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[发明专利]图案形成装置及其制造方法、设计方法以及计算机程序产品-CN202310790218.0在审
发明人：段福·史蒂芬·苏;刘晶晶 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：公开图案形成装置及其制造方法、设计方法以及计算机程序产品。图案形成装置包括图案形成装置基板图案化层。图案化层的第一部分具有第一水平的反射率、吸收率或透射率，图案化层的第二部分具有不同的第二水平的反射率、吸收率或透射率，和图案化层的第三部分具有第三水平的反射率、吸收率或透射率，其中第三水平的反射率、吸收率或透射率在第一和第二水平的反射率、吸收率或透射率之间，并且是亚分辨率辅助特征的一部分。
图案形成装置及其制造方法设计以及计算机程序产品

[发明专利]反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模-CN202310388811.2在审
发明人：樱井敬佑;三村祥平;石井丈士 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种反射型光掩模坯料，制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模。所述反射型光掩模坯料包括：衬底，在衬底上形成且反射曝光光(即极紫外范围内的光)的多层反射膜，在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜，在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜，以及硬掩模膜，其形成于所述吸光膜上并与所述吸光膜接触，且在通过干刻蚀图案化所述吸光膜中充当硬掩模膜。所述硬掩模膜由多层构成，该多层包括第一层和第二层，所述第一层设置在离衬底最远的一侧，并由含硅且不含铬的材料组成，且第二层由含铬且不含硅的材料组成。
反射型光掩模坯料制造方法

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202280014185.4在审
发明人：合田步美;中野秀亮;市川显二郎;山形悠斗 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供微小图案相对于检查光的对比度高、并且能够将EUV曝光中的投影效应抑制到最小限度的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备基板(11)、反射部(17)、以及低反射部(18)，低反射部(18)是具备吸收层(14)和最表层(15)的至少2层以上的层叠结构体，吸收层(14)相对于波长13.5nm的消光系数k为k＞0.041，当将吸收层(14)的膜厚设为da、最表层(15)的膜厚设为dc时，低反射部(18)的膜厚是满足0.5×da+dc≤21.5nm的膜厚、或者满足0.5×da+dc≥27.5nm的膜厚。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202280014195.8在审
发明人：五来亮平;合田步美 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供抑制投影效应的影响、并且具备高转印性能的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上并反射入射光的反射部(17)、以及形成在反射部(17)上并吸收入射光的低反射部(18)，低反射部(18)是具备吸收层(14)和相移层(15)的至少2层以上的层叠结构体，在反射部(17)上依次层叠吸收层(14)和相移层(15)，构成吸收层(14)的材料相对于波长13.5nm的光学常数满足消光系数k＞0.04，构成相移层(15)的材料相对于波长13.5nm的光学常数满足折射率n＜0.94、并且满足消光系数k＜0.02。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]极紫外线用光掩模-CN202310275951.9在审
发明人：金星润;金太永;李乾坤;郑珉交;孙晟熏;申仁均 -专利权人： SK恩普士有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种极紫外线用空白掩模和极紫外线用光掩模，其中，包括：导电层；基板，形成于所述导电层上；多重层，通过在所述基板上交替层叠不同种类的金属来形成；保护层，形成于所述多重层上；低反射部，形成于所述保护层上的一部分；以及高反射部，形成于所述保护层上的另一部分，其中，所述低反射部包括：第一吸收层，形成于所述保护层上的一部分；低反射层，形成于所述第一吸收层上；以及第一阴刻部，所述保护层经由所述第一印刻部露出，其中，所述高反射部包括：第二吸收层，形成于所述保护层上的另一部分；高反射层，形成于所述第二吸收层上；以及第二阴刻部，所述保护层经由所述第二印刻部露出。
紫外线用光

