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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]MIM电容的制造方法-CN201910014730.X在审
发明人：施洋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：步骤四、在去胶机台进行去胶工艺，在去胶工艺中包括后处理的步骤，后处理去除等离子体刻蚀在MIM电容表面产生的电荷残留和等离子体损伤。本发明能提高器件的击穿电压。
等离子体刻蚀第一金属层中间介质层后处理去胶工艺等离子体损伤机台第二金属层光刻胶图形电荷残留击穿电压光刻去除去胶制造金属

[发明专利]一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用-CN201710825459.9有效
发明人：李森虎;殷福华;徐辉;赵文虎;顾玲燕 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1～3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层，且去胶液中光刻胶的溶解度增加，处理后的半导体表面无光刻胶残留，且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。
一种半导体制程正性光刻胶去胶液应用

[发明专利]等离子去胶台可调式载片体-CN200610165109.6无效
发明人：王俊;白一鸣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-13 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明一种等离子去胶台可调式载片体，用于等离子去胶台中承载并固定待清洗或去胶的外延片，其特征在于，包括：一承载体，该承载体为一矩形，该承载体的上面中间两侧分别有一螺孔；两探针架，该两探针架类似于套管天线的结构
等离子去胶台可调式载片体

[实用新型]一种石英去胶池-CN201120332592.9有效
发明人：宋伟宏;计斌;陆建国;沈根法 -专利权人：湖州奥博石英科技有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：一种石英去胶池，包括池体，所述池体的上部设置有一号进水口，池体的下部设置有一号出水口，所述池体的下部还设置有二号进水口。本实用新型加工台和石英板在去胶后直接在池体内进行冷却后再取出，不会造成高温时石英板离水易碎易裂的现象，避免了石英板爆裂有可能造成的人员受伤；热交换速度快，去胶效果好，加热、冷却均匀；池体底部不易集聚残留的胶
一种石英去胶池

[发明专利]等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法-CN201310705627.2在审
发明人：杨平;万磊 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体去胶工艺的终点检测方法和检测系统，检测方法，包括，产生预设光；所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中被消耗的气体或粒子或者产生的气体或粒子；获取所述预设光在射入反应腔室之前的入射光强；获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述预设光的出射光强；比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则确定等离子体去胶工艺达到终点；其中，所述预设阈值是应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比较结果。
等离子体工艺终点检测系统方法

[发明专利]一种集成电路T型孔的干法刻蚀制备方法-CN201610233942.3在审
发明人：张龙;徐海飞;王秋建 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2016-04-16 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：，采用各向异性等离子体干法刻蚀工艺进行细孔一次刻蚀，一次刻蚀后的细孔深度小于所述隔离介质层厚度，所述隔离介质层厚度与一次刻蚀后的细孔深度之差等于T型孔大孔的厚度；3）制作大孔刻蚀窗口，采用等离子体干法去胶工艺去胶形成大孔刻蚀窗口；4)二次刻蚀，采用与步骤2）相同的刻蚀工艺，二次刻蚀时间比一次刻蚀时间短；5）去胶，采用等离子体干法去胶工艺去除光刻胶。
一种集成电路刻蚀制备方法

[发明专利]解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法-CN202110000533.X在审
发明人：唐明华;王薇;刘玉林;李刚;李正 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法，具体步骤为下层光刻胶的匀胶‑下层光刻胶的烘烤‑上层光刻胶的匀胶‑上层光刻胶的烘烤‑光刻胶曝光‑光刻胶显影‑等离子体清洗‑镀电极/薄膜‑光刻胶的剥离采用较薄的下层光刻胶作为底胶，以保证足够的底切和精确度较高的线宽；采用较短的曝光时间，减少了曝光过程中的干涉衍射现象带来的图形边缘扭曲问题；用氧等离子体清洗可以有效去除显影残留的光刻胶，保证图案的平直度，也有利于后续的去胶过程；较低温度的镀膜工艺可以保证光刻胶在镀膜过程中保持原有形貌；用专门的剥离胶去胶液加热辅助去胶，确保光刻胶完全剥离。
解决光刻工艺镀膜过程存在毛刺残留方法

[发明专利]一种大直径硅圆片的去胶设备及使用方法-CN201911368314.6在审
发明人：常雪岩;武卫;孙晨光;刘建伟;由佰玲;刘园;谢艳;杨春雪;刘秒;裴坤羽;祝斌;刘姣龙;王彦君;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种大直径硅圆片的去胶设备及使用方法，包括机架、升降机构、进料台、浸泡罐、排液系统、操作面板，所述机架用于固定支撑所述去胶设备；所述升降机构设置于所述机架的一侧；所述进料台设置于所述机架的上部本发明采用热水浸泡式去胶方式，相较于进口设备的风刀式去胶方式，单颗加工时间节省了约25min，提高了工作效率。该设备结构简单，占用空间小，便于作业和维护；加工成本低，降低了人工和生产成本。
一种直径硅圆片设备使用方法

