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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造以相对装置特征旋转角度定向的计量标靶系统及方法-CN201780032762.1有效
发明人：李明俊;M·D·史密斯 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻系统，其包括：照明源，其包含沿着第一方向分离且围绕光学轴对称分布的两个照明极点；图案掩模，其从所述照明源接收照明；及一组投影光学器件，其将对应于所述图案掩模的图像产生到样本上。所述图案掩模包含计量标靶图案掩模及装置图案掩模元素。所述装置图案掩模元素按装置分离距离沿着所述第一方向分布。所述计量标靶图案掩模包含一组计量标靶图案掩模元素，其具有对应于所述装置图案掩模元素的衍射图案的衍射图案。在所述样本上产生的与所述计量标靶图案掩模相关联的计量标靶沿着第二方向特性化且具有对应于在所述样本上产生的与所述装置图案掩模元素相关联的装置图案元素的印刷特性的印刷特性。
制造相对装置特征旋转角度定向计量系统方法

[发明专利]掩模制造方法-CN202111086659.X在审
发明人：李炳一;金奉辰;李永浩 -专利权人：悟劳茂材料公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及掩模制造方法。本发明的掩模制造方法用于制造OLED像素形成用掩模，该方法包括以下步骤：(a)准备掩模金属膜；(b)在掩模金属膜的至少第一面上形成图案化的第一绝缘部；(c)在掩模金属膜的第一面上通过第一绝缘部图案间的空间形成副掩模图案；(d)通过夹设隔板绝缘部来粘合形成有副掩模图案的掩模金属膜的第一面与支撑基板；(e)使用与掩模金属膜的第一面相对的第二面上形成的第二绝缘部图案间的空间，在掩模金属膜上形成主掩模图案，从而制造掩模。
制造方法

[发明专利]闪存的制作方法-CN201210378841.7有效
发明人：倪志荣;杨长亮 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-10-09 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：提供衬底，衬底上形成有图案化掩模层，且衬底中形成有隔离结构，其中隔离结构的顶面与图案化掩模层的顶面共平面。进行刻蚀工艺，刻蚀工艺包括：移除部分图案化掩模层；以及移除邻近图案化掩模层的角落处的部分隔离结构，以使隔离结构的顶部部分的宽度小于底部部分的宽度。重复刻蚀工艺至少一次。移除图案化掩模层。
闪存制作方法

[发明专利]线路板及其制作方法-CN201210208348.0有效
发明人：余丞博;黄尚峰;李长明;白蓉生 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：继之，在第一导电层上形成图案化掩模层，此图案化掩模层暴露出导通孔与部分该第一导电层。随后，在图案化掩模层所暴露出的第一导电层与导通孔上形成第二导电层。之后，移除图案化掩模层与位于图案化掩模层下方的第一导电层。
线路板及其制作方法

[发明专利]使用具有空间选择性双折射减小的膜的掩模加工-CN201180037303.5有效
发明人：威廉·沃德·梅里尔;道格拉斯·S·邓恩 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：使用某些可图案化反射膜作为掩模来制备其他图案化制品，并可使用一个或多个初始掩模来对可图案化反射膜进行图案化。一种示例性的可图案化反射膜具有吸收特性，所述吸收特性适于在暴露于辐射束时以吸收方式以足以使第一反射特性改变为不同的第二反射特性的量加热膜的一部分。所述从第一向第二反射特性的改变归因于可图案化膜的一个或多个层或者一种或多种材料的双折射率改变。在一种有关的制品中，掩模被附加到这样的可图案化反射膜。所述掩模可具有不透明部分和透光性部分。此外，所述掩模可具有透光性部分，所述透光性部分具有例如聚焦元件和/或棱柱元件等结构。
使用具有空间选择性双折射减小加工

[发明专利]减少掩模缺陷的蚀刻工艺-CN200510092367.1无效
发明人：黄国书 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-08-29 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种减少掩模缺陷的蚀刻工艺，其包括：提供一衬底，且衬底表面依序形成有一薄膜层、一掩模层以及一图案化的光致抗蚀剂层，接着对图案化的光致抗蚀剂层进行一含溴化合物的处理后，再进行一第一蚀刻工艺，以将图案化的光致抗蚀剂层的图案转移至掩模层中，然后利用一含氟的混合气体进行一光致抗蚀剂剥除工艺，最后再进行一第二蚀刻工艺，以将图案化的掩模层的图案转移至该薄膜层中。
减少缺陷蚀刻工艺

[发明专利]利用H₂等离子处理对有机线宽粗糙度的改进-CN200980127927.9无效
发明人：约翰·Y·亚当斯;大卫·杨 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种用于在图案化有机掩模下方的蚀刻层中形成蚀刻特征过程中减小极低频线宽粗糙度(LWR)的方法。处理图案化有机掩模以降低图案化有机掩模的极低频线宽粗糙度，包括通入包括H2的处理气体，其中该处理气体具有一定流率并且H2的流率是处理气体的流率的至少50％，由处理气体形成等离子，以及停止处理气体流。通过具有降低到非常低的LWR的图案化有机掩模蚀刻该蚀刻层。
利用 sub 等离子处理有机粗糙改进

