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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710499222.6有效
发明人：张峰溢;李甫哲;陈界得;张翊菁 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：并且，进行侧壁图案转移制作工艺，以在材料层上形成多个第一掩模图案，第一掩模图案平行地沿着第一方向延伸。接着，进行图案分裂制作工艺，移除一部分的第一掩模图案，以形成多个第二开口图案，第二开口图案平行地沿着第二方向延伸，并横跨第一掩模图案。然后，以剩余的第一掩模图案作为掩模进行图案化制作工艺，以在材料层形呈一阵列排列的多个图案。
半导体装置形成方法

[发明专利]金属导线的制作方法-CN200510106787.0无效
发明人：彭康嘉 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：然后形成一图案化掩模层于基板上方并覆盖部分第一金属层，且图案化掩模层暴露出预备形成有至少一金属导线的第一金属层表面。接着利用一电镀工艺形成一第二金属层于第一金属层上方。然后移除图案化掩模层。最后利用第二金属层作掩模进行一蚀刻工艺，以移除部分第一金属层，以形成金属导线。
金属导线制作方法

[发明专利]掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质-CN202211654442.9在审
发明人：林东龙 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请提供一种掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质，涉及半导体技术领域，该方法包括：在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，点接触角对角图形分别与原始掩模图案中的第一图案和第二图案相交；根据点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域；将待裁剪区域从原始掩模图案中剔除以获取目标掩模图案。该技术方案中，通过对原始掩模图案进行裁剪，在不需要额外的空间进行图形外扩的基础上，可以解决原始掩模图案中点接触角对角图形结构违反MRC的问题，同时有效减弱OPC时出现的转角圆化现象，改善对掩模图案的处理效果
图案处理方法装置设备存储介质

[发明专利]像素结构及其制造方法-CN200710187023.8有效
发明人：林汉涂;陈建宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤，首先，执行第一道光掩模工艺，以在基板上形成图案化第一金属层，图案化第一金属层包含栅极。接着，执行第二道光掩模工艺，以在栅极上方形成图案化绝缘层及图案化半导体层，图案化绝缘层位于图案化第一金属层上，图案化半导体层位于图案化绝缘层上。然后，执行第三道光掩模工艺，以定义出薄膜晶体管及与薄膜晶体管耦接的像素电极，并形成保护层覆盖薄膜晶体管。本发明可在工艺上节省许多时间及原物料，大幅降低整体的生产成本并减少供货时间。
像素结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011265548.0在审
发明人：曹新满 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，基底包括存储区域，存储区域包括衬底、导电层、以及位于导电层上的第一掩模层；图案化第一掩模层，形成呈第一阵列排布的多个第一点状图案；回填第一掩模层，形成覆盖第一掩模层的第二掩模层；图案化第二掩模层，形成呈第二阵列排布的多个第二点状图案，在沿垂直于衬底的方向上，一个第二点状图案的投影位于相邻的两个第一点状图案之间；以第一点状图案和第二点状图案共同作为掩模图案刻蚀导电层，形成多个相互独立的导电点状图案本发明能够同时确保存储区域的图案和外围区域的图案的粗糙度满足工艺要求，实现对半导体结构制造良率的提高。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种图案化低熔点合金电极的制备方法及刮涂组件-CN202310190307.1在审
发明人：邓巍巍;赵新彦;刘霖娜;于博洋 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K71/60 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化低熔点合金电极的制备方法及刮涂组件，所述图案化低熔点合金电极的制备方法包括步骤：提供基底和液态的低熔点合金；将具有预设图案的掩模叠设在基底上；在空气环境下，将液态的低熔点合金施加到掩模的一端，利用柔性刮片将液态的低熔点合金从掩模的一端刮涂到另一端，去除掩模后，得到图案化低熔点合金电极；其中，液态的低熔点合金在柔性刮片上的接触角大于100°，液态的低熔点合金在柔性刮片上的接触角大于液态的低熔点合金在掩模上的接触角本发明在空气环境下首次实现利用刮涂法制备低熔点合金电极，并结合掩模实现图案化低熔点合金电极的制备，可控性和重复性强，制备方法简单，操作方便。
一种图案熔点合金电极制备方法组件