[发明专利]一种注塑机用模外去胶口料设备-CN202210360465.2在审
发明人：叶春龙;叶奇;朱向荣;沈兴元;顾剑峰 -专利权人：苏州亿邦塑业有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B29C45/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种注塑机用模外去胶口料设备，包括设置在机箱内的注塑模具、取料机构和去胶口机构；机架的顶部架设有两条X轴直线横梁；取料机构包括XYZ轴驱动组件一、旋转驱动组件和吸附组件，去胶口机构包括XYZ剪切装置配合安装在XYZ轴驱动组件二上并在XYZ轴驱动组件二的驱动下沿着X轴、Y轴和Z轴移动，吹气组件安装在剪切装置的上表面用于对产品上的胶口料进行吹气冷却，本发明设置的取料机构在将注塑模具内的产品取出后，可通过去胶口机构对产品上的胶口料进行吹气冷却并去除
一种注塑机用模外去胶口料设备

[发明专利]一种干法去胶设备-CN202210598516.5在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明供了一种干法去胶设备，包括：反应室，具有反应腔，反应腔内设有用于放置圆晶及加热去胶的反应台；片盒室，具有片盒腔，片盒腔内设有用于存放和冷却圆晶的承载台；传送室，具有传送腔，传送腔内设有传送装置，传送装置用于将片盒腔内的圆晶传送至反应腔内，以及将反应腔内去胶的圆晶传送至片盒腔内；冷却装置，冷却装置连接传送装置用于冷却传送装置。干法去胶设备的传送过程仅有包括圆晶上料至反应室的上料传送和圆晶下料至片盒室的下料传送，上料和下料传送均两点传送，传送步骤少，传送过程简单，能够有效地减少工艺周期。
一种干法去胶设备

[发明专利]一种去胶设备的反应腔及去胶设备-CN202211215768.1在审
发明人：谢小燕;王骏杰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种去胶设备的反应腔，包括：由反应罩和基台固定连接形成的腔体；环绕设置于所述反应罩的外侧壁的电感线圈，在所述电感线圈产生的感应磁场的作用下工艺气体转化为等离子体；设置于所述腔体内部的喷淋头，本发明还提供一种基于所述反应腔的去胶设备。本发明提供的反应腔及去胶设备可有效避免反应腔的反应罩内侧壁掉落的片状聚合物到达晶圆表面形成缺陷，因此可提高去胶工艺的良率；相比于现有技术中通过频繁更换反应罩来避免缺陷的产生，本发明可延长反应罩的使用寿命
一种设备反应

[发明专利]一种用于晶圆真空去胶的半自动送料机构-CN202310204601.3在审
发明人：李志强;赵义党;廖文晗 -专利权人：珠海恒格微电子装备有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开的一种用于晶圆真空去胶的半自动送料机构，用于晶圆等离子去胶过程中的半自动控制晶圆进出真空腔，包括底架座，底架座上设置有位于真空腔入料口下侧的支撑板；支撑板上安装有气缸驱动组件，气缸驱动组件驱动连接的滑动连接块沿进出料方向接近或远离真空腔的入料口处一端沿水平方向呈悬挂状态连接的悬臂板；悬臂板的自由端固定安装有沿进出料方向呈悬挂状态连接、用于承托晶圆进出真空腔的晶圆托板；通过手动方式或上料机构将晶圆放置于晶圆托板上，在气缸驱动组件驱动下直接送入真空腔中等离子去胶后、再反向运动取出下料，相比湿法去胶方式，传送简单、控制方便，有效提高生产效率和生产质量。
一种用于真空半自动机构

[发明专利]一种快速清除RGB光路层的工艺-CN202211505955.3在审
发明人：邵铭;丁宇能;朱毅 -专利权人：杭州美迪凯光电科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速清除RGB光路层的工艺，其工艺步骤为：S1、选取待返工晶圆；S2、通过去胶机进行冷腔干刻，干刻后再进行脱胶剥离清洗，利用去胶设备离子撞击的功能，进行缓慢剥离胶层并配合高压剥离去胶，将晶圆的表面沉淀物去除本发明的处理方式与步骤与现有常用的胶层处理方式不同，现有常用的胶层处理方式是单纯的湿法蚀刻或干法蚀刻，本发明使用干湿法结合并循环处理的方式进行去胶返工，确保处理后的产品无胶残留且PAD无腐蚀现象。
一种快速清除 rgb 光路层工艺

[发明专利]改善自对准接触孔的硅化钨双栅极边缘粗糙度的方法-CN201210468774.8有效
发明人：孙娟;郁新举;吴智勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明在第一步刻蚀完去胶时采用一步与传统氧气去胶不同的带四氟化碳的特殊去胶步骤，并加以纯水冲洗处理,由于四氟化碳的特殊去胶步骤能刻蚀部分硅化钨侧壁，修复硅化钨膜层的侧壁成垂直形貌，使得在后续沉积介质膜及第二步刻蚀中难以形成小的介质膜阻挡墙
改善对准接触硅化钨双栅极边缘粗糙方法

[发明专利]一种高能量离子注入后的去胶方法-CN201310491935.X有效
发明人：荆泉;高腾飞;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量离子注入后的去胶方法，采用三个阶段去胶，第一个阶段是晶圆预热阶段，达到后续反应所需的工艺温度；第二个阶段是表面硬壳去除阶段，应用纯氢气、氮气混合气作为工艺气体去除高能离子注入后的表面碳化硬壳本发明的三阶段工艺去胶方法是利用氢气还原交联碳链的原理，在温和的反应条件下先去除注入后光刻胶外表面的碳化硬壳，从而避免反应开始阶段由于去胶速率过快而致光刻胶爆裂的情况发生，同时减少反应过程中碳硅氧成分的残留物生成
一种高能量离子注入方法

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