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[发明专利]三维集成层叠电路制造用片及三维集成层叠电路的制造方法-CN201780004485.3有效
发明人： 根津裕介;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种三维集成层叠电路制造用片1，其介于具有贯通电极的多个半导体芯片之间，其用于将所述多个半导体芯片相互粘合并制成三维集成层叠电路，所述三维集成层叠电路制造用片1至少具备固化性的粘合剂层13，构成粘合剂层13的材料固化前的在90℃下的熔融粘度为1.0×100～5.0×105Pa·s，固化物在0～130℃下的平均线膨胀系数为45ppm以下。该三维集成层叠电路制造用片1能够制造半导体芯片之间的连接电阻不易变化、具有高可靠性的三维集成层叠电路。
三维集成层叠电路制造方法

[发明专利]树脂片及半导体装置-CN201810908626.0有效
发明人： 根津裕介;渡边康贵;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种树脂片，其不容易在树脂组合物层与支撑片的界面产生浮起，加工和搬运时的操作性优异。本发明提供的树脂片(1)在采用面板级封装的半导体装置的制造方法中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成，树脂片(1)具备第一支撑片(11)、树脂组合物层(10)、及第二支撑片(12)，树脂组合物层(10)由含有热固化性树脂、30质量％以下的热塑性树脂及50质量％以上的无机微粒的树脂组合物形成，第一支撑片(11)的与树脂组合物层(10)的接触面未利用有机硅类剥离剂进行剥离处理，使用气相色谱质谱分析法测定的、将树脂组合物层(10)在120℃下加热30分钟时所产生的挥发成分浓度为100～45000ppm。
树脂半导体装置

[发明专利]三维集成层叠电路制造用片及三维集成层叠电路的制造方法-CN201780004484.9有效
发明人： 根津裕介;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C09J5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三维集成层叠电路制造用片1，其介于具有贯通电极的多个半导体芯片之间，其用于将所述多个半导体芯片相互粘合并制成三维集成层叠电路，所述三维集成层叠电路制造用片1至少具备固化性的粘合剂层13，粘合剂层13含有导热性填料，粘合剂层13的厚度(T2)的标准偏差为2.0μm以下。该三维集成层叠电路制造用片1能够制造具有优异的放热性的三维集成层叠电路。
三维集成层叠电路制造方法

[发明专利]树脂片及其制造方法-CN201980022521.8在审
发明人：渡边康贵;根津裕介;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于密封电子元件的树脂片，所述树脂片具备由含有热固性树脂、热塑性树脂、无机填料及阻燃剂的树脂组合物形成的树脂组合物层，所述阻燃剂是常温下为液体的芳香族缩合磷酸酯。根据该树脂片，可形成具备优异的阻燃性及优异的粘合力的固化物。
树脂及其制造方法

[发明专利]树脂片-CN201880049577.8在审
发明人： 根津裕介;菊池和浩;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种树脂片，其用于电子部件的密封，所述树脂片具备由含有环氧树脂的树脂组合物形成的固化性树脂组合物层，由所述固化性树脂组合物层固化而成的固化层在150℃下的储能模量为0.1MPa以上、1000MPa以下，由所述树脂组合物固化而成的固化物的玻璃化转变温度为30℃以上、160℃以下。通过该树脂片，即使在使用较大面积的树脂片时，也能够良好地抑制所得到的密封体的翘曲。
树脂

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780092547.0在审
发明人： 根津裕介;渡边康贵;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：电子零件载置工序，其中，在粘着片(1)上载置电子零件(2)；第一层叠工序，其中，层叠具备固化性的第一树脂组合物层(3)的第一密封片；剥离工序，其中，将粘着片(1)剥离；第二层叠工序，其中，层叠具备固化性的第二树脂组合物层(4)的第二密封片；固化工序，其中，得到具备第一树脂组合物层(3)固化而成的第一固化层(3’)、第二树脂组合物层(4)固化而成的第二固化层(4’)、及通过第一固化层(3’)及第二固化层(4’)而密封的电子零件(2)的密封体(5)；孔形成工序，其中，形成孔(6)；去胶渣工序，其中，对密封体(5)进行去胶渣处理；及电极形成工序，其中，形成电极(7)。该半导体装置的制造方法使半导体装置的高集成化及高功能化成为可能，同时也可适用于高效率且高成品率的方法。
树脂组合物层固化层半导体装置电子零件层叠工序固化性密封片密封体去胶渣粘着片固化电极形成工序剥离工序高集成化固化工序形成工序成品率高功能高效率电极载置密封制造剥离

