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[发明专利]一种大尺寸硅基GaAs衬底制备方法-CN201610841920.5在审
发明人：王文庆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造及设计技术领域，特别涉及一种大尺寸硅基GaAs衬底制备方法，该方法包括以下步骤步骤1选取单晶Si衬底，并对单晶Si衬底清洗；步骤2在所述单晶Si衬底表面形成若干封闭沟道；步骤3在步骤2处理过的单晶Si衬底上采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤4采用MOCVD的方法，在所述锗层上低温、低生长速率外延生长GaAs缓冲层；步骤5在GaAs缓冲层上，生长GaAs层，完成衬底材料的制备
一种尺寸 gaas 衬底制备方法

[实用新型]一种锗单晶炉出料口导向装置-CN202123061076.X有效
发明人：吕远芳 -专利权人：保定三晶电子材料有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶炉出料口导向装置，包括单晶炉、底座、第一排气装置、第二排气装置和坩埚转动装置，所述单晶炉底端与底座上端相连，底座底端设置有多组支撑腿，单晶炉底端一侧开设有第一排气装置。本锗单晶炉出料口导向装置，导向板外直径小于坩埚内直径中，连接块底端安装的导向板会对物料进行导向作用，使物料落入至坩埚中，使进料的过程更加顺畅，坩埚内安装的晶体棒对物料进行惰性气体分离，保温层可以对坩埚内的物料进行持续保持恒温，从而可以使晶体棒一直发挥作用，第一排气装置装置和第二排气装置结构一致，双重提取装置可以使单晶炉内腔中的惰性气体进行更好的导向排气，不会使单晶炉内腔中的惰性气体滞留。
一种锗单晶炉出料口导向装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN200810113665.8有效
发明人：赵星 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极介电层，以及依次位于栅极介电层上的复合不定型硅层、锗硅以及顶层硅，所述的复合不定型硅层、锗硅以及顶层硅构成所述半导体器件的栅极结构，其中，所述的顶层硅为单晶硅本发明还提供了所述半导体器件的制作方法，所述半导体器件由于采用单晶的顶层硅，降低了掺杂离子的激活能量，使顶层硅的导电能力提高，降低了连接结构的电阻，除此之外，由于降低了掺杂离子的激活能量，在半导体器件的制作工艺中的激活能量低，避免了栅极结构中的锗硅中的锗向栅极介质层方向迁移，提高了栅极介质层的稳定性。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种半导体锗芯-金属-玻璃包层复合材料中红外光纤及其制备方法-CN201911281239.X有效
发明人：冯宪;施进丹 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体锗芯‑金属‑玻璃包层复合材料中红外光纤及其制备方法，中红外光纤包括光纤包层和包裹在包层内的纤芯，光纤包层材料为氧化物玻璃，纤芯材料为单晶锗，纤芯材料与包层材料之间还设置有金属薄层，金属材料为锡，金属薄层的厚度为1‑50微米，纤芯直径为5‑200微米，包层外径为100‑1000微米，包层内径为6‑250微米；采用棒管法制备，即在半导体单晶锗棒的外壁包裹一层金属箔，然后插入包层玻璃管内本发明在高损耗的玻璃包层和的界面上引入反射率高的金属薄层，能够有效地降低半导体锗芯‑玻璃包层光纤在中红外3微米以上波段的传输损耗。
一种半导体金属玻璃包层复合材料红外光纤及其制备方法

[发明专利]石墨烯的生长方法-CN201510048255.X有效
发明人：罗军;亨利·H·阿达姆松;王桂磊;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯的生长方法，包括：提供单晶硅或单晶锗的衬底；在衬底上形成Si_1‑xGe_xC_y的外延层，其中，0.7≤x<1,0.002该方法具有在锗基衬底上制备石墨烯的优势和特点，并能够承受长时间的高温环境，适宜于采用化学气相沉积的方法制备高质量的石墨烯。
石墨生长方法半导体器件

