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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种光处理设备-CN202120295153.9有效
发明人：卢双豪;尹涛;张金权;康远浩;汪海波 -专利权人：北京梦之墨科技有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光处理设备，涉及光图案化控制技术领域。该光处理设备，包括：基座、固定在基座上的光源、托盘、以及介于光源与托盘之间的数字化掩模板；其中，托盘上用以放置待处理的基材；数字化掩模板用以根据电子图形显示相应的遮光图案，使光源射出的光线穿透数字化掩模板对托盘上的基材进行与遮光图案相反的光处理本实用新型中的光处理设备通过数字化掩模板根据用户需求显示与电子图形相应的遮光图案，以此满足数字化掩模板的平面上各个区域的遮/光，实现用户所需的图案化的光线。该实施例中由于数字化掩模板的数控优势，因此没有制版需求，即可满足用户多样化的光图案化需求，提升了处理效率，降低了设备要求，节约了制作成本。
一种处理设备

[发明专利]制造三维半导体器件的方法-CN201810445608.3有效
发明人：权容贤;张大铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种制造三维半导体器件的方法，所述方法包括：在包括图案区和与图案区相邻的缓冲区的下层上堆叠第一硬掩模层和第二硬掩模层，第一硬掩模层和第二硬掩模层分别用于形成第一硬掩模图案和第二硬掩模图案；图案化所述第二硬掩模层以形成所述第二硬掩模图案，所述第二硬掩模图案包括所述图案区上的多个第一掩模孔和所述缓冲区上的至少一个凹部，所述多个第一掩模孔暴露所述第一硬掩模层；以及使用所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一硬掩模层，以形成所述第一硬掩模图案
制造三维半导体器件方法

[发明专利]光掩模版及其制作方法、图形化的方法-CN200710094458.8无效
发明人：肖德元;隋建国;刘永 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种光掩模版制作方法，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。本发明还提供一种光掩模版和图形化的方法。本发明将掩模版半导体器件图案和掩模版对准标记图案做在同一光掩模版上，在晶圆半导体器件区域将光掩模版上掩模版半导体器件图案与之对准并曝光，在晶圆对准标记区域将光掩模版上的掩模版对准标记图案与之对准并曝光。简化了光刻步骤，节省了工艺时间及光掩模版材料。
模版及其制作方法图形方法

[发明专利]用于测量晶片上的图案布置误差的方法和系统-CN201810353449.4在审
发明人：金庆燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：一种用于测量晶片上的图案布置误差(PPE)的方法包括接收光掩模图案。一个或多个单位单元图案被添加到光掩模图案。每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案。光掩模由其上添加有一个或多个单位单元图案的光掩模图案制造。使用所制造的光掩模对晶片进行图案化。获取图案化晶片的显微镜图像。测量至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案之间的位移作为图案布置误差。
设计图案图案布置光掩模图案测量晶片单元图案多个单位光掩模图案化晶片显微镜图像单位单元掩模图案参考接收光图案化晶片制造测量检查图案

[发明专利]图案化方法-CN202010504341.8有效
发明人：张峰溢;李甫哲 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化方法，其中该图案化方法包括下列步骤。在材料层上形成掩模层。以第一光刻制作工艺于掩模层中形成第一开孔。在第一开孔中形成第一掩模图案。以第二光刻制作工艺于掩模层中形成第二开孔。在形成第一间隙壁之后，在第二开孔中形成第二掩模图案。第一间隙壁于第二开孔中围绕第二掩模图案。移除掩模层以及第一间隙壁。以蚀刻制作工艺将第一掩模图案以及第二掩模图案的图形转移至材料层。
图案方法

[发明专利]形成图案化焊料掩模层的方法、制造印刷电路板和/或电气部件的方法和物品-CN202010153095.6在审
发明人：马尔科·普达斯 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及形成图案化焊料掩模层的方法、制造印刷电路板和/或电气部件的方法和物品。提供了在基底上形成图案化焊料掩模(10)的方法，在所述方法中，通过在气相中化学沉积的过程沉积掩模。还提供了用于制造印刷电路板和/或电子部件的方法，包括形成所述图案化焊料掩模。
形成图案焊料掩模层方法制造印刷电路板电气部件物品

[发明专利]紫外线固化掩模板及其制作方法、以及显示装置-CN202210865859.3在审
发明人：王洋清;杨雪鑫;张千;岳彬;童俊海;庄珍珍;李福顺;周晖;黄骏;陈芸;陈廷位;胡璋;李利杰 -专利权人：福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种紫外线固化掩模板及其制作方法、以及显示装置。在一具体实施方式中，紫外线固化掩模板，包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上用于遮光的掩模层，其中，掩模层包括多个镂空图案，镂空图案具有波浪形边缘。该实施方式提供一种掩模层中镂空图案边缘不平滑的紫外线固化掩模板，该掩模板能够利用现有紫外线固化掩模板制作，而不必采购额外的图案化掩模板进行图案化，从而能够以更低的成本实现对显示装置的封框胶进行紫外线固化功能
紫外线固化模板及其制作方法以及显示装置

[发明专利]双掩模自对准双图案化技术(SaDPT)工艺-CN200980104994.9有效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;李路明;安德鲁·R·罗马诺 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种通过在无机掩模层上方形成有机掩模层、在该有机掩模层上方形成含硅掩模层、在该含硅掩模层上方形成图案化掩模层、通过该图案化掩模蚀刻该含硅掩模层、在该被蚀刻含硅掩模层上方沉积聚合物、在该聚合物上方沉积含硅薄膜、平坦化该含硅薄膜、有选择地去除该聚合物留下该含硅薄膜、蚀刻该有机层以及蚀刻该无机层在蚀刻层中提供特征的方法。
双掩模对准图案技术 sadpt 工艺

