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[发明专利]低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法-CN201110240916.0有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，包括以下步骤：步骤一、锗硅异质结双极晶体管的发射极采用多晶硅层，对发射极作掺杂后进行快速热退火，对杂质进行扩散再分布；步骤二、对多晶硅发射极作中高剂量的大原子杂质的预非晶化离子注入，并快速退火，实现非晶化的发射极再结晶，生成单晶层，使得发射区/基区结由单晶硅/单晶锗硅构成；步骤三、预非晶化离子注入后需立即进行快速热退火，对非晶化的发射极作再结晶处理。
噪声锗硅异质结双极晶体管制作方法

[发明专利]一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法-CN03141886.4有效
发明人：董业民;程新利;陈猛;王曦;张峰 -专利权人：上海新傲科技有限公司
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提出了一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延方法在衬底表层外延形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种，或在锗硅薄膜上继续外延单晶硅形成应变硅的结构。具体工艺步骤包括4步：(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模；(2)离子注入；(3)高温退火；(4)CVD外延生长单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。
一种图形绝缘体材料制备方法

[发明专利]一种锗单晶切片脱胶剂及其脱胶方法-CN202011153915.8有效
发明人：房现阁;柯尊斌;王卿伟 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23G1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗单晶切片脱胶剂及其脱胶方法，锗单晶切片脱胶剂，包括二氯甲烷、乙酸异戊酯和水，二氯甲烷和乙酸异戊酯的体积比为(6～9.5)：(0.5～4)，水的体积为二氯甲烷和乙酸异戊酯体积和的5％～50本发明锗单晶切片脱胶剂，其成本仅为丙酮的1/6左右，大大降低了生产成本；以水作为密封层，有效阻止了二氯甲烷和乙酸异戊酯的挥发，避免了挥发损耗，降低了脱胶剂的使用量；加速了脱胶速度，提高了生产效率；使用过程中损耗少
一种锗单晶切片脱胶及其方法

[发明专利]单晶锗红外晶体分光镜、及激光长波红外分束膜制备方法-CN202111335653.1有效
发明人：李鹏;李岳峰;陈志航;孙红晓;刘楚;吕一帆 -专利权人：中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本发明一种单晶锗红外晶体分光镜、及激光长波红外分束膜制备方法，属于光学薄膜制造技术领域；分光镜由单晶锗红外晶体基底和具有45°入射角在1.064μm高反射、7.7μm～10.3μm高透过率的分束膜两部分构成本发明严格执行程序设定每层镀膜的过程工艺参数(几何厚度、温度、沉积速率与真空度)，并结合膜层厚度在线控制系统控制膜层几何厚度，即可实现单晶锗红外晶体分光镜激光长波红外分束膜制备，最终达到要求的光学特性技术指标
单晶锗红外晶体分光镜激光长波分束膜制备方法

[实用新型]一种经济型长波红外锅炉镜头-CN201821510255.2有效
发明人：雷季东;王胜龙 -专利权人：三河市蓝思泰克光电科技有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G02B13/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种经济型长波红外锅炉镜头，从物方至像方依次有三组透镜，包括：具有正光焦度的第一透镜，为一片凸面朝向像方的弯月形锗单晶正透镜；具有正光焦度的第二透镜，为一片凸面朝向像方的弯月形锗单晶正透镜；具有正光焦度的第三透镜，为一片凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜。
透镜长波正光焦度弯月形锗单晶正透镜像方本实用新型红外锅炉经济型凸面镜头非制冷探测器凸面朝向物方经济实用焦距体积小重量轻物方像元成像锅炉

[实用新型]一种锗单晶生长的自动进料及出料装置-CN202120836721.1有效
发明人：彭明清;崔丁方;缪彦美;韩帅民;张文泽熹;赵威;子光平;匡子登;廖吉伟 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶生长的自动进料及出料装置，涉及晶体生长技术领域。本实用新型通过设置升降机构，使得进料机构的高度可自由调节，从而能适应不同规格坩埚的进料要求，且可实现定量进料，通过设置滑套、连杆和六个锗单晶放置筒，使得该装置的出料较方便，解决了现有的锗单晶生长的自动进料及出料装置难以实现定量进料
一种锗单晶生长自动进料装置

[实用新型]一种用于大靶面红外探测器的微距镜头-CN202121930373.0有效
发明人：陈巍 -专利权人：三河市蓝思泰克光电科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G02B13/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于大靶面红外探测器的微距镜头，镜头中的镜片包括由物方至像方依次设置的第一透镜、第二透镜和第三透镜；其中，所述第一透镜具有正光焦度，为凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜，其朝向像方的一侧为非球面；所述第二透镜具有负光焦度，为凸面朝向物方的弯月形锗单晶负透镜，其朝向像方的一侧为衍射面；所述第三透镜具有正光焦度，为双凸形锗单晶正透镜，其朝向像方的一侧为非球面。
一种用于大靶面红外探测器镜头

[发明专利]一种单晶硅生长方法-CN202310450640.1在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅生长方法，涉及单晶硅生产技术领域。该单晶硅生长方法包括：根据晶棒头部的电阻率，向硅溶液里掺杂含磷母合金；在检测得到的所述晶棒的电阻率低于预设门限时，或者，在所述晶棒被拉制到预设长度时，向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片通过向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片，能够通过硼元素提升晶棒的电阻率，控制单晶硅生长过程中电阻高于预设门限；通过掺杂锗元素能够消除因为掺杂硼和氮引起的硅晶格畸变。
一种单晶硅生长方法

