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[发明专利]抑制射频器件欧姆损耗的方法及射频器件-CN202211629638.2在审
发明人：汪洋;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述抑制射频器件欧姆损耗的方法包括：在单晶衬底上形成锗硅层，所述锗硅层靠近单晶衬底的界面处具有由于所述单晶衬底和锗硅层晶格失配而产生的应力形变和晶格缺陷；在所述锗硅层上形成有源层，将所述有源层的部分加工形成射频器件结构或者在所述有源层上制作射频器件结构本发明通过调节锗硅层中锗的含量而使锗硅层产生应力变形和产生缺陷，这些应力形变和晶格缺陷可以阻碍载流子在锗硅层的运动速度，并减少射频器件的欧姆损耗。
抑制射频器件欧姆损耗方法

[发明专利]一种高迁移率衬底结构及其制备方法-CN201010578522.1有效
发明人：孙兵;刘洪刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。可以利用本发明，实现硅基衬底上高迁移率铟镓砷和锗结合的CMOS器件，或者在铟镓砷单晶层和锗单晶层上制备其它高迁移率半导体器件，该衬底结构还可以制备硅基器件以及用势垒层制备光电器件等，有利于实现多元半导体器件的单片集成
一种迁移率衬底结构及其制备方法

[发明专利]制备13N超高纯锗单晶的方法及设备-CN201811357744.3在审
发明人：普世坤;李学洋;董汝昆;惠峰;柳廷龙;张朋;钟文;赵燕;包文瑧;滕文 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：一种制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈设至在支架上，石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间，进气管与排气管分别设置在石英管两端本发明的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，结构简单，设计科学，使用方便，制备出的锗锭，纯度高，能够得到13N纯度的锗单晶，满足高精探测器使用。
锗单晶制备石英管超高纯石英舟探测器支架小车材料制备技术方法和设备高纯半导体超高纯度进气管排气管锗锭

[发明专利]一种超薄、高结晶质量的二维锗(110)单晶的制备方法-CN202110389687.2有效
发明人：胡文超;兰海辉;李依玲;付磊;曾梦琪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄、高结晶质量的二维锗(110)单晶的制备方法，步骤如下：(1)将较高熔点的金属作为支撑基底，对其进行预处理；(2)将较低熔点的金属或合金放置在预处理的支撑基底上，引入锗源，在H2/Ar气氛中加热，获得低熔点原子级平坦的金属或合金基底；(3)在金属或合金基底上生长超薄、高结晶质量的二维锗(110)单晶；(4)转移得到超薄、高结晶质量的二维锗(110)单晶。本发明制备工艺简单，条件易控，制备的二维锗(110)单晶结晶质量高，超薄，实现了二维化，具有宽的可调谐带隙。所制备的二维锗(110)单晶在半导体和非线性光学等领域中有巨大的应用潜力。
一种超薄结晶质量二维 110 制备方法

[发明专利]一种非选择性生长锗硅外延的方法-CN200910199435.2有效
发明人：黄锦才 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-11-26 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非选择性生长锗硅外延的方法。现有技术使用高达1100摄氏度的高温氢气烘烤易影响热预算的降低，并且未在形成单晶锗硅层和多晶锗硅层前先沉积籽硅层，从而造成多晶锗硅层颗粒较大，并影响两者间的连接质量。本发明先对晶圆进行氢氟酸清洗为最后步骤的化学清洗，之后再对晶圆进行800至950摄氏度的氢气烘烤，再通过CVD工艺在单晶硅区和隔离结构区上先沉积籽硅层，之后通过CVD工艺生成单晶锗硅层和多晶锗硅层，最后通过本发明通过降低烘烤温度降低了热预算，另可提高单晶锗硅层和多晶锗硅层之间的连接质量，并可降低使用所述硅锗外延作为基极的HBT的基极电阻，HBT的频率性能也相应得到提高。
一种选择性生长外延方法

