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[发明专利]基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法-CN202310514361.7在审
发明人：韩家贤;叶晓达;柳廷龙;王顺金;唐康中;赵兴凯;韦华;何永彬;刘吉才;段鑫敏;黄平;刘汉保;桂丽娇 -专利权人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长用三氧化二硼水含量的方法，属于Ⅲ‑Ⅴ族化合物单晶技术领域，具体涉及Ge、GaAs、InP、GaP、InAs、GaSb等晶体生长用三氧化二硼水含量的检测方法。本发明的检测方法，包括氮气吹扫样品室、采集背景、放置三氧化二硼于支撑底座上、导入背景、采集样品、根据峰面积计算水含量等步骤。本发明通过红外吸收带的波数位置、吸收峰的面积等来鉴定三氧化二硼的水含量，具有用量少、分析速度快、不破坏样品等特点。有效监控三氧化二硼的水含量，有利于生长晶体，使晶体表面光滑、单晶率提高。
基于傅里叶红外吸收光谱仪检测晶体生长氧化二硼水含量方法

[发明专利]基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法-CN202210496774.2有效
发明人：韩家贤;邱锋;许天;惠峰;韦华;赵兴凯;王顺金;柳廷龙;刘汉保;黄平;何永彬;叶晓达 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：基于VB法与VGF法结合的砷化铟单晶生长方法，涉及一种VB法与VGF法结合砷化铟晶体生长装置、装料方法以及晶体生长工艺。所述的生长装置，由加热炉体、热场系统、支撑系统、容器系统和坩埚下降装置组成，所述生长方法，包括装料、装炉、化料、接籽晶、放肩、等径生长、冷却退火步骤。所述的装料容器分为上坩埚、下坩埚和石英安瓿瓶，利用锥形料、圆饼料和梯型料合理的搭配设计，不但能使装料结构稳定、还有助于高温时很好的化料，可以有效提高成晶率31%，通过砷化铟多晶的合成、装料、单晶生长获得籽晶胚、籽晶胚加工获得籽晶，再进行单晶生长，最终生长远低于LEC生长的低位错的砷化铟单晶。
基于 vb vgf 结合砷化铟单晶生长方法

[发明专利]一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法-CN202310617181.1在审
发明人：牛应硕;李有云;刘汉保;韦华;杨春柳;赵茂旭;韩家贤 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善砷化镓晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的砷化镓晶片浸于有机溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗；浸于第一碱液中清洗；置于溢流槽中冲洗；浸于第二碱液中清洗；冲水后干燥。通过本方法处理后可以有效改善晶片表面药水、脏污、颗粒及粘胶缺陷，获得高洁净表面；可获得表面免清洗晶片，达到Epi‑ready要求。
一种改善砷化镓晶片表面质量清洗方法

[发明专利]一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法-CN202210196199.4有效
发明人：刘得伟;李宝学;杨涛;尹正雄;赵伟;周安祥;陆贵兵;普世坤 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
一种夹渣含杂单晶锗废料方法

[发明专利]一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法-CN202310959314.3在审
发明人：赵茂旭;刘汉保;韦华;刘建良;杨绍楠;李晓宏;孙清;牛应硕;韩家贤;赵兴凯;王顺金;杨春柳 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的磷化铟晶片浸于预清洗溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗后甩干；浸于柠檬酸液中清洗；置于溢流槽中冲洗后浸泡于水中；单片浸于预清洗溶液中清洗后冲水；单片浸于稀硫酸液中清洗后冲水并甩干；单片浸于浓硫酸液中清洗；单片冲水并甩干。通过本方法处理后可以有效改善晶片表面药水、脏污、微颗粒缺陷，获得高洁净表面；可获得表面免清洗晶片，达到Epi‑ready要求；可有效解决外延中由于液体蜡残留产生的密集点缺陷和微颗粒产生的彗星状缺陷，满足晶片外延的表面需求。
一种改善磷化晶片表面质量清洗方法

