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[发明专利]晶圆去胶设备和方法-CN202211299044.X在审
发明人：戴建波;孙文彬;杜马峰 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆去胶设备和方法，涉及半导体技术领域。晶圆去胶设备包括去胶腔体和过滤结构，去胶腔体包括从上至下依次连通的电离腔体、承载腔体和排气腔体，电离腔体用于将输入的气体电离、产生等离子体，对承载腔体中的晶圆去胶，排气腔体的底部开设有抽气孔，以抽走去胶腔体内的气体和颗粒，排气腔体的侧壁上开设有进气孔，实现对去胶腔体破真空；过滤结构安装在去胶腔体内、且位于晶圆与进气孔之间，过滤结构上的过滤孔靠近晶圆的开口大于靠近进气孔的开口，在去胶腔体破真空的过程中，位于过滤孔远离晶圆一侧的颗粒不容易进入到过滤孔的小口
晶圆去胶设备方法

[实用新型]多功能手持式超声振动去胶装置-CN201921044298.0有效
发明人：尹龙;郭星晨;赵波;向道辉;高国富;焦锋;赵重阳;王晓博;崔峰 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B08B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能手持式超声振动去胶装置，包括外壳、换能器、超声变幅杆、超声发生器和工具头，所述换能器和超声变幅杆设置在所述外壳内，所述换能器通过连接线与所述超声发生器连接，所述超声变幅杆的外端设置有所述工具头；在去胶时根据不同基体调整超声波电源的功率，以改变刀具振动的幅值，使去胶的同时不会刮伤产品表面造成损失，并且在去胶过程中，根据所去胶液的位置选择去胶的工具头以及调整去胶时的角度，提高去胶效率。本实用新型工具头的结构尺寸满足“四分之一波长”设计要求或“半波长”设计要求，不仅可以去除缝隙中的胶液，还可以去除平面上的胶液，去胶方便快捷，可去除多种类、不同位置的胶液。
多功能手持超声振动装置

[发明专利]一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用-CN202011486530.3在审
发明人：梁豹;方磊;杜冰;刘文永;邱柱;刘伟;张茂;张兵;赵建龙;向文胜;朱坤;陆兰 -专利权人：江苏艾森半导体材料股份有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶去胶液及其制备方法和应用，所述光刻胶去胶液以重量份数计包括氢氧化季铵0.5‑10份、有机溶剂65‑85份、有机醇胺1‑20份、有机醇0.1‑5份、金属保护剂0.01‑5份和阻蚀剂0.1本发明提供的光刻胶去胶液去胶速度快、去胶能力强，在较低温度都能保持去胶性能，而且降低了对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材的腐蚀，延长了工作时间，水溶性好，容易清洗。
一种光刻胶去胶液及其制备方法应用

[发明专利]光刻胶剥离方法-CN201911162955.6在审
发明人：孟祥国;陆连 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶剥离方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成消耗层，消耗层的厚度满足后续去胶工艺中由去胶过处理对光刻胶底部的影响都位于消耗层中；步骤二、在消耗层表面涂布光刻胶；步骤三、对光刻胶进行曝光显影；步骤四、以光刻胶的图形结构为掩膜完全器件工艺；步骤五、进行去胶工艺，去胶工艺包括去胶过处理，去胶过处理对光刻胶底部的影响完全位于消耗层中，以消除所述去胶过处理对所述半导体衬底产生不利影响；步骤六、去除所述消耗层本发明能消除去胶过处理对半导体衬底产生不利影响，提高器件工艺的均一性，在离子注入工艺中，能提高晶圆面内有源区膜质的均一性。
光刻剥离方法

[发明专利]微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法-CN201210159883.1有效
发明人：章安娜;李晓明;贺亦峰;许凌燕 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；对所述光刻胶进行湿法去胶本发明首先在Pin up对光刻胶表面进行预处理，然后进行湿法去胶。由于Pin up状态反应相对不剧烈，因此不至于造成聚酰亚胺被一同去除。另外进行过预处理后，在湿法去胶工序中光刻胶就很容易被去掉，因此去胶会很干净，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜生长提供良好的条件，保障了产品的性能，并降低了去胶的返工率，提升了产能。且不再需要频繁对去胶液进行换液，提高了正性去胶液的利用率。
微电机系统制造工艺聚酰亚胺刻蚀去除光刻方法