[发明专利]在集成电路中形成ANA区域的方法-CN201710858126.6有效
发明人：古拉密·波奇;杰森·伊葛尼·史蒂芬;金炳烨;艾克·麦克·奇尔德二世;布瑞斯·纳拉辛哈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及在集成电路中形成ANA区域的方法，其中，一种方法包括提供一结构，其具有各自设置于介电堆栈上方的第一硬掩模层、中介层、第二硬掩模层及心轴层。用一心轴掩模将由数个心轴组成的阵列图案化于该心轴层中。用第一截切掩模图案化一ANA沟槽于该心轴层中。用第二截切掩模图案化该ANA沟槽于该中介层中。设置一有机平坦化层(OPL)于该结构上方。蚀刻该OPL以只在该ANA沟槽中设置它，使得该OPL的顶面低于该第二硬掩模层。蚀刻该结构以在该介电堆栈的一介电层中形成一图案，从而在该介电层中形成由数条金属线组成的阵列，该图案中由该ANA沟槽形成的一部分在该介电层内形成一ANA区域。
集成电路形成 ana 区域方法

[发明专利]一种微偏振片阵列制作方法、掩模版、基板以及载物台-CN202211448283.7在审
发明人：李星辉;邓富元;陆天石 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微偏振片阵列制作方法、掩模版、基板以及载物台，包括以下步骤：通过载物台将掩模版与被曝光基板位置标记对准；中断曝光光束，对掩模版与基板相对于曝光场进行同步水平旋转，使曝光图案在基板上表面呈预期角度；对掩模版进行曝光，在基板指定区域图案化加工方向指定的光栅图案，中断曝光光束；对基板进行显影操作，得到微偏振片阵列；本发明通过载物台将掩模版与基板位置标记的对准、在基板指定区域图案化加工方向指定的一维光栅图案、结合掩模精准控制激光干涉光刻技术的曝光加工区域，能够解决传统方式加工微偏振片阵列成本高、效率低下的问题，能实现微偏振片的规模化、大批量的加工。
一种偏振阵列制作方法模版以及载物台

[发明专利]相移式光掩模及其制作方法-CN201711306818.6有效
发明人：赖义凯 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种相移式光掩模及其制作方法。该相移式光掩模用于在曝光制作工艺中转移一布局图。相移式光掩模包括一基板与一图案化相移层。图案化相移层设置于基板上并具有至少一元件图案开口与多个虚设图案开口，元件图案开口与虚设图案开口暴露出基板表面，且虚设图案开口环设于元件图案开口的周围。图案化相移层具有一预定厚度，使得曝光制作工艺中通过图案化相移层的曝光光束与通过元件图案开口或者虚设图案开口的曝光光束相位差为180度，并且图案化相移层的光线穿透率为100％。
相移式光掩模及其制作方法

[发明专利]掩模以及利用其使有机发光显示设备的像素图案化的方法-CN202010998547.0在审
发明人：李相信;河东振;姜敏求;权五燮;李尙玟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：公开了一种用于有机发光显示设备的像素图案化和像素位置检查的方法和用于有机发光显示设备的像素图案化掩模，其中该方法包括：使用第一掩模，在衬底上形成与第一像素图案和用于检查第一像素位置的第一像素定位图案对应的第一颜色薄膜层；使第一掩模从与形成第一颜色薄膜层相关联的位置移动确定间距；使经移动的第一掩模相对于衬底对准；以及使用经移动的第一掩模，在衬底上形成与第一像素图案和用于检查第一像素的位置的第一像素定位图案对应的第二颜色薄膜层
以及利用有机发光显示设备像素图案方法

