，变化区间可选择为总厚度的15%~30%；第二段掺杂通入量恒定，掺杂量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量。
一种提高外延过渡一致性工艺方法

[发明专利]一种多元素共掺杂纳米二氧化钛光催化材料-CN202010270268.2在审
发明人：于秀娜 -专利权人：吉林建筑大学
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： B01J29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多元素共掺杂纳米二氧化钛光催化材料，其特征在于：包括以下步骤：以改性沸石为载体，以摩尔分数计，氮的掺杂量为1％，镧的掺杂量为1.5％，钾的掺杂量为1％，锌的掺杂量为1％，铋的掺杂量为1％，铜的掺杂量为2％，改性沸石载体占催化剂的质量含量为60％能够显著提高纳米二氧化钛的光催化效率，加快二氧化钛催化降污效果，同时银的加入使本材料具有杀菌的功能，使材料具有高效无污染的抗菌杀菌和降解空气中有机污染物的功能
一种多元掺杂纳米氧化光催化材料

[发明专利]一种多元素共掺杂纳米二氧化钛光催化材料-CN201610128763.3有效
发明人：韩红;司崇殿;孙玉红;刘广军;周晶 -专利权人：济宁学院
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种多元素共掺杂纳米二氧化钛光催化材料，以改性沸石为载体，以摩尔分数计，氮的掺杂量为 0.5‑1%，镧的掺杂量为 1‑1.5%，钾的掺杂量为 0.5‑1%，锌的掺杂量为0.5‑1%，铋的掺杂量为 0.5‑1%，铜的掺杂量为 1.5‑2%，改性沸石载体占催化剂的质量含量为 40‑60%。
掺杂量纳米二氧化钛光催化材料改性沸石多元素共掺杂光催化性能回收利用应用潜力制备材料光降解细颗粒催化剂污染物

[发明专利]掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件-CN201910955447.7有效
发明人：张振星;高远;李明;高培源 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件。其中掺杂氧化锌纳米晶的制备方法包括以下步骤：S1，将锌盐、掺杂金属盐以及有机胺于溶剂中混合得到混合溶液，锌盐中锌元素的物质的量与掺杂金属盐中金属元素的物质的量之比为(100:1)～(1.5:1)，有机胺适于与掺杂金属盐形成络合物；S2，向步骤S1的混合溶液中加碱进行反应，反应后得到含有掺杂氧化锌纳米晶的溶液。采用本发明提供的方法制备掺杂氧化锌纳米晶，可以突破现有的掺杂金属在氧化锌纳米晶中的掺杂量上限，显著提升掺杂氧化锌纳米晶中掺杂金属的掺杂量，有利于充分发挥掺杂金属的有益作用。
掺杂氧化锌纳米制备方法电子传输发光器件

[发明专利]在负极中掺杂和脱掺杂锂的方法以及制造锂二次电池用负极的方法-CN201280025943.9有效
发明人：入山次郎;梶田彻也;川崎大辅;沼田达治 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明的示例性实施方式是一种在制造包含硅氧化物作为活性物质的锂二次电池用负极之后才掺杂和脱掺杂锂的方法，其包括在如下电流值范围(A)内并在如下掺杂量范围(B)内掺杂锂；电流值范围(A)：在V-dQ/dV曲线上在1V以下仅出现一个峰的掺杂量变得最大的电流值范围，其中所述V-dQ/dV曲线表示所述负极相对于锂参比电极的电压V与dQ/dV之间的关系，所述dQ/dV是所述负极中的锂脱掺杂量Q的变化量dQ对所述电压V的变化量dV的比例，以及掺杂量范围(B)：在所述V-dQ/dV曲线上在1V以下仅出现一个峰的掺杂量范围。
负极掺杂方法以及制造二次电池

[发明专利]高掺杂量的金属、硫共掺杂的二氧化钛光催化剂的制备方法及应用-CN202111119723.X在审
发明人：朱振之;朱作霖;刘珂;王文海 -专利权人：杭州相南环保科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：高掺杂量的金属、硫共掺杂的二氧化钛光催化剂的制备方法，通过采用有机醇钛为钛源，采用纳米金属粉为金属源，采用DMSO作为反应溶剂，通入H2S作为辅助剂，经搅拌反应，完成二氧化钛光催化剂的初步成型，在含2～3v％H2S的氩气中淬火3次以上，制备出高掺杂量的金属、硫共掺杂二氧化钛光催化剂，相比于已知光催化效果最好的二氧化钛光催化剂，金属、非金属掺杂量明显提高；相比于已知光催化效果最好的金属掺杂量最高的二氧化钛光催化剂，金属掺杂量明显提高；相比于已知光催化效果最好的非金属掺杂量最高的二氧化钛光催化剂，非金属掺杂量明显提高，具有较好的可见光活化催化能力
掺杂金属氧化光催化剂制备方法应用

