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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于低k或者超低k级间电介质图案转移的结构和方法-CN200780015761.2有效
发明人： J·J·布克奇戈内诺;G·W·吉布森;M·B·罗思韦尔;R·R·于 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-05-03 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：本发明涉及用于在低k或者超低k(即具有范围从约1.5到约3.5的介电常数)级间电介质(ILD)材料中形成互连图案的改进方法和结构。具体而言，起初使用减少的光刻关键尺度(CD)(即与目标CD相比)来形成厚度增加的图案化的抗蚀剂层，这又允许将包括下方氮化物掩模层和上方氧化物掩模层的简单硬掩模叠层用于后续的图案转移。接着通过使用含氧化学物的第一反应离子蚀刻(RIE)工艺来图案化该硬掩模叠层以形成具有与目标CD基本上相同的恢复CD的硬掩模开口。然后通过使用含氮化学物的第二RIE工艺来图案化ILD材料以形成具有目标CD的互连图案。
用于或者电介质图案转移结构方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202210451008.4在审
发明人：毕诗伟;廖汉文;颜桓佑;陈彦羽;林群智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在栅介电层上形成伪栅电极层；在所述伪栅电极层上方形成图案化的掩模层；以所述图案化的掩模层为掩模，将所述伪栅电极层图案化为多个图案化的伪栅电极，所述图案化的伪栅电极彼此间隔，使得每个图案化的伪栅电极在横截面图中具有顶宽且底窄的轮廓，其中，所述图案化包括以越来越强的横向蚀刻特性蚀刻所述伪栅电极层；在所述图案化的伪栅电极的侧壁上形成栅极间隔件；以及用含金属的栅电极代替所述图案化的伪栅电极
半导体器件制造方法

[发明专利]影像显示方法及用该影像显示方法的液晶显示装置-CN201180053864.4有效
发明人：伊藤　广 -专利权人： EIZO株式会社
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于交替显示2种影像时，使对各影像插黑而导致的余像均匀化。包括：左右影像交替输出部(15)，交替输出2种影像帧；掩模图案存储部(18)，具有在基本区域内比m小的2以上的偶数个掩模像素以不同的排列配置的m种的掩模图案，所述基本区域是对应于液晶面板的像素区域以矩阵状排列4以上的偶数个即m个像素的像素区域；掩模图案选择计数器(17)，依次选择掩模图案；以及掩模合成部(16)，将所选择的掩模图案合成到从交替输出部输出的影像帧，通过m种的掩模图案，掩模图案在所述基本区域内以像素单位配置掩模像素的次数相等
影像显示方法液晶显示装置

[发明专利]线路板及其制作方法-CN201110322604.4有效
发明人：石志学;林永清;林建辰 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H05K3/40 文献下载
摘要：而后，在硫化层上形成图案化掩模层。图案化掩模层暴露出盲孔与部分硫化层。继之，在图案化掩模层所暴露的硫化层与线路层上形成触媒层。随后，移除图案化掩模层以及图案化掩模层下方的硫化层。
线路板及其制作方法

[发明专利]具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储器的制造方法-CN200710181653.4有效
发明人：赖二琨;何家骅;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：高密度等离子体沉积在图案化后的层的堆叠上产生硬式掩模，其大致位于中心处且在此图案化后的层的堆叠的覆盖层上。此高密度等离子体沉积利用较小临界尺寸进行以在此图案化后的层堆叠的覆盖层上产生较小的三角形且位于靠近次覆盖层的中心处。此硬式掩模可以防止硬式掩模基底之下的区域被蚀刻，而此硬式掩模提供自对准技术以蚀刻此图案化后的层堆叠的左右两侧区段，因为此硬式掩模位于中心处且在此图案化后的层堆叠的覆盖层上。
具有对准绝缘体电阻随机存取存储器制造方法

[发明专利]集成电路和形成集成电路的方法-CN201910897145.9有效
发明人：彭泰彦;杨心怡;王辰戎;陈玉树;黃建中;林函廷;谢志宏;丁致远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：一种形成集成电路的方法，包括：形成磁性隧道结(MTJ)堆叠层；在MTJ堆叠层上方沉积导电蚀刻停止层；在导电蚀刻停止层上方沉积导电硬掩模；以及图案化导电硬掩模以形成蚀刻掩模。图案化被导电蚀刻停止层停止。方法还包括：使用蚀刻掩模来蚀刻导电蚀刻停止层以定义图案；以及蚀刻MTJ堆叠层以形成MTJ堆叠。
集成电路形成方法

[发明专利]等离子体蚀刻前处理光刻胶而形成特征的方法和装置-CN201380018755.8无效
发明人：拉滕迪普·斯利瓦斯塔瓦;钟青华;金太元;高里·卡马尔斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种用于将特征经过光刻胶掩模形成到下伏层中的方法。光刻胶掩模具有图案化的掩模特征。光刻胶掩模具有图案化的掩模特征。提供含有H₂和N₂的处理气体。由处理气体产生等离子体，使光刻胶掩模暴露于等离子体。中断处理气体，然后将特征经过经等离子体处理的光刻胶掩模蚀刻到下伏层中。
等离子体蚀刻处理光刻形成特征方法装置

