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[发明专利]一种P型低位错锗单晶制备工艺-CN202210203200.1有效
发明人：黄治成;郭晨光;包炤东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明属于单晶生长技术领域，公开了一种P型低位错锗单晶的制备工艺，具体包括：原料酸法腐蚀、引细颈、放肩、转肩、等径生长、收尾退火、降温冷却，该工艺在放肩阶段保持温度恒定不变，分两个阶段线性降低晶体生长速度，第一阶段：在3~3.5h内，把生长速度从2.0~2.5mm/min降到0.5~1.0mm/min；第二阶段：在5~5.5h内，把生长速度从0.5~1.0mm/min降到0.2~0.25mm/min。本发明在原有的CZ工艺基础上对放肩工艺进行改进，可生长出低位错密度的P型锗单晶，为以后实现零位错、低缺陷太阳能级P型锗单晶打下坚实的基础。
一种低位错锗单晶制备工艺

[发明专利]一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺-CN202111680194.0有效
发明人：王宇;冯德伸;刘宁;王博;李燕;雷同光;林泉 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺。该热场的结构包括筒形主加热器和圆盘形底加热器，在主加热器外层依次设置有石墨保温桶、固化碳毡保温桶，在石墨保温桶和固化碳毡保温桶上端设有紧贴炉壁的多层保温盖，相邻的两层保温盖之间用石英块隔开；热屏悬挂在保温盖上，并从保温盖朝向靠近单晶的方向延伸到熔体液面上方的位置；热屏采用多层结构设计，热屏的主体结构为喇叭形，靠近单晶的内层热屏采用上薄下厚的楔形结构，两层热屏之间具有间隙。锗单晶的生长过程中，在籽晶前端浸入熔体前，需要分为四个烤晶悬停位置，使籽晶缓慢地从冷区浸入热区；调整热场的温度梯度，保证单晶生长环境的稳定性。
一种直拉法生长无位错锗单晶热场工艺

[发明专利]一种锗单晶制备用单晶炉及工艺-CN202211371694.0在审
发明人：唐安泰;唐安雄;李光洪;高丽;李艳;梁小刚 -专利权人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉技术领域，尤其涉及一种锗单晶制备用单晶炉及工艺。提供一种使得副炉体能够自动进行转动，便于将锗单晶取出的锗单晶制备用单晶炉及工艺。一种锗单晶制备用单晶炉及工艺，包括有：底座和支撑座，底座前部上侧连接有支撑座；主炉体，支撑座上部连接有主炉体；副炉体，主炉体上部滑动式连接有副炉体；连接座，主炉体上前部连接有连接座；气缸，连接座前部连接有气缸；进料阀门，气缸伸缩杆上连接有进料阀门，进料阀门与连接座和主炉体滑动式连接。
一种锗单晶制备用单晶炉工艺

[发明专利]一种炉体热场及大尺寸锗单晶生长工艺-CN202211392095.7在审
发明人：崔丁方;王同波;王云鹏;张文泽熹;陈俊肖;韩帅民;孙燕;张仕波;缪彦美;子光平 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司;昆明冶金研究院有限公司北京分公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种炉体热场及大尺寸锗单晶生长工艺，并设计优化出大尺寸（300mm）锗单晶的生长工艺。通过仿真模拟技术和拉晶试验技术，优化热场选材、热场部件尺寸、水冷强度和保温毡布置等，开发出适合于坩埚/晶体直径比小于2.0的炉体热场；在该热场条件下，优化出放肩、转肩、等径、收尾阶段的功率、拉速加热器温度协同控制工艺，使得在坩埚/晶体直径比小于2.0的炉体热场内高效完成大尺寸红外锗单晶的生长，应用于远距离红外探测。
一种炉体热场尺寸锗单晶生长工艺

[实用新型]一种直拉锗晶体用悬浮坩埚-CN202220449354.4有效
发明人：岳喜龙;周全法;许志鹏;乔晋玺 -专利权人：江苏宁达环保股份有限公司;常州工学院
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉锗晶体用悬浮坩埚，包括坩埚、外保温罩、悬浮锅、加热筒、底座、托杆；所述外保温罩与底座连接，所述底座上设有石墨电极，所述加热筒通过石墨螺栓固定设置在石墨电极上方，并且加热筒设置在外保温罩内；所述坩埚设置在加热筒内，并且所述坩埚底部与托杆固定连接，托杆下端穿过底座，底座上设有供托杆穿出的穿孔；所述所述悬浮锅设置在坩埚内，所述悬浮锅与坩埚之间通过限位机构连接，悬浮锅的底部设有进料孔，保证悬浮锅始终处于坩埚的中心，并垂直位移，避免锗液体在坩锅内上下对流，造成晶体内部位错。
一种直拉锗晶体悬浮坩埚