[发明专利]一种红外连续变焦镜头的实现方法-CN202211079903.4在审
发明人：高明熙;陆泽成;陈文长;林政洋 -专利权人：天活松林光学（广州）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02B15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外连续变焦镜头的实现方法，使用凸面朝向物方的正光焦度双面球面弯月型锗单晶透镜构建前固定组；使用负光焦度的双面非球面双凹型锗单晶透镜构建变倍组；使用正光焦度的双面非球面双凸型硫系玻璃透镜构建补偿组；使用负光焦度的双面非球面弯月型硫系玻璃透镜构建后固定组；使用正光焦度的双面球面弯月型锗单晶透镜构建调焦组；将前固定组、变倍组、补偿组、后固定组以及调焦组沿光轴方向从物方到像方依次设置，组成红外连续变焦镜头
一种红外连续变焦镜头实现方法

[发明专利]三层混合晶向绝缘体上半导体结构及其制作方法-CN201510955087.2有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种三层混合晶向绝缘体上半导体结构及其制作方法，包括：基底、第一掩蔽层、第一凹槽、GaN层、第二凹槽、第一侧墙结构、单晶硅层、第三凹槽、第二侧墙结构、以及GeSi层，其中，所述GeSi层、GaN层以及单晶硅层的上表面在同一平面上持平。GaN层表面用于后续制备高频（超）高压GaN器件，(110)晶面锗硅层表面用于后续制备高频（超）低压锗硅器件，以利于充分增大孔穴载流子迁移率，(100)晶面单晶硅层表面用于后续制备常规硅基器件，从而充分利用SOI技术、锗硅技术、GaN技术、常规硅基技术将高频、（超）高压、（超）低压、高可靠性以及常规硅基纳米级器件整合设计到一个平面型半导体集成电路中提供一种先进的结构、工艺技术。
三层混合绝缘体上半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种具有损伤检测功能的锗单晶片生产用磨削处理设备-CN202310779141.7有效
发明人：吕远芳;杜晓星;张皓楠;李超 -专利权人：保定三晶电子材料有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有损伤检测功能的锗单晶片生产用磨削处理设备，涉及磨削技术领域，包括磨削组件、检测组件、上料单元、主机台，磨削组件、检测组件都设置在主机台上方，磨削组件设置在主机台一侧，检测组件设置在主机台另一侧另一方面，各层引导槽在转动的过程中会经过打磨面位置，被夹在打磨面和锗单晶片之间的碎屑能够就近被吸出，降低了锗单晶片二次损伤的概率。
一种具有损伤检测功能晶片生产磨削处理设备

[实用新型]对软轴提拉速度进行高精度控制的装置-CN200720032645.9有效
发明人：张红勇 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： G05B11/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种对软轴提拉速度进行高精度控制的装置，包括驱动输入与脉宽控制器连接，脉宽控制器与电机连接，电机与谐波减速器连接，谐波减速器与蜗轮蜗杆连接，蜗轮蜗杆与卷丝轮连接，卷丝轮与钢丝轴连接，钢丝轴接入锗单晶炉籽晶提升机构本实用新型从硬件方面采用了谐波减速器、无震动伺服机与脉宽直流控制器，实现了锗单晶生长过程对软轴提升速度(晶体生长速度)高精度的要求，完全符合现行锗单晶新工艺生长的需求。
软轴提拉速度进行高精度控制装置

[实用新型]一种锗单晶位错检测装置-CN201920720297.7有效
发明人：王卿伟;陈仕天;郭友林;柯尊斌;陆海凤 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶位错检测装置，包括工作台、活动夹具、反应箱、第一清洗箱、第二清洗箱和显微镜，所述工作台上设置有安装架，所述安装架的上端下表面设置有安装板，所述安装板的表面设置有横向的滑轨，所述活动夹具包括液压缸本实用新型结构简单，使用方便，通过夹具对锗单晶进行协助腐蚀检测的工作，使得检测安全性较高，同时，可在检测前对锗单晶进行有效的清洗，从而提高了后续检测结果的准确性。
一种锗单晶位错检测装置