[发明专利]半导体装置的制造方法及层叠片-CN201780092553.6在审
发明人： 根津裕介;渡边康贵;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：电子零件载置工序，其中，在具备粘着片(12)与固化性的第一树脂组合物层(11)的层叠片(1)上载置电子零件(2)；层叠工序，其中，层叠具备固化性的第二树脂组合物层(3)的密封片；固化工序，其中，得到具备第一树脂组合物层(11)固化而成的第一固化层(11’)、第二树脂组合物层(3)固化而成的第二固化层(3’)、及通过第一固化层(11’)及第二固化层(3’)而密封的上述电子零件(2)，同时剥离粘着片(12)而成的密封体(4)；孔形成工序，其中，形成孔(5)；去胶渣工序，其中，对密封体(4)进行去胶渣处理；及电极形成工序，其中，形成电极(6)。该半导体装置的制造方法使半导体装置的高集成化及高功能化成为可能，同时也可适用于高效率且高成品率的方法。
树脂组合物层固化层半导体装置电子零件固化性密封体去胶渣粘着片固化电极形成工序层叠工序高集成化固化工序形成工序层叠片成品率高功能高效率密封片电极载置密封制造剥离

[发明专利]树脂片、半导体装置及树脂片的使用方法-CN201880026660.3在审
发明人： 根津裕介;渡边康贵;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B32B27/20 文献下载
摘要：本发明提供一种树脂片(1)，其用于绝缘膜的形成，所述树脂片(1)具备第一支撑片(11)及固化性树脂组合物层(10)，树脂组合物层(10)由含有热固性树脂及无机微粒的树脂组合物形成，所述无机微粒的含量为50质量％以上90质量％以下，第一支撑片(11)具备支撑基材(111)及粘着剂层(112)，所述树脂组合物层层叠在第一支撑片(11)的粘着剂层(112)侧的面上。根据该树脂片(1)，即便在树脂组合物层表面的粘性较小时，在树脂组合物层与支撑片的界面也不容易产生浮起，且即便在使用于在树脂组合物层的热固化后、将支撑片从所形成的固化层上剥离的半导体装置的制造方法时，也容易将支撑片从该固化层上剥离。
支撑片树脂组合物层树脂片树脂组合物无机微粒粘着剂层固化层剥离固化性树脂组合物半导体装置热固性树脂支撑基材绝缘膜热固化浮起制造

[发明专利]密封片及半导体装置的制造方法-CN201880015474.X在审
发明人： 根津裕介;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种密封片1，其在具有使用碱性溶液的处理工序的半导体装置的制造方法中，用于密封内置在基板内的半导体芯片2或密封粘着片8上的半导体芯片2，密封片1至少具备固化性的粘合剂层11，粘合剂层11由粘合剂组合物形成，所述粘合剂组合物含有热固性树脂、热塑性树脂、及利用最小被覆面积为550m²/g以上、1500m²/g以下的表面处理剂进行了表面处理的无机填料。该密封片1中，无机填料不容易从固化层11’上脱离。
密封片粘合剂组合物半导体芯片半导体装置无机填料粘合剂层密封表面处理剂热固性树脂热塑性树脂处理工序碱性溶液固化层固化性粘着片基板内置制造脱离

[发明专利]密封片及半导体装置的制造方法-CN201880015475.4在审
发明人：渡边康贵;根津裕介;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种密封片1，其在具有使用碱性溶液的处理工序的半导体装置的制造方法中，用于密封内置在基板内的半导体芯片或密封粘着片上的半导体芯片，密封片1至少具备固化性的粘合剂层11，粘合剂层11由粘合剂组合物形成，该粘合剂组合物含有热固性树脂、热塑性树脂、及利用最小被覆面积小于550m²/g的表面处理剂进行了表面处理的无机填料。该密封片1不容易产生镀层膨胀。
密封片粘合剂组合物半导体芯片半导体装置粘合剂层密封表面处理剂热固性树脂热塑性树脂处理工序碱性溶液无机填料固化性粘着片镀层基板内置制造膨胀