[实用新型]一种改善锗单晶片总厚度变化的装置-CN201822185751.1有效
发明人：唐安泰;李建平 -专利权人：昆明汇泉高纯半导材料有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，包括固定盘，所述固定盘顶部开设有吸附孔，所述吸附孔远离固定盘表面的一端连通有压力槽，所述压力槽开设在固定盘内部，所述固定盘顶部边缘固定连接有固定圈，所述压力槽内壁一侧开设有活塞槽所述活塞槽内壁远离压力槽的一端开设有螺纹孔，所述螺纹孔贯穿固定盘，所述活塞槽内壁滑动连接有活塞，所述活塞靠近螺纹孔的一侧转动连接有活塞杆，所述活塞杆通过螺纹孔贯穿固定盘并延伸至固定盘外部，本实用新型涉及锗单晶技术领域该一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，能够使底盘和无蜡垫之间连接更紧密，并且避免无蜡垫位移，改善单晶片总厚度变化，操作简单，工作效率高。
固定盘总厚度变化螺纹孔锗单晶片活塞槽压力槽本实用新型活塞活塞杆吸附孔蜡垫内壁工作效率高顶部边缘内壁滑动转动连接单晶片固定圈有压力锗单晶底盘贯穿连通外部延伸

[发明专利]一种镓锗硼共掺多晶硅及其制备方法-CN201510492035.6在审
发明人：刘依依;葛文星;付少永;熊震 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种镓硼锗共掺多晶硅，属于半导体材料制作技术领域，其特征在于：在单晶硅中掺杂有镓、硼、锗三种元素，该三种元素在单晶硅中最终的原子体积浓度分别为1.02*10¹⁵-1.02*10¹⁷atoms/cm³，硼元素10¹⁵-10¹⁷atoms/cm³,锗元素10锗共掺多晶硅的方法。本发明中的镓锗硼共掺多晶硅，大大降低或避免了硼氧复合体的产生，降低了电池的光致衰减；同时提高了硅片的机械强度；本发明提供的镓锗硼共掺多晶硅的制备方法简便，易操作，成本低可规模化生产。
一种镓锗硼共掺多晶及其制备方法

[发明专利]一种二硫化锆-锗纳米金字塔异质结、制备方法及其应用-CN201910997350.2在审
发明人：张希威;孟丹;汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化锆‑锗纳米金字塔异质结、制备方法及其应用。其包括一层表面具有纳米金字塔结构的单面抛光单晶锗片，单晶锗片上设有一层均匀连续的二硫化锆薄膜。本发明内容所涉及的异质结制备方法包锗片表面的各向异性刻蚀以及原子层沉积工艺制备二硫化锆。由于本发明所涉及的异质结是由新型二维半导体二硫化锆与表面具有三维纳米结构的锗衬底结合，不但可以发挥出新型二维材料的优点，还可以达到调控吸光波长、增强光吸收的效果；并且原子层沉积工艺可以使二硫化锆薄膜完全铺满锗衬底表面和纳米金字塔的侧壁
硫化异质结制备原子层沉积工艺单晶锗锆薄膜金字塔各向异性刻蚀光电转换效率三维纳米结构二维半导体光电子器件金字塔结构衬底表面单面抛光二维材料全面接触光波长光吸收侧壁衬底结区锗片调控应用

[发明专利]自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210160790.0有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法降低了基极电阻RB，工艺简单，成本低。
对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]制造GOI半导体结构的方法及使用这些方法制造的半导体结构-CN200610137543.3有效
发明人：程慷果;J·A·曼德尔曼;B·J·格里恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体结构包括单晶体含锗层，优选基本上纯锗，衬底，以及将含锗层与衬底分开的掩埋绝缘层。多孔层，其可以是多孔硅，在衬底上形成，而含锗层在多孔硅层上形成。可以将多孔层转变为提供掩埋绝缘层的氧化层。作为选择，可以将含锗层从多孔层转移到另一个衬底上的绝缘层。转移后，绝缘层掩埋在后一衬底和含锗层之间。
制造 goi 半导体结构方法使用这些

[发明专利]一种偏离100晶向9o-CN202110437604.2在审
发明人：高丹;佟丽英;赵权;张伟才;武永超;李保军 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏离100晶向9º锗单晶片位错密度测量方法，包括配制腐蚀液：氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液体积比为1：2.8‑3.2：1.8‑2.2；腐蚀：将锗抛光片置于花篮中，将花篮放入腐蚀液中，腐蚀时间为5‑10min，取出花篮，用去离子水冲洗干净；甩干：将花篮放入甩干机，甩干速度为800‑1200r/min，甩干时间2‑5min；用金相显微镜观察腐蚀后的锗抛光片表面位错形貌，在锗抛光片表面上以方格边长为13mm布置一定数量的测试范围，每个测试范围选取一个测试点，对各测试点位错个数计数，计算其位错密度；本发明能够清晰显示偏离100晶向9º的锗单晶片的位错形貌。
一种偏离 100 base sup

[发明专利]一种合成有机－无机复合的氧化锗单晶纳米线的方法-CN200710044722.7无效
发明人：高庆生;张亚红;唐颐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种合成有机－无机复合的氧化锗单晶纳米线的方法。该方法是以氧化锗作为锗源，与氧化铁进行混合研磨后，通过有机胺的液－固相处理，最终获得有机－无机复合的单晶氧化锗纳米线。由本发明方法制备的复合纳米线具有规律的有机－无机复合亚纳米周期性结构、可调控的物化性质、大的比表面积以及粗细、长短可调控的特性，因此这种复合的氧化锗纳米线可在许多领域，例如纳米器件组装、先进催化剂的设计
一种合成有机无机复合氧化锗单晶纳米方法