[发明专利]一种N型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及方法-CN202210211940.X有效
发明人：陆海凤;柯尊斌;李忠泉 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及方法，N型重掺锗单晶生长磷元掺杂装置，包括锗籽晶、锗铣磨片和锗盖板；锗籽晶包括支撑杆和支撑台，支撑杆垂直连接在支撑台顶部中央位置，支撑杆的直径小于支撑台的直径；锗铣磨片为锅形，锗铣磨片开口向上地设置，锗盖板活动盖设在锗铣磨片上；锗铣磨片底部中央设有第一通孔，锗盖板中央设有第二通孔，第一通孔的孔径小于支撑台的直径，支撑杆顶部依次穿过第一通孔和第二通孔后，锗铣磨片外侧底部落在支撑台上；锗籽晶、锗铣磨片和锗盖板所用材质均为锗，锗铣磨片内侧填充有红磷。本发明红磷挥发量少，实现了红磷的一次性大量掺杂；除了锗和磷没有其他元素参与，便于半导体单晶的质量控制。
一种型重掺锗单晶生长元素掺杂装置方法

[发明专利]去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置-CN202310004462.X在审
发明人：王宇;王博;冯德伸;于鹏涛;林泉;李燕;雷同光 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置，其中去除锗单晶熔体浮渣的装置包括单晶炉、升降装置、坩埚、加热装置、调节装置以及石墨环；升降装置设于所述单晶炉内；坩埚与所述升降装置连接，所述升降装置用于调节所述坩埚的高度；加热装置环设于所述坩埚外；调节装置设于所述单晶炉内；石墨环与所述调节装置连接，所述调节装置控制所述石墨环在上下方向的位置。本发明提供的去除锗单晶熔体浮渣的装置，通过使坩埚内壁温度和熔体温度形成温度差，有效的收集浮渣，石墨环将浮渣与锗晶体完全隔离，浮渣无法进入石墨环的内环，提高了锗晶体的成晶率。
去除锗单晶熔体浮渣方法装置

[发明专利]改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法-CN201010027233.2有效
发明人：刘继全;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法，在形成有STI区域和有源区的硅片上进行锗硅或锗硅碳外延生长，外延生长过程中通入一定量的卤化氢气体，降低锗硅或锗硅碳在STI区域的生长速率，使锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面向
改善锗硅碳单晶多晶界面形貌方法

[实用新型]一种红外锗单晶生长用直径测量装置-CN201922376038.X有效
发明人：李刚;雷同光;李燕 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G01B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种红外锗单晶生长用直径测量装置，包括竖直台和游标卡尺组件；所述游标卡尺组件包括主尺和游标，所述游标设置于主尺上，且与主尺滑动连接；所述游标设有镜头；所述镜头的光轴与所述主尺垂直，所述镜头的镜面设有单晶边缘对准标识该直径测量装置采用L型结构，且通过镜头可准确定位锗单晶的左右边缘，可在拉制过程中准确测量锗单晶的直径，以解决现有技术中测量红外锗单晶的误差问题，且具有结构简单、操作方便的优点。
一种红外锗单晶生长直径测量装置

[发明专利]一种锗硅源漏极及制备方法-CN201611093086.2在审
发明人：黄秋铭;谭俊;颜强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种锗硅源漏极及制备方法，该方法包括在单晶硅基体上制备好栅极及掩膜层；其中，单晶硅基体为含单晶硅半导体材料构成的衬底；图案化蚀刻半导体单晶硅基体形成凹陷；在半导体单晶硅基体的凹陷内外延生长锗硅种子层及主体层；采用混合性气体对所述锗硅种子层及主体层进行晶面处理；在锗硅种子层及主体层上外延生长晶格变层；在晶格变层上外延生长盖帽层。因此，本发明能够显著改善不完整的∑结构(Un‑tuck)区域结构中锗硅层的形貌，有利于后续金属硅化物(NiSi)的形成，从而能够有效避免电阻异常及有源区泄露(AA leakage)等的问题。
一种锗硅源漏极制备方法