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180089131.X在审
发明人：山形悠斗;合田步美;中野秀亮;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光作为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应、并且封盖层与低反射部的层间密合性高的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(5)以及低反射部(4)，反射部(5)具备多层反射膜(2)和封盖层(3)，封盖层(3)含有Ru，低反射部(4)含有40at％以上的选自Ag、Co、In、Pt、Sn、Ni、Te、及它们的化合物中的材料，低反射部(4)的从封盖层(3)侧起厚度2nm的区域中含有25at％以上的属于第1材料组的材料，或者含有30at％以上的属于第2材料组的材料，低反射部(4)的合计膜厚为45nm以下。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202210925852.6在审
发明人：王圣闵;赖昱泽;谢艮轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，包括电路图案和设置在电路图案周围并连接到电路图案的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202210925585.2在审
发明人：苏伟硕;赖昱泽;王圣闵;谢艮轩;郑介任;张雅惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN201880042350.0有效
发明人：福上典仁;古沟透 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、在基板(1)上形成的反射层(2)、和在反射层(2)上形成的光吸收层(4)。光吸收层(4)包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。由此，抑制或减轻以远紫外为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应，提高对半导体基板的转印性能，同时提高光吸收层的耐清洗性。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]图案形成装置及其制造方法和图案形成装置的设计方法-CN201880014080.2有效
发明人：段福·史蒂芬·苏;刘晶晶 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：一种图案形成装置(100)，包括：在图案形成装置基板(102)上的吸收体层(106)；和在图案形成装置基板上的反射层或透射层(104)，其中吸收体层和反射层或透射层一起限定具有主要特征(112)和与主要特征配对的衰减式亚分辨率辅助特征(110)的图案布局，其中：所述主要特征被配置成在将所述器件图案转印到衬底上的图案形成材料的层时，在所述图案形成材料的层中产生所述主要特征，和在将图案转印到图案形成材料的层时，衰减式亚分辨率辅助特征被配置成避免在图案形成材料的层中生成特征，并且产生与主要特征不同的辐射强度。
图案形成装置及其制造方法设计

[发明专利]EUV光掩模的制作方法-CN202211481930.4在审
发明人：谢玮哲;朱家庆;陈亚伦;苏煜中;王子奕;郑雅如;连大成;李信昌;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。
euv 光掩模制作方法

[发明专利]用于减少极紫外图案掩模上的可印缺陷的系统及方法-CN202080070814.6有效
发明人：杨晓春;V·托拉尼;张峣 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-10-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测；基于第一特性及第二特性产生成本函数，所述第一特性包括由掩模图案暴露的缺陷区域的面积，所述第二特性包括设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。
用于减少紫外图案掩模上缺陷系统方法

[发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202310251679.0在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射出的光线可界定出同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案，以通过组合投影图案在晶圆上实现一次性曝光。本发明可有效提高光刻机的分辨率和对比度，并简化光刻工艺。
曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻

[发明专利]微影方法-CN202111563239.6在审
发明人：陈啓仲 -专利权人：陈啓仲
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明公开一种微影方法，其包含有使用一透明光罩保持容器收纳一包含一电路图案的光罩，将上述透明光罩保持容器移入一微影设备中，令上述微影设备产生一特定波长的辐射光束穿入上述透明光罩保持容器投射于上述光罩的电路图案上，以及使通过上述光罩的辐射光束穿出上述透明光罩保持容器将电路图案投影转印至一晶圆的表面，而完成光罩的电路图案转印至晶圆表面的微影制程，以此，让光罩能在被保护于透明光罩保持容器内部时进行微影制程，而提高对光罩的保护，以降低微影制程中因提取光罩所造成的意外污染。
方法

[发明专利]反射型掩模坯料和反射型掩模-CN202211432845.9在审
发明人：生越大河;高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。所述反射型掩模坯料，包括基板、在所述基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜。所述多层反射膜具有在其中交替层叠低折射率层和高折射率层的周期性层叠结构部，并且所述低折射率层中的至少一个具有两层结构，所述两层结构由含有钼和至少一种选自由氮、碳、硼、硅和氢构成的组的添加元素的一层和含有钼并基本上不含除钼之外的其它元素的另一层组成。
反射型掩模坯料

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