[发明专利]树脂片及其制造方法-CN201811140319.9在审
发明人：渡边康贵;根津裕介;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C08L101/06 文献下载
摘要：本发明提供一种树脂片(1)，其为在半导体装置的制造方法中用于电子元件的密封的树脂片(1)，树脂片(1)具备固化性的树脂组合物层(11)，树脂组合物层(11)由含有固化性树脂、造膜性树脂及无机填料的树脂组合物形成，所述造膜性树脂含有聚乙烯醇缩醛树脂。该树脂片(1)能够形成厚膜的树脂组合物层，且该树脂组合物层固化而成的固化层具有优异的电镀附着性。
树脂片树脂组合物层树脂膜性聚乙烯醇缩醛树脂半导体装置电镀附着性固化性树脂树脂组合物无机填料固化层固化性厚膜固化密封制造

[发明专利]树脂片-CN201811148501.9在审
发明人：渡边康贵;根津裕介;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种树脂片，其为在半导体装置的制造方法中用于密封电子元件的树脂片，所述树脂片具备固化性的树脂组合物层，所述树脂组合物层由含有着色材料的树脂组合物形成，所述着色材料包含构成脂肪族烃基的碳原子相对于全部碳原子的比例超过3质量％的碳类材料、及绝缘性的金属化合物中的至少一者，所述树脂组合物层固化而成的固化层对波长1500～1000nm的透光率为40％以下、对波长800～400nm的透光率为10％以下。根据该树脂片，在所得到的半导体装置中，可实现电子元件优异的隐蔽性，并能够抑制由来自外部电磁波造成的故障，树脂组合物层固化而成的固化层具有优异的绝缘性。
树脂片树脂组合物层半导体装置着色材料固化层绝缘性碳原子透光率波长固化密封电子元件金属化合物树脂组合物脂肪族烃基电磁波固化性隐蔽性外部制造

[发明专利]树脂片及其制造方法-CN201811043349.8在审
发明人：渡边康贵;根津裕介;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种树脂片(1)，其为在半导体装置的制造方法中用于电子元件的密封的树脂片(1)，树脂片(1)具备固化性的树脂组合物层(11)，树脂组合物层(11)由含有固化性树脂的树脂组合物形成，树脂组合物层(11)的厚度为100μm以上、300μm以下，树脂组合物层(11)以1.0质量％以上、5.0质量％以下的含量含有通过加热而挥发的可塑性溶剂。该树脂片(1)能够抑制树脂组合物层的崩坏、能够使树脂组合物层追随被粘面的凹凸而进行密封。
树脂组合物层树脂片密封半导体装置固化性树脂可塑性溶剂树脂组合物固化性挥发加热制造追随

[发明专利]树脂片、半导体装置及树脂片的使用方法-CN201810972459.6在审
发明人： 根津裕介;渡边康贵;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种树脂片，其即便在树脂组合物层表面的粘性较小时，也不易在树脂组合物层与支撑片的界面发生浮起，且即便在使用于在树脂组合物层的热固化后、将支撑片从所形成的固化层上剥离的半导体装置的制造方法时，也易于将支撑片从该固化层上剥离。一种树脂片(1)，其用于电子部件(2)的密封，树脂片(1)具备第一支撑片(11)及固化性树脂组合物层(10)，树脂组合物层(10)由含有热固化性树脂及无机微粒的树脂组合物形成，所述微粒的含量为50～90质量％且平均粒径为0.01～3.0μm，第一支撑片(11)具备支撑基材(111)及粘着剂层(112)，树脂组合物层(10)层叠在粘着剂层(112)侧的面上。
树脂组合物层树脂片支撑片半导体装置粘着剂层固化层剥离固化性树脂组合物热固化性树脂树脂组合物电子部件平均粒径无机微粒支撑基材热固化浮起密封制造

[发明专利]树脂片及半导体装置-CN201810951627.3在审
发明人： 根津裕介;渡边康贵;杉野贵志 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种不容易产生剥离静电的树脂片。本发明提供一种树脂片(1)，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片(1)，树脂片(1)具备第一支撑片(11)、及层叠在第一支撑片(11)的一面上的树脂组合物层(10)，第一支撑片(11)具有抗静电性，以剥离速度10m/分钟将第一支撑片(11)从树脂组合物层(10)上剥离时的、第一支撑片(11)的剥离静电压的绝对值小于200V。
树脂片支撑片剥离树脂组合物层半导体装置抗静电性静电静电压绝缘膜封装密封制造

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