[实用新型]一种锗单晶炉用除尘清理装置-CN202123232407.1有效
发明人：吕远芳 -专利权人：保定三晶电子材料有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶炉用除尘清理装置，包括外置炉框、内炉、驱动电机、传动杆、除尘笼、抽风管和抽风泵机。本实用新型锗单晶炉用除尘清理装置，驱动电机带动电机转轴进行转动，电机转轴通过水平杆带动短杆进行转动，集灰网跟随转动，集灰网贴在外置炉框的内壁上发生转动，集灰网带动转动套框在活动轮上进行转动，同时集灰网将外置炉框内壁上的灰尘吸纳进入到集灰网中，进入到集灰网中的灰尘吸附在粘灰垫上，保持外置炉框内部灰尘的集中，该装置能够有效的将锗单晶炉内壁上附着的杂质进行清理并汇集，避免使真空泵受损，保持锗单晶炉的正常运作。
一种锗单晶炉用除尘清理装置

[发明专利]一种超薄、高结晶质量的二维锗(110)单晶的制备方法-CN202110389687.2有效
发明人：胡文超;兰海辉;李依玲;付磊;曾梦琪 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄、高结晶质量的二维锗(110)单晶的制备方法，步骤如下：(1)将较高熔点的金属作为支撑基底，对其进行预处理；(2)将较低熔点的金属或合金放置在预处理的支撑基底上，引入锗源，在H2/Ar气氛中加热，获得低熔点原子级平坦的金属或合金基底；(3)在金属或合金基底上生长超薄、高结晶质量的二维锗(110)单晶；(4)转移得到超薄、高结晶质量的二维锗(110)单晶。本发明制备工艺简单，条件易控，制备的二维锗(110)单晶结晶质量高，超薄，实现了二维化，具有宽的可调谐带隙。所制备的二维锗(110)单晶在半导体和非线性光学等领域中有巨大的应用潜力。
一种超薄结晶质量二维 110 制备方法

[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置-CN202123177763.8有效
发明人：曹旭;刘志远;李燕;王博;王宇;张路;雷同光;赵哲;孔腾飞 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该应用于锗单晶生长的掺杂装置包括装置本体以及连接在所述装置本体一端端部的连接部件，所述装置本体上与所述连接部件相对的一端开设有容纳腔，用于容纳掺杂剂。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
应用于锗单晶生长掺杂装置

[实用新型]一种锗单晶炉加料口定量投料装置-CN202123142759.8有效
发明人：吕远芳 -专利权人：保定三晶电子材料有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶炉加料口定量投料装置，包括支撑架、送料带和料桶，所述送料带设于支撑架的一端，料桶设于支撑架的另一端，送料带的出料端伸至料桶的桶口处，料桶内设有投料机构，投料机构由料盘、壳体、定铁芯和动铁芯组成。本锗单晶炉加料口定量投料装置，通过设置的送料带实现对生产用料的输送，通过设置的料桶及桶内的投料机构，实现对生产用料的储料及定量投放，因此相比于人工称重投放方式更加高效、准确、省时省力。
一种锗单晶炉加料定量投料装置

[实用新型]锗多晶制备装置-CN202123387340.9有效
发明人：顾小英;狄聚青;赵青松;牛晓东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本公开提供一种锗多晶制备装置，其包括石墨舟、石英管、进气管、排气管、第一加热机构、第二加热机构以及移动机构；石墨舟用于盛放氧化锗；石英管用于收容盛放氧化锗的石墨舟；进气管和排气管设置在石英管的轴向两端，进气管用于通入吹扫气体或氢气，排气管用于将通入的吹扫气体或氢气排出，进气管的进气道的最大直径大于排气管的排气道的最小直径；第一加热机构用于对石英管的至少对应整个石墨舟的部分进行加热以在通过进气管和排气管使氢气在石英管内流动过程中石墨舟内的氧化锗还原成锗多晶；第二加热机构连接于移动机构，移动机构能够往复移动，移动机构用于驱动第二加热机构进行锗多晶的区熔。由此，避免在吹扫气吹扫过程中气体产生回流。
多晶制备装置