[实用新型]一种芯片清洗设备循环过滤装置-CN202220651121.2有效
发明人：潘超;杨辉;徐东;倪瑞 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B08B3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片清洗设备循环过滤装置，包括设置在芯片清洗设备机台内的去胶清洗槽、通过管道一和管道二与去胶清洗槽连通的密封过滤罐，密封过滤罐内设有过滤网；所述管道一连通去胶清洗槽底部和密封过滤罐顶部，所述管道二连通密封过滤罐底部和去胶清洗槽顶部；管道二上设有循环泵。循环泵工作，使去胶清洗槽中的清洗液通过底部的管道一流入密封过滤罐，经过滤网过滤杂质后，清洗液在通过管道二流入去胶清洗槽中，继续对晶片进行清洗。由此实现对去胶清洗槽内清洗液杂质的过滤，提升清洗液的寿命、提升去胶能力。颗粒物杂质堆积在密封过滤罐中，避免排液管堵塞提升设备稼动率。
一种芯片清洗设备循环过滤装置

[发明专利]去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺-CN201911136237.1有效
发明人：王骏杰;荆泉;李宇杰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种去胶设备，包括：腔体，位于所述腔体底部的顶针，以及位于所述腔体侧壁的光谱监控仪；所述顶针用于对晶圆进行升降作用，所述光谱监控仪用于监测所述顶针是否到达正确位置；本发明还提供了一种顶针监控方法，用于监测去胶工艺平台的顶针位置是否异常，包括：光谱监控仪接受晶圆表面的光谱信号；判断光谱信号是否异常；本发明还提供了一种去胶工艺，包括：判断所述顶针位置是否异常；如果没有异常，开始去胶。在本发明提供的去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺中，通过对晶圆表面光谱信号的监测来判断顶针的位置是否在合适的位置，使得去胶结果速率正常。
设备顶针监控方法工艺

[实用新型]一种多通风卷烟卷接下胶辊-CN201520876708.3有效
发明人：王诗太;金勇;李克;谭海风;范红梅;喻赛波;陈潜;刘琦 -专利权人：湖南中烟工业有限责任公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： A24C5/24 文献下载
摘要：一种多通风卷烟卷接下胶辊，包括与上胶辊接触的辊筒，所述上胶辊与胶槽内的胶接触，所述辊筒在圆周表面以辊筒轴线的中心线为对称轴对称设有两个去胶区，所述去胶区在圆周表面沿轴向设有多条去胶带，每条去胶带由多个沿辊筒圆周方向均匀布设的去胶块构成，相邻去胶块之间设有间隔，所述去胶块包括设置在辊筒表面的环形凹槽和在环形凹槽中部的凸起，所述凸起与环形凹槽通过斜面连接，本装置能提高卷烟开式吸阻，减少抽空感觉，并且稳定卷烟通风率，改善卷烟感官质量，可行性极高
一种通风烟卷接下

[实用新型]太阳能板的去胶装置-CN201921964220.0有效
发明人：赵铭航;赵伟良 -专利权人：浙江晶茂科技股份有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能板的去胶装置，包括固定台，固定台内设置有通槽，所述通槽的四角分别设置有橡胶轮；所述通槽的下底面上设置有若干组导热去胶刀，所述导热去胶刀包括前切刀和后切刀，所述前切刀包括至少一个贴合面本实用新型具有以下优点和效果：通过在通槽的四角设置橡胶轮，能够将太阳能板的两侧暴露给导热去胶刀，从而实现对太阳能板两侧的有效去胶缺不易产生磨损。同时将导热去胶刀分为前切刀和后切刀，能够对胶体进行充分热熔且去胶。
太阳能装置

[实用新型]一种用于晶圆真空去胶的立式半自动去胶腔结构-CN202320393754.2有效
发明人：李志强;赵义党;廖文晗 -专利权人：珠海恒格微电子装备有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种用于晶圆真空去胶的立式半自动去胶腔结构，用于晶圆的去胶或掩膜去除，包括底座箱和功率源工作箱，功率源工作箱立式承托的安装于底座箱的顶端；功率源工作箱与底座箱之间安装有主体部分设置于底座箱中、且外部敞口用于晶圆进出的等离子真空去胶腔；等离子真空去胶腔的敞口处还设置有安装于底座箱中、对敞口处进行封闭密封的门板升降机构；该用于晶圆去胶的去胶腔结构采用立式布局，具有结构紧凑、占用空间小，便于晶圆的进出料控制
一种用于真空立式半自动去胶腔结构

