|
钻瓜专利网为您找到相关结果 237849个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]掩模去胶通用耐酸手臂-CN201911390367.8在审
-
张月圆;薛文卿;朱磊
-
无锡中微掩模电子有限公司
-
2019-12-29
-
2020-04-10
-
G03F7/42
- 本发明公开了掩模去胶通用耐酸手臂,包括臂管,所述臂管底端表面开设有连接孔,所述连接孔顶端开设有贯穿孔,所述贯穿孔与臂管内壁相互贯通,所述连接孔内部顶端设置有第一密封垫,所述臂管底端设置有第一扇形喷头,所述第一扇形喷头顶端分别设置有加固环、密封环以及第二密封垫,所述第一扇形喷头贯穿加固环、密封环以及第二密封垫,所述密封环位于加固环顶端;通过将臂管长度设置为八厘米、将相邻两个连接孔间距设置为一点二厘米以及在连接孔加装第一扇形喷头,克服去胶五寸以及六寸掩模板需多次去胶的麻烦,能对不同的尺寸掩模板进行有效快速清除,不会再出现边角处无法去胶干净需二次去胶的麻烦,适应范围广,安全可靠。
- 掩模去胶通用耐酸手臂
- [发明专利]硅片去胶装置及方法-CN201010209822.2有效
-
王磊;景玉鹏
-
中国科学院微电子研究所
-
2010-06-25
-
2011-12-28
-
G03F7/42
- 本发明公开了一种硅片去胶装置,包括去离子水储罐、CO2储气罐、混合罐、对混合溶液加热的热交换器及用于对硅片去胶的反应腔体;去离子水储罐与CO2储气罐的出口与混合罐一端连接,混合罐另一端通过热交换器与反应腔体入口连接还公开了一种硅片去胶方法包括:形成液态CO2和去离子水的混合溶液;对混合溶液加热,使混合溶液中的CO2达到超临界态,使去离子水达到高温高压状态;及使用含超临界态的CO2和高温高压的去离子水的混合溶液对硅片进行去胶处理通过本发明提供的装置及方法,可以将无机碳化厚层和底部有机光刻胶全部氧化溶解,去胶效率较高,无残留物,薄膜材料的损失最小化。
- 硅片装置方法
- [发明专利]一种等离子去胶机-CN202010712952.1有效
-
彭香玲;连立亭
-
无锡奥威赢科技有限公司
-
2020-07-22
-
2022-03-22
-
B08B7/00
- 本发明涉及等离子去胶机设备机技术领域,具体涉及一种等离子去胶机,包括机箱,机箱的内部由下至上依次设置有射频电源、加热板、放置组件和电离组件;机箱的左侧壁上设有用于对机箱内部进行抽真空的抽真空组件,机箱的右侧壁设有用于对机箱内产生的热气流进行循环的过滤循环组件,机箱的顶部设有用于向电离组件内部供气的供气组件,本发明提供了一种等离子去胶机,通过一系列结构的设计和使用,本发明在进行使用过程中,解决了一方面加热不均匀会导致去胶效果差,另一方面由于电离过程中产生大量高能活性粒子会造成对圆片表面进行损伤的问题,进而提高了等离子去胶机的实用性。
- 一种等离子去胶机
- [实用新型]一种插芯自动去胶装置-CN201920995813.7有效
-
李钢;梅涛;张露
-
鄂州灿光光电有限公司
-
2019-06-28
-
2020-05-22
-
G02B6/38
- 本实用新型公开了一种插芯自动去胶装置,包括底板,还包括设置在底板上的上料气缸支架和旋转盘支架,旋转盘支架上设置有驱动电机,旋转盘的中心套设固定在驱动电机的旋转轴上,旋转盘上设置有插芯穿孔,上料气缸支架上设置有上料气缸底板,上料气缸底板上设置有上料气缸和插芯轨道槽,上料气缸的伸缩端能沿插芯轨道槽往复运动,插芯轨道槽一端延伸至靠近旋转盘,旋转盘两侧均设置有去胶装置。本实用新型采用自动化方式,无需操作人员一一手动操作去胶,避免人为因素影响去胶结果,大大提高了产品合格率,降低了生产成本。无需消耗大量砂纸,节省耗材成本。可以提高去胶的完整性,保证生产一致性。
- 一种自动装置
- [实用新型]一种晶片光阻去除装置-CN202221311136.0有效
-
罗刚;刘剑荣;康龙;朱帅;董国庆;文国昇;金从龙
-
江西兆驰半导体有限公司
-
2022-05-27
-
2022-12-30
-
G03F7/42
- 本实用新型提供一种晶片光阻去除装置,包括清洗组件,清洗组件包括清洗仓及设于清洗仓底部的输出管,输出管上开设有若干个喷流口,喷流口上侧设有固定架,固定架上可拆卸式设有提篮架,固定架及提篮架上均开设有镂空槽,晶片光阻去除装置还包括去胶液循环组件,去胶液循环组件包括设于清洗仓外侧的溢流仓,溢流仓的底部设有排液口,输出管的一侧设有循环泵,循环泵的一侧设有抽液管,抽液管连通排液口。本实用新型中的晶片光阻去除装置,通过设置清洗组件及去胶液循环组件,在循环泵的压力作用下,通过喷流口喷出的去胶液可透过镂空槽作用于晶片表面,加强了去胶液与晶片表面的接触作用力,从而改善晶片表面光刻胶的溶解效果
- 一种晶片去除装置
|