[实用新型]一种锗单晶炉出料口导向装置-CN202123061076.X有效
发明人：吕远芳 -专利权人：保定三晶电子材料有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶炉出料口导向装置，包括单晶炉、底座、第一排气装置、第二排气装置和坩埚转动装置，所述单晶炉底端与底座上端相连，底座底端设置有多组支撑腿，单晶炉底端一侧开设有第一排气装置。本锗单晶炉出料口导向装置，导向板外直径小于坩埚内直径中，连接块底端安装的导向板会对物料进行导向作用，使物料落入至坩埚中，使进料的过程更加顺畅，坩埚内安装的晶体棒对物料进行惰性气体分离，保温层可以对坩埚内的物料进行持续保持恒温，从而可以使晶体棒一直发挥作用，第一排气装置装置和第二排气装置结构一致，双重提取装置可以使单晶炉内腔中的惰性气体进行更好的导向排气，不会使单晶炉内腔中的惰性气体滞留。
一种锗单晶炉出料口导向装置

[发明专利]锗多晶制备装置-CN202111639509.7在审
发明人：顾小英;狄聚青;赵青松;牛晓东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本公开提供一种锗多晶制备装置，其包括石墨舟、石英管、进气管、排气管、第一加热机构、第二加热机构、移动机构以及支撑件；石墨舟用于盛放氧化锗；石英管用于收容盛放氧化锗的石墨舟；进气管和排气管设置在石英管的轴向两端，进气管用于通入吹扫气体或氢气，排气管用于将通入的吹扫气体或氢气排出；第一加热机构用于对石英管的至少对应整个石墨舟的部分进行加热以在通过进气管和排气管使氢气在石英管内流动过程中石墨舟内的氧化锗还原成锗多晶；第二加热机构连接于移动机构，移动机构能够往复移动，移动机构用于驱动第二加热机构以进行区熔；支撑件用于收容在石英管内并支撑石墨舟以使石墨舟居中地位于石英管中。由此，能提高温度场分布均匀性。
多晶制备装置

[发明专利]超高纯锗单晶的制备方法及设备-CN202111244373.X在审
发明人：顾小英;赵青松;狄聚青;牛晓东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本公开提供一种超高纯锗单晶的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将高纯籽晶和高纯锗料进行腐蚀、清洗、高纯氮气吹干；步骤二，将高纯籽晶和高纯锗料放入炉体里，密封；步骤三，高纯氢气吹扫后，加热将高纯锗料融化；步骤四，引晶：将高纯籽晶伸入熔融锗料，调节温度进行引晶；步骤五，缩颈：调节温度，缩颈至所需的直径和长度，进行排位错；步骤六，放肩：调节温度，放肩至所需要的晶体尺寸；步骤七，等径：温度不变，等径至所需的长度；步骤八，收尾：通过调节温度，收尾直至锗料提拉完毕；步骤九，出炉：降至室温，方可出炉。本公开的制备超高纯锗单晶的设备，包括：加热装置、固定装置、密封装置、冷却装置、通气装置、提拉装置、观察装置。
高纯锗单晶制备方法设备

[实用新型]一种用于锗单晶定形尺寸生长的装置及生长炉-CN202122363610.6有效
发明人：牛沈军;彭明林;周方;韩世昌;刘雪松;朱逢锐;徐悟生 -专利权人：秦皇岛本征晶体科技有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于锗单晶定形尺寸生长的装置，包括定型模具，所述定型模具上设置有台阶通孔，所述台阶通孔的小端设置在定型模具的下部，且小端内壁设置为仿形面，所述定型模具上部的外表面上设置有固定边，所述固定边设置在导流筒底部；还提供一种生长炉，采用上述的模具。本实用新型能够制备无需掏棒的原生晶体，损耗小、品质高。
一种用于锗单晶定形尺寸生长装置

[实用新型]大尺寸红外光学用锗窗口材料的制备装置-CN202122351574.1有效
发明人：吴绍华;杨伟声;南曲哲;董汝昆;母婷婷;王元康;张二平;郭晨宇;钟荣;徐红刚;吴应强;张友良;高海鹏 -专利权人：云南北方光学科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸红外光学用锗窗口材料的制备装置，包括加热系统、隔热保温系统、转动升降装置和模具装置，所述加热系统设置在隔热保温系统内，模具装置则设置在加热系统内，模具装置的底部与转动升降装置相连，所述转动升降装置的下部从加热系统和隔热保温系统底部的中心穿过。解决用现有设备进行大尺寸红外光学用锗窗口材料的制备存在设备结构复杂，技术难度大，制备出来的锗单晶成晶率低，还存在后续成型加工困难，运行周期长、原料用量大、生产成本高的实际问题。
尺寸红外光学窗口材料制备装置

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