[发明专利]用于图案化的掩模蚀刻-CN201680011245.1有效
发明人： G·李;L·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：硬掩模层被沉积在基板上方的特征层上。所述硬掩模层包含有机掩模层。在高于室温的第一温度下使用包含卤元素的第一气体在所述有机掩模层中形成开口，以暴露出所述特征层的一部分。在第一温度下使用所述卤元素蚀刻基板上方的绝缘层上的有机掩模层，以形成开口而暴露出所述绝缘层的一部分。
用于图案蚀刻

[发明专利]用于多重图案化技术的单元布局-CN201110419100.4有效
发明人：陈皇宇;侯元德;谢艮轩;刘如淦;鲁立忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于多重图案化技术的单元布局的系统和方法。把将要进行图案化的区域划分为对应于各个掩模的交替区域。在布局工艺期间，位于沿着单元的边界的位置上的区域被限制为具有与边界区域相关联的掩模中的图案。当布置时，将单个单元布置为使得邻接的单元交替了分配到各个掩模的区域。以这种方式，当设计每个单个单元，使得一个单元的掩模图案太靠近邻近单元的掩模图案时，设计人员会得知。
用于多重图案技术单元布局

[发明专利]装置、光刻系统及方法-CN202210787302.2在审
发明人：郭宏瑞;游珽崵;李明潭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在实施例中，一种装置包括：能量源；支撑平台，用于保持晶片；光学路径，从能量源延伸到支撑平台；以及光掩模，被对准成使得光掩模的图案化主表面平行于重力，其中光学路径穿过光掩模，其中光掩模的图案化主表面垂直于支撑平台的最顶表面
装置光刻系统方法

[发明专利]存储器装置的制造方法和相变化层的蚀刻方法-CN200710102125.5无效
发明人：陈颐承 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：其后，形成掺杂锡的相变化层于介电层上，形成图案化掩模层于掺杂锡的相变化层上。接下来，以图案化掩模层为掩模，并用以氟为基础且添加氯的蚀刻剂蚀刻掺杂锡的相变化层，以图案化掺杂锡的相变化层。然后，形成电极，电连接图案化的相变化层。
存储器装置制造方法相变蚀刻

[发明专利]非易失性存储器件的制造方法-CN200710130435.8无效
发明人：金世训 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种制造非易失性存储器件的方法，包括在半导体衬底上形成用以形成栅极的导电层；在导电层上方形成硬掩模；图案化硬掩模和单元区域的导电层以形成栅极；利用通过其开放周边区域的掩模对硬掩模部分开槽；和图案化该开槽的硬掩模和周边区域的导电层以形成栅极
非易失性存储器制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210173606.X在审
发明人：张世明;赖昱泽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在设置在衬底之上的第一层间电介质(ILD)层之上形成第一导电层，在第一导电层之上形成第二ILD层，在第二ILD层中形成过孔以与第一导电层的上表面接触，在第二ILD层之上形成硬掩模图案，通过使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来对第二ILD层和第一导电层进行图案化，从而形成图案化第二ILD层和第一布线图案，在图案化之后，去除硬掩模图案，并且在图案化第二ILD层和第一布线图案之间形成第三ILD层
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造极紫外光掩模的方法-CN201811083041.6在审
发明人：林云跃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：一种制造极紫外光掩模的方法，包括在掩模基板的第一主表面上方形成钼/硅多层堆叠，上述钼/硅多层堆叠包括交替的钼层及硅层。在上述钼/硅多层堆叠上方形成覆盖层。在上述覆盖层上形成吸收层。在上述吸收层上方形成硬掩模层。图案化上述硬掩模层，以形成硬掩模层图案。上述硬掩模层图案延伸到上述吸收层中，以露出上述覆盖层以及形成掩模图案。在上述掩模图案周围形成边界图案。上述边界图案延伸通过上述钼/硅多层堆叠以露出上述掩模基板以及形成围绕上述掩模图案的沟槽。沿着上述沟槽的侧壁形成钝化层。
硬掩模层堆叠多层掩模图案覆盖层吸收层边界图案极紫外光掩模基板掩模图案延伸钝化层交替的图案化主表面侧壁硅层钼层制造图案延伸

[发明专利]动态随机存取存储器的制作方法-CN201710933813.X有效
发明人：吴姿锦;刘照恩;张景翔;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开一种动态随机存取存储器的制作方法，包含提供一基底，然后，形成一第一掩模层，其中形成第一掩模层的步骤包含先形成一含氢氮化硅层，再形成一氧化硅层覆盖并接触含氢氮化硅层，其中含氢氮化硅层的化学式为SiSub>xNyHz，X的数值介于4至8之间、Y的数值介于3.5至9.5之间、Z的数值等于1，然后图案化第一掩模层以形成一图案化第一掩模层，接着以图案化第一掩模层为掩模，蚀刻基底以形成一字符线沟槽，然后完全移除图案化第一掩模层，最后形成一字符线于字符线沟槽。
动态随机存取存储器制作方法

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