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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法-CN200610154293.4有效
发明人：赖志铭;蔡政达;刘文岳;郭义德 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：于外延层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层裸露部分外延层。接着，进行氧化工艺以使裸露的部分外延层完全氧化成多个错位阻挡结构。移除图案化掩模层。接着，于具有错位阻挡结构的外延层上形成氮化物半导体层。
氮化物半导体及其制造方法

[发明专利]将自组装纳米结构图案化及形成多孔电介质的方法-CN200810128529.6无效
发明人：陈光荣;李伟健;杨海宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：公开了将自组装纳米结构图案化和形成多孔电介质的方法。一方面，该方法包括在下层上提供硬掩模；用光刻胶在该硬掩模上预限定待在图案化过程中进行保护的区域；在该硬掩模及该光刻胶上形成共聚物层；由该共聚物形成自组装纳米结构；以及蚀刻以将该自组装纳米结构图案化。
组装纳米结构图案形成多孔电介质方法

[发明专利]极紫外光刻掩模及其制造方法-CN202110161550.1在审
发明人：郑文豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及EUV光刻掩模及其制造方法。EUV光刻掩模，包括低热膨胀材料的衬底、衬底上方的第一反射多层和第一反射多层上方的图案化反射多层。图案化反射多层包括穿过图案化反射多层的沟槽。第一反射多层和图案化反射多层中的每一层都包括膜对的堆叠。
紫外光刻及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制备方法-CN202211699172.3在审
发明人：潘威祯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该制备方法包括提供一光掩模，该光掩模包括在一掩模基底上的一不透光层，并围绕在该掩模基底上的一半透明层；提供一元件堆叠，该元件堆叠包括在一基底上的一第一介电层、在该第一介电层上的一第一蚀刻终止层，以及在该第一蚀刻终止层上的一第二介电层；形成一预先处理掩模层在该元件堆叠上；使用该光掩模图案化该预先处理掩模层以形成一图案化掩模层，该图案化掩模层包括对应该不透光层的一掩模区、对应该半透明层的一沟槽区，以及对应通孔特征的该掩模开口的一通孔洞
半导体元件制备方法

[发明专利]提高特征尺寸均匀性的刻蚀方法-CN202211601348.7在审
发明人：唐磊;邱宗钰;羊卫;王志远 -专利权人：江苏时代芯存半导体有限公司;北京时代全芯存储技术股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的刻蚀方法包括：半导体组件形成步骤：在半导体衬底上形成第一氮化硅层、相变材料层、氮化钛层、第二氮化硅层和图案化硬掩模层；第二氮化硅刻蚀步骤：利用图案化硬掩模层刻蚀第二氮化硅层，形成图案化第二氮化硅层；硬掩模去除步骤：去除图案化硬掩模层；氮化钛刻蚀步骤：利用图案化第二氮化硅层刻蚀氮化钛层，形成图案化氮化钛层；抽气步骤：通过供气装置向腔体中通入氢气和氩气，并通过抽气装置将腔体中的气体抽出；以及相变材料刻蚀步骤：利用图案化氮化钛层刻蚀相变材料层，形成图案化相变材料层。
提高特征尺寸均匀刻蚀方法

[发明专利]半导体制造方法-CN201310272054.9有效
发明人：王新鹏;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制造方法，涉及自对准双图案化技术领域。该方法包括提供其上依次沉积有界面层、芯膜层和硬掩模层的衬底；对硬掩模层和芯膜层进行图案化以形成中间图案，中间图案的图形间隔根据最终图形间隔来确定；对中间图案中的芯膜进行横向回刻蚀，横向回刻蚀的量根据最终关键尺寸来确定；芯膜的表面外延生长SiGe以填充由横向回刻蚀去掉的芯膜的侧壁空间；去除硬掩模；去除芯膜，从而得到由SiGe形成的间隔物图案掩模；通过干法刻蚀向下传递图案。该方法工艺流程简单，是一种自对准的双图案化方法，能够更好地控制最终线宽尺寸及线间沟槽尺寸的一致性。
半导体制造方法

[发明专利]光限定孔板以及其制备方法-CN201180068568.1有效
发明人： H·许 -专利权人：斯坦福设备有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：在一个实施方案中，制造孔板的方法包括：在基底之上沉积可释放的种子层，在可释放的种子层上施用第一图案化的光刻掩模，所述第一图案化的光刻掩模具有所要求的孔图案的负片图案，在可释放的种子层的暴露部分上电镀第一材料并由第一掩模限定，在第一材料之上施用第二光刻掩模，所述第二光刻掩模具有第一空洞的负片图案，在第一材料的暴露部分上电镀第二材料并由第二掩模限定，除去以上两个掩模，并且蚀刻可释放的种子层，以释放第一材料和第二材料。
限定及其制备方法

[发明专利]在导电层上形成图案化的绝缘层的方法及使用所述方法制造的制品-CN201980090156.4在审
发明人： T·M·温 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：用于在导电层上形成图案化的绝缘层的方法可包括：使用光化学烧蚀，沿着掩模的中心区域的周界切断设置在导电层上的掩模。可移除掩模的中心区域以在掩模中形成开口，由此，围绕掩模中的开口的掩模的剩余区域覆盖导电层的对应的周围区域。可向导电层的中心区域和掩模的剩余区域施加绝缘层。可从导电层移除掩模的剩余区域，以移除设置在掩模的剩余区域上的过量的绝缘层部分，由此，与掩模中的开口对应的绝缘层的剩余部分限定了设置在导电层上的图案化的绝缘层。
导电形成图案绝缘方法使用制造制品