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201210391190.5在审
发明人：蔡政勋;李忠儒;姚欣洁;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：工件包括第一部分、第二部分以及设置在第一部分和第二部分之间的硬掩模。图案化材料层，并在图案化材料层的侧壁上形成第一间隔件。去除图案化材料层，并将第一间隔件用作蚀刻掩模来工件的图案化第二部分。去除第一间隔件，并在工件的图案化第二部分的侧壁上形成第二间隔件。去除工件的图案化第二部分，并将第二间隔件用作蚀刻掩模来图案化工件的硬掩模。将硬掩模用作蚀刻掩模来图案化工件的第一部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]用于产生掩模图案的方法-CN202180071036.7在审
发明人：文载寅 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本文中描述一种用于产生用于图案化过程的掩模图案的方法。所述方法包括：获得(i)目标图案内的目标特征子集(例如，过近的特征)，所述目标特征子集具有低于阈值的物理特性值，和(ii)与所述目标图案相关联的初始掩模图案(例如，使用现有OPC过程)；以及基于掩模制造约束和所述图案化过程的性能指标，修改所述初始掩模图案的与所述目标特征子集相对应的一个或更多个特征以产生所述掩模图案，所述修改包括将曲率应用至所述初始掩模图案的所述一个或更多个特征的一部分。
用于产生图案方法

[发明专利]修复光掩模图案缺陷的方法-CN200710140946.8无效
发明人：李相二 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种修复光掩模图案缺陷的方法，其包括：图案化透明衬底上的目标层，因此形成第一图案；通过检查第一图案来探测包括有缺陷的图案的有缺陷的管芯；在透明衬底上形成掩模层，通过在掩模层上进行曝光工艺和显影工艺形成选择性地暴露有缺陷的管芯的掩模图案；使用掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻暴露有缺陷的管芯的目标层以暴露透明衬底，在透明衬底的暴露的有缺陷的管芯上沉积目标层，并图案化沉积的目标层，因此在有缺陷的管芯上形成第二图案。
修复光掩模图案缺陷方法

[发明专利]使用UV-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆分割-CN201380021247.5有效
发明人： W-S·类;M·K·乔杜里;T·伊根;B·伊顿;M·R·亚拉曼希里;A·库玛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：在实例中，本发明的方法包括以下步骤：形成掩模于半导体晶圆上。半导体晶圆利用UV‑可硬化黏着膜耦接至承载基板。掩模覆盖及保护集成电路。以激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路之间的半导体晶圆区域。接着经由图案化掩模的间隙蚀刻半导体晶圆，以形成单粒化集成电路。接着以紫外(UV)光照射UV‑可硬化黏着膜。接着自承载基板取下单粒化集成电路。
半导体晶圆可硬化黏着集成电路等离子体蚀刻图案化掩模激光蚀刻承载基板工艺图案激光划线晶圆切割掩模覆盖单粒化光照射化掩模图案化自承载基板晶圆粒化掩模耦接分割

[发明专利]使用半双向图案化和岛形成半导体器件的方法-CN201710996899.0有效
发明人：荻野敦史 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用半双向图案化和岛形成半导体器件的方法。提供了使用半双向图案化制造集成电路器件的器件和方法。一种方法例如包括：获得具有电介质层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第三硬掩模层和光刻叠层的中间半导体器件；图案化第一组线；在第一组线之间图案化第二组线；蚀刻以限定第一和第二组线的组合；沉积第二光刻叠层；图案化岛的组；蚀刻以限定该组的岛，留下OPL；在OPL上沉积间隔物；蚀刻间隔物，留下垂直间隔物的组；以及使用第三硬掩模层和该组的垂直间隔物作为掩模蚀刻第二硬掩模层。
使用双向图案形成半导体器件方法

[发明专利]修复光掩模的方法-CN201611017298.2在审
发明人：蔡尚纶;李岳勋;朱远志;秦圣基 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本公开提供一种修复光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一图案化特征部件。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。辨识光掩模上的一缺陷区。形成一修复特征部件于光掩模上的缺陷区上方。形成修复特征部件包括形成一第一图案化材料层于缺陷区上方以及形成一第二图案化材料层于第一图案化材料层上方，以形成修复特征部件。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。
修复光掩模方法

[发明专利]立体光掩模及其制造方法以及立体表面图案化制作方法-CN201210158514.0无效
发明人：许馨卉;张胜杰;黄宝毅 -专利权人：启碁科技股份有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种立体光掩模、此立体光掩模的制造方法以及使用此立体光掩模的立体表面图案化制作方法。立体光掩模供对物件曝光时使用。其中，物件具有立体曝光面。立体光掩模包含立体图案面以及图案单元。立体图案面具有固定以立体曝光面互补的立体形状，并可与立体曝光面相嵌合。图案单元形成于立体图案面。立体表面图案化制作工艺方法包含：提供具有立体曝光面的物件，立体曝光面覆盖有光致抗蚀剂层；提供上述立体光掩模；将立体光掩模设置于光致抗蚀剂层上，且使立体图案面与立体曝光面相嵌合；以及使用立体光掩模，对光致抗蚀剂层进行曝光
立体光掩模及其制造方法以及表面图案制作方法

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