[发明专利]使用均匀旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法-CN202080056884.6在审
发明人： J·帕克;K·巴拉克里希南;J·S·帕帕努 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：在一示例中，一种对具有多个集成电路的半导体晶片进行切割的方法包括：在半导体晶片上方形成掩模，掩模由覆盖并保护集成电路的层构成。接着用均匀旋转激光束激光刻划工艺对掩模进行图案化，以提供具有间隙的图案化的掩模，从而暴露出在集成电路之间的半导体晶片的区域。接着通过图案化的掩模中的间隙对半导体晶片进行等离子体蚀刻，以单分集成电路。
使用均匀旋转光束激光刻划工艺等离子体蚀刻混合式晶片切割方法

[发明专利]利用主动聚焦激光束激光划刻工艺和等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方案-CN202080056989.1在审
发明人： K·巴拉克里希南;J·帕克;S·斯如纳乌卡拉苏;E·S·白 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：在一个示例中，对具有多个集成电路的半导体晶片进行切割的方法涉及在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用主动聚焦激光束激光划刻工艺对掩模进行图案化，以提供具有间隙的图案化的掩模，从而暴露出集成电路之间的半导体晶片的区域。接着，通过图案化的掩模中的间隙对半导体晶片进行等离子体蚀刻，以对集成电路进行切单。
利用主动聚焦激光束激光刻工等离子体蚀刻工艺混合式晶片切割方案

[发明专利]使用旋转光束激光刻划工艺及等离子体蚀刻工艺的混合式晶片切割方法-CN201780019350.4有效
发明人： J·朴;类维生;J·S·帕帕努;B·伊顿;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：在一示例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及：在该半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模，以提供具有间隙的经图案化掩模，暴露该半导体晶片的集成电路之间的区域。接着穿过该经图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻该半导体晶片以将集成电路切单。
使用旋转光束激光刻划工艺等离子体蚀刻混合式晶片切割方法

[发明专利]光刻掩模板-CN201611093543.8有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一图案化铬层，所述图案化铬层覆盖于所述基板的表面；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述图案化铬层远离基板的表面，且所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案与所述图案化铬层的图案相同本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。
光刻模板

[发明专利]在衬底上形成期望的图案的方法-CN201480049625.5在审
发明人： B·霍尔斯特 -专利权人：卑尔根技术交易股份公司
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G03F1/20 文献下载
摘要：本发明涉及在衬底上形成期望的图案的方法，所述方法包括步骤：a)产生原子束或分子束，尤其是He原子束；b)提供具有期望图案，例如在所述衬底上期望的图案的傅里叶变换的掩模；c)引导所述原子束或分子束通过所述图案化的掩模至衬底，据此通过与穿透掩模的部分所述原子束或分子束相互作用，在所述衬底上形成图案，所述图案基于掩模的图案，其中所述图案化的掩模由包含以下步骤的方法制备：d)提供多孔起始掩模材料，所述材料具有允许所述原子束或分子束穿透的尺寸的开口；e)通过填充所述掩模的部分开口从而对所述原子束或分子束变得不透明来在所述掩模上生成期望的图案。
衬底形成期望图案方法

[发明专利]采用电子束工艺定义连接孔的方法-CN201210435742.8在审
发明人：李春龙;贺晓彬;赵超;李俊峰;闫江;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电子束工艺定义半导体器件连接孔的方法，包括：在衬底上形成器件的基本结构，包括需要与连接孔电性连接的下层结构；在基本结构上形成第一硬掩模层；采用电子束曝光工艺，在第一硬掩模层上形成负胶的光刻胶图案，定义出连接区；以光刻胶图案为掩模，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图案；在第一硬掩模图案上形成第二硬掩模层；去除第一硬掩模图案，留下的第二硬掩模层构成第二硬掩模图案，暴露了连接区；以第二硬掩模图案为掩模依照本发明的方法，通过先后两次图案化硬掩模，采用负胶的电子束工艺成功定义出了微纳米级的连接孔图形。提高了效率和安全性。
采用电子束工艺定义连接方法

[发明专利]在普通或全息金属化膜和热印箔上形成图案的系统和方法-CN200380109719.9无效
发明人： W·安纳克尼 -专利权人： T.S.D.有限公司
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： B41J2/00 文献下载
摘要：用本发明的系统和方法可在普通或全息金属化膜或热印箔，包括含有或不含全息图的浮雕基材上形成物品专用图案。喷墨印刷头包含许多喷墨槽和对应的油墨喷嘴，油墨喷嘴接受蚀刻剂或抗蚀刻掩模材料之一，通过各油墨喷嘴将蚀刻剂或抗蚀刻掩模材料喷射到金属化膜或热印箔的金属化表面上。控制器以程控方式逐一对蚀刻剂或抗蚀刻掩模材料的喷射进行数字化控制，在金属化表面上喷墨印刷蚀刻剂或抗蚀刻掩模的独特图案。喷墨印刷的蚀刻剂或后来施加且与没有抗蚀刻掩模的金属化表面接触的蚀刻剂，将金属化表面蚀刻形成物品专用图案。
普通全息金属化热印箔上形成图案系统方法

[发明专利]具有ARC层打开的线宽粗糙度控制-CN200880110045.7有效
发明人：池贞浩;乔纳森·金 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-09-15 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：为了完成前述并根据本发明的目的，提供一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于图案化掩模下的防反射涂覆(ARC)层下。打开该ARC层并将特征穿过该图案化掩模蚀刻入该蚀刻层。该图案化掩模是具有线-间隔图案的光阻(PR)掩模。该ARC打开气体中的COS减少该蚀刻层的该图案化特征的线宽粗糙度(LWR)。
具有 arc 打开粗糙控制

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