[发明专利]一种稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料及其制备方法-CN201310119855.1有效
发明人：王如志;李开宇;严辉;朱满康;侯育冬;王波;张铭;宋雪梅;刘晶冰;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明属于固体发光材料领域，具体涉及一种稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料及其制备方法。其化学组成表示式为：Y2O3：xBi3+，yYb3+，zZnO，其中x的掺杂量为0.01～40mol%，y的掺杂量为0.01～50mol%，z的掺杂量为0～70mol%。组成原料为：Y2O3、Bi2O3、Yb2O3和ZnO，其中Bi2O3掺杂量为0.005～20mol%，Yb2O3掺杂量为0.005～25mol%，ZnO掺杂量为0～70mol%。本发明的稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料在利用Yb3+离子发射的同时，通过加入金属氧化物ZnO改进了其在紫外-可见区的吸收，进一步提高了Yb3+离子在900～1100nm处的发光强度，是潜在的提高晶体硅太阳能电池效率的材料
一种稀土金属离子掺杂转换发光增强材料及其制备方法

[发明专利]掺钒铌酸锂晶体-CN201010207689.7无效
发明人：刘士国;董印锋;孔勇发;张玲;陈绍林;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
掺钒铌酸锂晶体

[发明专利]硫磷共掺杂介孔碳材料及其制备方法-CN201610128245.1在审
发明人：张德懿;雷龙艳;尚永花;韩梅;冯辉霞;王毅;王坤杰;雒和明 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：硫磷共掺杂介孔碳材料及其制备方法，所制备硫磷共掺杂介孔碳具有高的杂原子掺杂量，其中磷掺杂量达到0.33~4.96%，硫掺杂量达到0.27~1.88%，比表面积在883~2276 m^{2掺杂介孔碳材料。}
硫磷共掺杂介孔碳材料及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管有源层材料-CN202310481087.8在审
发明人：陆磊;陈文龙;韩子娟;王焱鑫;巫礼杰;张盛东;廖聪维 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管有源层材料包括：半导体主体以及掺杂源，半导体主体的材料为非晶金属氧化物材料，掺杂源用于对非晶金属氧化物材料掺杂，掺杂源的掺杂元素包括氢元素以及氟元素，有源层材料的含氧量大于含氢量与含氟量之和，含氢量大于含氟量。本申请通过对非晶金属氧化物材料制成的有源层进行氟元素与氢元素的掺杂，钝化有源层中的缺陷，提高迁移率，提高电学稳定性，提高器件的性能。
一种薄膜晶体管有源材料

[发明专利]高掺杂量氮硫共掺杂有序介孔碳的制备方法-CN201410366946.X有效
发明人：张德懿;雷龙艳;郑力文;冯辉霞;王毅;雒和明 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：高掺杂量氮硫共掺杂有序介孔碳的制备方法，以富氮有机物丁二酮肟为碳源和氮源，硫酸为催化剂和硫源，丁二酮肟与甲醛在硫酸催化下的反应产物为前驱体，采用介孔二氧化硅分子筛SBA-15为模板，通过初湿浸渍法结合高温热解技术制备具有二维六方介观结构的氮硫共掺杂有序介孔碳；所制备氮硫共掺杂有序介孔碳具有高的杂原子掺杂量，其中氮掺杂量达到18.76~5.79%，硫掺杂量达到0.41~1.18%，比表面积在480~869m²/g之间，平均孔径3.56~
掺杂量氮硫共有序介孔碳制备方法

[发明专利]用于集成电路的低电阻率互连件及其形成方法-CN201911355302.X在审
发明人：迦尼士·海兹;哈索诺·S·席姆卡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成用于集成电路的互连件的方法，包含：标识互连件势垒材料；标识多种潜在掺杂元素；形成包含互连件势垒材料的潜在势垒结构的集合体，互连件势垒材料在多个掺杂位置处且以多种潜在掺杂元素中的每一种的多个掺杂量掺杂；计算集合体的势垒结构中的每一个的态密度；基于态密度来选择掺杂元素和掺杂量；以及沉积包含合金的势垒层，合金包含互连件势垒材料和在所选掺杂量下的所选掺杂元素。
用于集成电路电阻率互连及其形成方法

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