[发明专利]掩模以及利用其使有机发光显示设备的像素图案化的方法-CN202010998644.X在审
发明人：李相信;河东振;姜敏求;权五燮;李尙玟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种用于有机发光显示设备的像素图案化和像素位置检查的方法和用于有机发光显示设备的像素图案化掩模，其中该方法包括：使用第一掩模，在衬底上形成与第一像素图案和用于检查第一像素位置的第一像素定位图案对应的第一颜色薄膜层；使第一掩模从与形成第一颜色薄膜层相关联的位置移动确定间距；使经移动的第一掩模相对于衬底对准；以及使用经移动的第一掩模，在衬底上形成与第一像素图案和用于检查第一像素的位置的第一像素定位图案对应的第二颜色薄膜层
以及利用有机发光显示设备像素图案方法

[发明专利]掩模以及利用其使有机发光显示设备的像素图案化的方法-CN201610219396.8有效
发明人：李相信;河东振;姜敏求;权五燮;李尙玟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：公开了一种用于有机发光显示设备的像素图案化和像素位置检查的方法和用于有机发光显示设备的像素图案化掩模，其中该方法包括：使用第一掩模，在衬底上形成与第一像素图案和用于检查第一像素位置的第一像素定位图案对应的第一颜色薄膜层；使第一掩模从与形成第一颜色薄膜层相关联的位置移动确定间距；使经移动的第一掩模相对于衬底对准；以及使用经移动的第一掩模，在衬底上形成与第一像素图案和用于检查第一像素的位置的第一像素定位图案对应的第二颜色薄膜层
以及利用有机发光显示设备像素图案方法

[发明专利]一种提升掩模曝光效率的掩模晶圆协同优化方法-CN202211269637.1在审
发明人：刘杰;姚文泽;杨雨洁;张思媛;赵浩杰;徐宏成 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是一种提升掩模曝光效率的掩模晶圆协同优化方法，其步骤包括：S1计算光学邻近效应矫正，获取目标掩模图案；S2初始裂解目标掩模图案，初始化掩模矩形曝光基函数组；S3可变电子束光刻正向曝光、显影模拟；S4本发明技术特点是通过计算光学邻近效应矫正，获取目标掩模图案，并初始裂解目标掩模图案，初始化掩模矩形曝光基函数组，这组基函数的线性组合和阈值函数来表示可变电子束曝光镜头，模拟电子束正向曝光、显影后，在确保光刻后的掩模图案精度的前提下
一种提升曝光效率掩模晶圆协同优化方法

[实用新型]掩模板-CN200820060806.X有效
发明人：蒋顺;常曙光;马骏;袁剑峰;王志鹏;荆常营 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2008-10-07 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种掩模板，该掩模板上设置两个或两个以上不同的掩模图形，所述掩模图形选自形成液晶显示面板的阵列基板上的栅极和栅极线、硅岛层、源极和漏极、过孔、像素电极的掩模图形中的任一种或两种；本实用新型还公开了另一种掩模板，该掩模板上设置两个或两个以上不同的掩模图形，该掩模图形形成的图案化层选自栅极和栅极线层、硅岛层、源极和漏极层、钝化层、像素电极层中的任一种或两种。通过将形成阵列基板的图案化层所需要的不同掩模图形布置在一张掩模板上的结构设计，并通过该掩模板形成液晶显示面板的阵列基板的所有图案化层，在不增加工艺的同时，使得在液晶显示装置的阵列基板在开发过程的成本降低
模板

[发明专利]光致抗蚀剂层的重工方法与图案化工艺-CN200710128383.0无效
发明人：何青原;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：之后，在材料层上依序形成保护层、第一硬掩模层与第一图案化光致抗蚀剂层，其中保护层与第一硬掩模层具有不同的蚀刻选择性。接着，移除第一图案化光致抗蚀剂层。然后，移除第一硬掩模层至暴露出保护层。随之，在材料层上依序形成第二硬掩模层与第二图案化光致抗蚀剂层。本发明还公开了一种图案化工艺。
光致抗蚀剂层重工方法图案化工