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN200810180071.9有效
发明人：廖国助;蔡善宏;陈素芬;钟明佑 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括：形成一半导体层于一基板上；形成一具有第一厚度以及一第二厚度的图案化光致抗蚀剂层于半导体层上；以图案化光致抗蚀剂层为掩模，图案化半导体层以形成一图案化半导体层；移除第二厚度的图案化光致抗蚀剂层；以第一厚度的图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一第一离子注入工艺于图案化半导体层上；移除第一厚度的图案化光致抗蚀剂层；形成一介电层与一栅极于该图案化半导体层上；以及以栅极作为掩模，进行一第二离子注入工艺于图案化半导体层上。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]使用电子束的图案化方法和配置为执行该方法的曝光系统-CN201410418906.5有效
发明人：郑镛席;李祥熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用电子束的图案化方法和被配置为执行所述方法的曝光系统。所述图案化方法可采用诸如电子束(E‑束)的粒子束以及曝光系统，所述图案化方法可包括：准备限定E‑束的空间分布的曝光布置；基于曝光布置对掩模层执行E‑束曝光工艺；对掩模层执行显影工艺，以形成包括第一图案的掩模图案第一图案可以是单个固体图案，曝光布置可包括与针对与第一图案对应的第一区域限定的多个E‑束条件关联的第一数据。
使用电子束图案方法配置执行曝光系统

[发明专利]在校正光刻掩模中使用掩模制造模型-CN202080072256.7在审
发明人： L·S·梅尔文三世;K·J·胡克 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：光刻过程通过光刻掩模的设计和光刻配置的描述来描述，其可以包括光刻源、收集/照射光学器件、投影光学器件、抗蚀剂和/或后续制造步骤。实际的光刻过程使用从掩模设计制造的光刻掩模，该光刻掩模可以与标称掩模设计不同。掩模制造模型对从掩模设计制造光刻掩模的过程进行建模。通常，这是一种电子束(e‑beam)过程，该过程包括电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用图案化抗蚀剂蚀刻掩模坯。掩模制造模型通常与其他过程模型一起用于估计光刻过程的结果。然后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。
校正光刻掩模中使用制造模型

[发明专利]FINFET器件及其形成方法-CN201711339166.6有效
发明人：李春霆;吴璧雰;卢仁祥;张志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在牺牲栅极堆叠件、第一间隔件和第二间隔件上方形成其中具有开口的图案化掩模层。图案化掩模层沿着第一间隔件的顶面和侧壁延伸。第二间隔件通过图案化掩模层中的开口暴露。使用图案化掩模层、牺牲栅极堆叠件、第一间隔件和第二间隔件作为组合掩模来图案化鳍以在鳍中形成凹槽。在凹槽中外延生长源极/漏极区域。本发明的实施例还涉及FinFET器件及其形成方法。
finfet 器件及其形成方法

[发明专利]制造薄膜晶体管阵列基板的方法-CN201410822308.4有效
发明人：金敏澈;张允琼;朴权植;李昭珩;郑昊暎;柳夏珍;梁晸硕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：所公开的方法包括：形成具有至少一个第一金属层和由铜制成的第二金属层的多层结构；形成第一掩模层，该第一掩模层具有与数据线对应的第一掩模区域和与电极图案对应以与有源层交叠的第二掩模区域；图案化多层结构从而形成由多层结构构成的数据线；图案化第二金属层从而形成由至少一个第一金属层构成的电极图案；形成第二掩模层以暴露出与有源层的沟道区对应的部分电极图案；图案化至少一个第一金属层从而形成由至少一个第一金属层构成的源极和漏极。
制造薄膜晶体管阵列方法

[发明专利]制造包括纵向晶体管的半导体器件的方法-CN200810134235.4无效
发明人：卜喆圭 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种制造包括纵向晶体管的半导体器件的方法，该方法包括：在半导体基板上沉积n层(此处，n是在2至6范围内的整数)掩模薄膜；在所述n层掩模薄膜上形成光阻图案；使用所述光阻图案作为蚀刻掩模蚀刻所述掩模薄膜，直到第m层(此处，m＝n-1)掩模薄膜暴露出来而形成沟槽为止；将绝缘膜填充到所述沟槽中；移除所述绝缘膜周围的掩模薄膜以形成绝缘膜图案；以及使用所述绝缘膜图案作为蚀刻掩模将所述第m层掩模薄膜图案化，直到所述半导体基板暴露出来为止
制造包括纵向晶体管半导体器件方法

[发明专利]图案化的方法与图案化的装置-CN201410717197.0在审
发明人：杨大弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化的方法与图案化的装置，该图案化的方法包括：在材料层上形成图案化的掩模层，图案化的掩模层具有第一开口裸露出部分材料层；进行前处理工艺以对第一开口裸露的材料层改质，而形成改质区；进行刻蚀工艺以移除改质区的材料层
图案方法装置

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