[发明专利]一种用于抛光锗单晶的抛光液及锗单晶抛光方法-CN202111333982.2有效
发明人：杲星;李忠继;顾跃;赵玲;赵静;刘小琦 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于抛光锗单晶的抛光液及锗单晶抛光方法，该抛光液包括粗抛光液和精抛光液，所述粗抛光液以W1钻石膏为原料，先加入去离子水溶解稀释并冷却后，再加入硝酸调节pH值至1~6得到，其中W1钻石膏和去离子水的质量体积比为锗单晶抛光采用上述粗抛光液和精抛光液先后对锗单晶进行化学机械抛光。该抛光液能有效提高锗单晶抛光质量和抛光效率，简化抛光工艺，具有广泛的推广应用价值。
一种用于抛光锗单晶方法

[实用新型]VGF锗单晶生长炉芯模具-CN201420661118.4有效
发明人：董汝昆;李武芳;祝永成;包文臻;高云浩;金之生;王朝思 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种VGF锗单晶生长炉芯模具，涉及一种模具，尤其是一种用于VGF锗单晶生长过程中，简化炉芯制作过程，便于固定测温热偶位置的VGF锗单晶生长炉芯模具。本实用新型的VGF锗单晶生长炉芯模具，其特征在于该模具包括底座和连杆，底座与连杆均为圆柱体，连杆的横截面直径小于底座的横截面直径，连杆设置在底座顶部且与底座保持同轴，底座两侧壁上均设置有凹槽，凹槽为两个本实用新型的VGF锗单晶生长炉芯模具，设计科学，结构简单，使用方便，简化了炉芯的制作过程，测温热偶位置放置准确，提高炉芯的制作效率与成功率。
vgf 锗单晶生长模具

[发明专利]通过在硅锗合金熔点附近进行退火而制造SGOI的方法-CN200480014971.6无效
发明人：斯蒂芬·W.·贝戴尔;陈华杰;安东尼·G.·多美尼古奇;基思·E.·佛格尔;理查德·J.·墨菲;德温德拉·K.·萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供了一种制造低缺陷的基本上弛豫的绝缘体上硅锗衬底材料的方法。此方法包括首先在存在于阻挡锗扩散的阻挡层(12)顶部的第一单晶硅层(14)的表面上形成含锗层(16)。然后在接近最终硅锗合金熔点且抑制堆垛层错缺陷形成同时保持锗的温度下执行加热步骤。此加热步骤使锗能够在整个第一单晶硅层和含锗层中相互扩散，从而在阻挡层顶部形成基本上弛豫的单晶硅锗层。而且，由于在接近最终硅锗合金熔点的温度下执行加热步骤，故存在于单晶硅锗层中由于弛豫而引起的缺陷被有效地从中清除。在一个实施方案中，加热步骤包括在大约1230－1320℃下执行大约2小时的氧化过程。
通过合金熔点附近进行退火制造 sgoi 方法

[发明专利]太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法-CN201210327712.5有效
发明人：张群社;祁伟 -专利权人：西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，在单晶硅中的三种杂质原子体积浓度分别为：电活性杂质为1013～1021atoms/cm3、锗为1016～1019atoms/cm3、锡为1013～1016atoms本发明还公开了上述太阳能电池用锗锡共掺单晶硅的制备方法，在太阳能级多晶硅原料中同时掺入电活性杂质、锗、锡，通过常规CZ法制得单晶硅，单晶硅中的上述三种杂质的最终原子体积浓度分别为上述的数值，即成。本发明方法制备的单晶硅，对日光转换效率更好，光衰更小。
太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310871252.0在审
发明人：张圆喜 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该方法包括：提供衬底，衬底包括NMOS区域和PMOS区域；在NMOS区域和PMOS区域外延生长单晶硅层；在单晶硅层上外延生长第一硅锗层；去除位于NMOS区域的第一硅锗层，露出单晶硅层；在NMOS区域中露出的单晶硅层上形成第一氧化物层，第一氧化物层的厚度与位于PMOS区域的第一硅锗层的厚度相同；对位于PMOS区域的第一硅锗层进行氧化处理，使位于PMOS区域的第一硅锗层转化为第二氧化物层，位于PMOS区域的单晶硅层转化为第二硅锗层；在位于NMOS区域的单晶硅层和位于PMOS区域的第二硅锗层之间以及衬底中形成沟槽隔离结构。
半导体结构及其制备方法