[发明专利]磷化铟碎片制备多晶的方法-CN202310385188.5在审
发明人：赵兴凯;权忠朝;马冬生;叶晓达;柳旭;杨秋云;韦华;韩家贤;王顺金 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：磷化铟碎片制备多晶的方法，涉及半导体材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟回料制备磷化铟多晶的方法。本发明的方法包括碎片处理、装料入炉、多晶制备及冷却出炉4个步骤。本发明的方法简便易操作，可用现有的高压VGF炉直接制备磷化铟多晶，碎片利用率高，所制备多晶纯度高，达到继续生长单晶的要求，缩减了资源循环利用流程，提高了磷化铟废料的利用率，具有可观的经济效益。
磷化碎片制备多晶方法

[发明专利]一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法-CN202310428695.2在审
发明人：赵磊;魏海龙;杨春柳;阮开科;何孝刚;曹小贵;朱正根;周永健 -专利权人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于N型锗衬底的碱性抛光方法，包括以下步骤：S1，在相对恒定的环境下对晶片背面进行贴膜；S2，用碱性粗抛液对晶片进行粗抛处理；S3，用硫酸和去离子水清洗晶片、并甩干；S4，用碱性精抛液对晶片进行精抛处理；S5，用去离子水冲洗晶片；S6，将精抛后的晶片甩干。该方法能降低化学品的消耗量，且针对性地对锗N型半导体衬底提高抛光、清洗结果的合格率以及晶片表面的均匀性。
一种用于衬底碱性抛光方法

[发明专利]VB法制备超高纯多晶锗的方法-CN202210829095.2有效
发明人：包文瑧;柳廷龙;普世坤;刘吉才;何永彬;刘晋 -专利权人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：VB法制备超高纯多晶锗的方法，属于超高纯锗多晶制备领域。本发明的方法，包括以下步骤：采用VB法定向凝固结晶，将6‑8N纯度的锗多晶原料放入特殊处理的高纯石英坩埚内，再将其装入高纯石英管内通入高纯氢气，对6‑8N纯度的多晶锗在超高纯氢气气氛中进行高频感应加热，使其全部熔化为液体，保持高频感应加热持续不变，缓慢下降载有锗液体的高纯石英坩埚，使液体自下而上的缓慢凝固，使其中的微量杂质在固液转换的界面中，由于分凝系数不同，不断富集至晶体下部，从而把6‑8N纯度的多晶锗提纯至＞12N纯度的超高纯多晶锗。
vb 法制高纯多晶方法

[发明专利]一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法-CN202210078324.1在审
发明人：郭建新;刘汉保;韦华;赵磊;吕春富;杨春柳;李国芳 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C11D7/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗工艺，属于半导体材料技术领域，具体包括使用脱胶液清洗后，再使用不同浓度浓硫酸清洗，所述脱胶液以体积百分比浓度计包括：氨基三甲叉磷酸50‑90%、高氯酸1‑10%、EDTA‑2Na1‑5%、余量为纯水，本发明的清洗工艺，首先采用脱胶液清洗，再使用浓硫酸碳化清洗，具有晶片背面黏胶去除彻底、操作简单、生产效率高、能降低酸液对粗抛光锗晶片表面侵蚀的特点，现已实现(2‑6)英寸粗抛光锗晶片批量、高效及稳定化生产，是高端锗晶片生产过程中具有重要意义的工序。
一种抛光晶片背面黏胶清洗方法

[发明专利]VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法-CN202211444186.0在审
发明人：包文瑧;何永彬;唐康中;陈学富;刘晋;王顺金;韩家贤 -专利权人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C03B23/207 文献下载
摘要：VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法，属于VGF晶体生长技术领域，具体涉及一种用于VGF法真空生长超大直径晶体的石英管封焊的方法。本发明方法中使用的是热应力检测合格的石英管和石英管封帽，在将石英管和石英管封帽清洗干净，坩埚装入石英管内后进行封焊，封焊过程具体包括预热、封焊、退火步骤。本发明的方法，保障长周期高温的晶体生长过程中保证石英管不会出现裂管现象，最大程度的保障石英管真空封焊的一次成功率。
vgf 晶体生长超大直径石英管真空方法

