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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]匹配工具的系统及方法-CN202310705542.8在审
发明人：黄实权;王圣闵;张世明;谢艮轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开涉及匹配工具的系统及方法。在一种匹配工具的方法中，判断至少两个曝光机工具的至少两个光学系统的多个像差映图。借由使用至少两个曝光机工具中的每一者的光学系统将第一布局图案分别投影至基板，以产生光阻图案。基于所判断的至少两个光学系统的像差映图，调整上述至少两个光学系统的至少一个泽尼克系数，以最小化每个各自的基板上的光阻图案的第一区中的关键尺寸变异。
匹配工具系统方法

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202210925852.6在审
发明人：王圣闵;赖昱泽;谢艮轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，包括电路图案和设置在电路图案周围并连接到电路图案的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202210925585.2在审
发明人：苏伟硕;赖昱泽;王圣闵;谢艮轩;郑介任;张雅惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。亚分辨率辅助图案的尺寸在从10nm到50nm的范围内。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201910569880.7有效
发明人：刘如淦;赖志明;林纬良;严永松;谢艮轩;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法。在一种形成在半导体衬底上方的下层中沿第一轴延伸的凹槽图案的方法中，在下层中形成第一开口，并且第一开口通过定向刻蚀沿第一轴延伸以形成凹槽图案。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710465608.5有效
发明人：曾晋沅;林纬良;陈欣志;朱熙甯;谢艮轩;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
半导体装置形成方法

[发明专利]使用非垂直工艺方案来减小布局尺寸的系统和方法-CN202210243980.2在审
发明人：沈育佃;谢艮轩;张世明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开总体涉及使用非垂直工艺方案来减小布局尺寸的系统和方法。半导体处理系统包括布局数据库，该布局数据库存储指示要形成在晶圆中的特征的多个布局。半导体处理系统包括布局分析器，该布局分析器分析布局，并且针对每个布局确定非垂直粒子轰击工艺是否应当与光刻工艺结合使用以在晶圆中形成布局的特征。
使用垂直工艺方案减小布局尺寸系统方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210145452.3在审
发明人：彭士玮;曾健庭;谢艮轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括沿着第一方向延伸的第一栅极结构与第二栅极结构、沿着垂直第一方向的第二方向延伸的第一基层金属互连(M0)图案与第二M0图案、位于第一栅极结构与第二栅极结构之间且沿着第一方向延伸的第三M0图案、位于第一M0图案与第二M0图案之间且沿着第二方向延伸的第四M0图案与第五M0图案。第三M0图案的第一端与第二端分别连接第一M0图案与第二M0图案。在第一方向上的第四M0图案与第一M0图案之间的距离等于最小M0图案间距，且第四M0图案与第二M0图案之间的距离等于最小M0图案间距。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]使用光罩的图案形成方法、光罩及其制造方法-CN201910566208.2有效
发明人：刘如淦;林进祥;黄正儀;赖志明;赖建文;谢艮轩;张世明;侯元德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：一种使用光罩的图案形成方法、光罩及其制造方法。用于制造半导体元件的光罩包含沿第一方向延伸的第一图案、沿第一方向延伸且对齐第一图案的第二图案、以及沿第一方向延伸的次解析度图案。次解析度图案设置于第一图案的端部与第二图案的端部之间。第一图案的宽度与第二图案的宽度彼此相等，并且第一图案与第二图案用于半导体元件内的各别电路元件。
使用图案形成方法及其制造

[发明专利]用于选择光刻工艺的方法和半导体处理系统-CN202210470277.5在审
发明人：张世明;谢艮轩;沈育佃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种半导体处理系统包括第一光刻系统和第二光刻系统。半导体处理系统包括布局数据库，其存储表示要在晶圆中形成的特征的多个布局。半导体处理系统包括布局分析器，其分析布局并基于布局中特征的尺寸选择第一光刻系统或第二光刻系统。
用于选择光刻工艺方法半导体处理系统

[发明专利]光刻工艺监测方法-CN201910325048.2有效
发明人：李志杰;黄世钧;张世明;谢艮轩;严永松;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明的实施例还涉及光刻工艺监测方法。
光刻工艺监测方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN202210033688.8在审
发明人：王圣闵;谢艮轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法，其包含产生具有主图案集的原始布局；在微影系统的光瞳面上模拟原始布局的第一能量分布，其中第一能量分布具有第一波前；通过在原始布局的未由主图案集占据的区域中插入虚设图案集来产生第一经修改布局；在微影系统的光瞳面上模拟第一经修改布局的第二能量分布；判定经模拟第二能量分布的第二波前是否比第一能量分布的第一波前更均匀；以及因应于经模拟第二能量分布的第二波前被判定为比第一能量分布的第一波前更均匀，使用具有第一经修改布局的第一光罩执行第一微影制程。
形成半导体装置方法

[发明专利]光学邻近修正和光掩模-CN201811334345.5有效
发明人：郑东祐;谢艮轩;张世明;李志杰;周硕彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。
光学邻近修正光掩模

[发明专利]目标最佳化方法-CN201710982998.3有效
发明人：张世明;谢艮轩;周硕彦;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种目标最佳化方法，包括接收一集成电路设计布局的一目标图案，其中目标图案具有一对应的目标轮廓；修改该目标图案，其中该修改后的目标图案具有一对应的修改目标轮廓；以及当该修改后的目标图案达到一限制层对该目标图案所定义的功能性时，产生一最佳化的目标图案。该最佳化方法还可包括，根据该限制层定义出一成本函数，该成本函数根据该目标图案的轮廓与该限制层之间的空间关系来定义。
目标最佳方法

[发明专利]极紫外线微影装置及其使用方法-CN202011081893.9在审
发明人： 谢艮轩;张世明;骆文;苏伟硕;林华泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本揭露提供一种极紫外线微影装置及其使用方法。在范例中，一种极紫外线微影装置包含极紫外线光源和照明器。配置的极紫外线光源产生极紫外线光束以图案化基材上的光阻层。配置的照明器引导极紫外线光束至光罩表面上。在范例中，照明器包含场分面镜和光瞳分面镜。场分面镜包含第一组刻面的配置以分裂极紫外线光束成数个光通道。光瞳分面镜包含第二组刻面的配置以引导数个光通道至光罩表面上。第二组刻面在光瞳分面镜边缘处的分布密度高于在光瞳分面镜中心处。
紫外线装置及其使用方法

[发明专利]用于半导体制造的混合双重图案化方法-CN201711275062.3有效
发明人： 谢艮轩;郑文立;郑东祐;赖志明;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用第一光刻技术和不同的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法，该方法包括提供具有IC图案的IC的布局；并且从该布局导出图案。该图案具有顶点和连接一些顶点的棱边。该顶点代表IC图案。将棱边分成至少两种类型，第一类型连接将分别用第一光刻技术和第二光刻技术图案化的两个顶点，第二类型连接将在相同的工艺中使用第一光刻技术图案化，或者将分别用第一和第二光刻技术图案化的两个顶点。该方法还包括将顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上分别使用第一和第二光刻技术图案化对应于第一和第二子集的IC图案。本发明实施例涉及用于半导体制造的混合双重图案化方法。
用于半导体制造混合双重图案方法

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