[实用新型]一种红外锗单晶径向电阻率检测装置-CN201920708893.3有效
发明人：王卿伟;郭友林;陈仕天;柯尊斌;房现阁 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外锗单晶径向电阻率检测装置，包括壳体以及安装在壳体内部中间位置的挡板，所述壳体顶部中间位置开设有第一开槽，所述壳体一侧开设有第二开槽，所述第二开槽底部开设有限位孔，所述挡板两侧均设置有第一压缩弹簧本实用新型通过移动限位板，进而使得第一压缩弹簧发生形变，通过第一压缩弹簧的弹力将不同直径的红外锗单晶紧紧固定在限位板之间，同时由于检测针与限位板之间的固定关系，进而使得挡板两侧的检测针一直处于对称位置，进而方便测出红外锗单晶的径向电阻率，使得整个检测过程简单便捷，提高工作效率。
一种红外锗单晶径向电阻率检测装置

[发明专利]一种从锗单晶多线切割加工油锗混合物中回收锗的方法-CN201911290540.7在审
发明人：柯尊斌;房现阁;王卿伟;刘新军 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种从锗单晶多线切割加工油锗混合物中回收锗的方法，包括下述步骤：S1、将环保型重油清洗剂与水混合得到清洗液，加热，调节清洗液的pH值，加入油锗混合物，恒温搅拌，静置，分离出上清液和含锗沉淀物；S2、将所述含锗沉淀物进行压滤，得到含锗滤渣和滤液，将所述含锗滤渣烘干得到锗料，所述滤液投入下一轮清洗液中继续回收其中的锗；S3、向所述上清液中加入破乳剂和絮凝剂，将絮凝沉淀后过滤得到的含油滤渣进行委外处理本发明实现了锗金属回收再利用，同时满足环保对含油危废的处置要求。
一种锗单晶多线切割加工混合物回收方法

[发明专利]一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用-CN201810324711.2有效
发明人：张建军;王霆;张结印 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种锗‑硅基砷化镓材料及其制备方法和应用，所述锗‑硅基砷化镓材料包括表面具有周期性凹槽结构的硅衬底、附着在所述硅衬底表面的锗中间层、以及附着在所述锗中间层表面的砷化镓层。本发明利用锗(113)晶面对砷化镓反相畴的抑制作用以及锗与砷化镓晶格匹配的特点消除硅与砷化镓由于晶格失配所产生的应力，从而在III‑V族分子束外延设备上实现高质量单晶且超薄的砷化镓在硅(100)衬底上的外延生长
一种硅基砷化镓材料及其制备方法应用

[发明专利]一种从含锗废杂料中回收锗的方法-CN202210143867.7有效
发明人：赵科湘;陈飞 -专利权人：株洲科能新材料股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从含锗废杂物料中回收锗的方法，该方法是将单晶锗屑球磨粉碎后，进行热脱油处理，得到脱油锗粉，将脱油锗粉加入至热水中进行磁场除杂后，再依次经过过滤、干燥和熔融成锭，该方法采用温水浸出和磁场吸附协同除杂过程，不但能够高效脱除含锗废料中的杂质成分，提纯效果好，产品收率高，而且整个除杂过程无含氯试剂介入，对环境友好，无二次污染，该方法还具有流程简单，便于操作，化学试剂少等优点。
一种含锗废杂料中回收方法

[发明专利]形成绝缘体上硅锗衬底材料的方法、衬底材料及异质结构-CN200410044779.3无效
发明人：格哈瓦姆·G·莎赫迪;斯蒂芬·W·贝德尔;德维恩卓·K·萨达纳;凯思·E·佛格尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-05-18 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用SIMOX和锗互扩散形成基本上驰豫的、高质量绝缘体上硅锗衬底材料的方法。该方法包括首先将离子注入含硅衬底中，从而在含硅衬底中形成富注入物区。富注入物区具有足够的离子浓度，使得在随后的高温退火期间可以形成阻挡锗扩散的阻挡层。接着，在含硅衬底的表面上形成含锗层，然后在允许形成阻挡层和锗互扩散的温度下进行加热步骤，从而在阻挡层上面形成了基本上驰豫的单晶硅锗层。
形成绝缘体上硅锗衬底材料方法结构