[发明专利]激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法-CN202211310523.7在审
发明人：杨春柳;鲁闻华;李有云;刘汉保;韦华;牛应硕;杨杰 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法，涉及一种激光器用砷化镓偏角度为15°晶片的清洗方法，属于半导体加工技术领域。本发明的方法包括先用碱性溶液清洗再用酸性溶液清洗，从而减小晶片表面的氧化砷和氧化镓的比值。本发明的方法可以改善晶片表面的清洁度、微观粗糙度、均匀性、氧化层厚度及晶片表面氧化砷和氧化镓的比例。
激光器用砷化镓偏角 15 晶片清洗方法

[发明专利]超薄锗单晶抛光片的清洗方法-CN202111680205.5在审
发明人：韩家贤;韦华;王顺金;吕春富;赵兴凯;杨春柳;李国芳 -专利权人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：超薄锗单晶抛光片的清洗方法，涉及锗单晶抛光片的清洗技术，特别涉及一种超薄、表面洁净度及粗糙度要求高的清洗方法。本发明超薄锗单晶抛光片使用背面粘贴UV膜进行抛光，揭膜后放置于碱液中浸泡，用高纯水枪冲洗，把晶片放入甩干机甩干，再单片浸入显影液清洗，最后用ETCH药液清洗，有效去除超薄锗单晶抛光片表面磨料颗粒沾污以及钝化晶片表面，颗粒度大于0.3μm的不超过8颗每片，清洗后表面清洁透亮，表面均匀细腻、粗糙度小于0.5nm，达到免清洗“开盒即用”的表面质量要求，很大程度提高超薄锗抛光片表面质量，为下游外延层质量的提高奠定基础。由于本操作简捷、方便操作，极大程度降低清洗操作难度，容易量产。
超薄锗单晶抛光清洗方法

[发明专利]磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法-CN202210506067.7在审
发明人：赵兴凯;邱锋;权忠朝;韦华;叶晓达;柳旭;徐仁勇;刘文斌;韩家贤;王顺金;李国芳 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。
磷化铟单晶回料采用 vgf vb 再次生长装料方法

[实用新型]一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置-CN202123249664.6有效
发明人：韩家贤;韦华;何永彬;王顺金;吕春富;李国芳;刘吉才;唐康中 -专利权人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本专利技术属于化合物半导体晶体生长领域，具体公开一种大尺寸VGF法锗单晶生长装置，包括支撑系统和石英安瓿瓶，石英安瓿瓶放置于支撑系统上，所述支撑系统包括外保温层，所述外保温层距离顶部和底部一定距离的横截面上设置有第一控温层和第二控温层，所述第一控温层和第二控温层上分别设置有三个间隔120゜阵列分布矩形孔，所述第一控温层上的矩形孔和第二控温层上的6个矩形孔错位按间隔60゜阵列分布，第一控温层与外保温层顶部之间的距离L和第二控温层与外保温层底部之间的距离L相等，且外保温层的外径D与L之间的比例系数为1.5，改进后的保温和散热装置能生长大尺寸、低位错的晶体。
一种尺寸 vgf 法锗单晶生长装置

[实用新型]一种用于晶片退火的卡塞装置-CN202221065908.7有效
发明人：杨春柳;邱锋;刘汉保;韦华;韩家贤;郭建新 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于晶片退火的卡塞装置，属于半导体材料加工技术领域，包括四根卡槽杆，所述四根卡槽杆围合成倒梯形状的盛片室，相邻两根卡槽杆的端部使用连接杆进行固定，卡槽杆上设置有若干间隔一定距离的卡槽，相邻两根卡槽杆上的卡槽位置相互对称，本实用新型利用石英材料制造卡塞其具有耐高温且不易变形的优点，卡槽杆上的卡槽有效地保证了晶片的独立放置，防止晶片之间接触粘连。
一种用于晶片退火装置

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