[发明专利]一种涂布机喷嘴清洁装置-CN201310719683.1在审
发明人：张岳妍 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： B05B15/02 文献下载
摘要：所述涂布机喷嘴清洁装置包括清洁器、去胶溶剂供应装置、排液装置，所述清洁器具有与喷嘴匹配的凹槽，所述凹槽的侧壁上设置有去胶溶剂供应孔，所述去胶溶剂供应装置与所述去胶溶剂供应孔连接以供应去胶溶剂至所述凹槽内通过去胶溶剂溶解残留在喷嘴上的光刻胶，并经排液孔将其排出，顺畅地清除残留在喷嘴上的光刻胶。
一种涂布机喷嘴清洁装置

[发明专利]硅片去胶方法、装置及使用显影机台进行硅片去胶的方法-CN200910242486.9有效
发明人：董立武;宋亚坤 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片去胶方法、装置及使用显影机台进行硅片去胶的方法，涉及半导体芯片制造技术，该硅片去胶方法包括：向硅片上喷洒光刻胶溶剂；在硅片上的光刻胶溶解后，喷水清洗硅片。本发明实施例提供的去胶方法和装置利用了SSI系列机台的显影腔，由于SSI系列机台本身成本不高，且通过选择价格较低的光刻胶溶剂喷涂在硅片上来去除硅片上的光刻胶，在光刻胶溶解后，直接在用水进行冲洗即可，无需更换机台，从而缩短去胶周期，减少去胶成本。
硅片方法装置使用显影机台进行

[实用新型]一种非硅类半导体晶圆去胶装置-CN202222882204.5有效
发明人：梁浩 -专利权人：河北时硕微芯科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种非硅类半导体晶圆去胶装置。包括：工作台，工作台具有配合使用的去胶区域和清洗区域；超声清洗机构，设置在去胶区域；超声清洗机构内部设有承载器皿，且承载器皿内具有去胶溶剂；承载器皿外壁环设有冷却组件；承载架，其上设有多个卡位，用于支撑倾斜放置的待去胶晶片；清洗机构，设置在清洗区域；清洗机构包括：清洗池和清洗喷头，清洗喷头位于清洗池的上方，用于向清洗池内喷射冲洗溶剂；氮气枪，设置在清洗区域；经过去胶工序，能够有效去除晶片表面胶体。
一种非硅类半导体晶圆去胶装置

[发明专利]样片去胶装置及方法-CN201010238028.0无效
发明人：王磊;景玉鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明公开了样片去胶装置包括：用于提供超纯去离子水的去离子水储罐、用于对所述超纯去离子水加热，使其成为水蒸气和去离子水的混合流体的热交换器及使用所述混合流体对样片进行去胶的去胶腔室；所述去离子水储罐的出口与所述热交换器的入口连接；所述热交换器的出口与所述去胶腔室的入口相连。本发明还提供样片去胶方法包括：形成水蒸气和去离子水的混合流体；及使用所述混合流体对样片进行去胶。通过本发明将无机碳化厚层和底部有机光刻胶以及固化后的光刻胶全部去除。去胶效率较高，无残留物，薄膜材料的损失最小化。
样片装置方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780092547.0在审
发明人：根津裕介;渡边康贵;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：3)固化而成的第一固化层(3’)、第二树脂组合物层(4)固化而成的第二固化层(4’)、及通过第一固化层(3’)及第二固化层(4’)而密封的电子零件(2)的密封体(5)；孔形成工序，其中，形成孔(6)；去胶渣工序，其中，对密封体(5)进行去胶渣处理；及电极形成工序，其中，形成电极(7)。
树脂组合物层固化层半导体装置电子零件层叠工序固化性密封片密封体去胶渣粘着片固化电极形成工序剥离工序高集成化固化工序形成工序成品率高功能高效率电极载置密封制造剥离