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[发明专利]硅基锗电注入激光器及制作方法-CN200810044579.6无效
发明人：张建国 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-04-10 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：硅基锗电注入激光器及制作方法。该激光器的有源层基于单晶硅片上外延锗基单晶层材料形成的p⁺-i-n⁺结构。该激光器通过在大电流注入下于注入电流大于等于激射阈值时利用俄歇效应和激光器谐振腔形成一个正反馈来调节锗L导带谷和Γ导带谷的电子浓度比例，实现锗Γ导带谷更高的电子浓度，从而实现高效率、低工作电流密度的基于锗直接带隙近红外(～1.55μm)发光的硅基锗电注入激光器。
硅基锗电注入激光器制作方法

[发明专利]一种锗熔体浮渣清除方法-CN201510826525.5有效
发明人：李宝学;包文东;赵飞宇;罗玉萍 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：一种锗熔体浮渣清除方法，涉及浮渣清除技术领域，尤其是一种锗熔体浮渣清除方法。本发明的方法瞬间改变炉内压力，使熔体液面在压力差的作用下发生对流，浮渣在热对流的影响下漂移至炉体中央，之后将锗单晶作为浮渣提出的工具，多次反复重复直至除净炉内浮渣。本发明的一种锗熔体浮渣清除方法，无需改造单晶炉设备，节约成本。未引入新的除渣设备及手段，减少了固相、气相杂质的引入。同时，由于公司产业链的优化特性，粘附浮渣的单晶可以回炉冶炼，减少原料损耗。
一种锗熔体浮渣清除方法

[发明专利]一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺-CN201710816709.2有效
发明人：吕菲;张伟才;常耀辉;王云彪;窦连水;刘洋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。将锗单晶片浸入NH4OH：H2O2：HF：DIW=1：2：3：5的腐蚀液中，其中氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为40±1%、30±1%和25±1%，搅拌均匀，腐蚀液温度保持在50℃‑53℃，每次将10片锗单晶片浸入腐蚀液顺时针转动3min20s~3min40s，可去除厚度本腐蚀工艺中的腐蚀液腐蚀速度高效稳定，且腐蚀液温度、有效成分波动小，工艺条件易于控制，腐蚀后锗片表面一致均匀、无腐蚀坑，质量好，适用于批量生产。
一种高效稳定晶片腐蚀工艺

[发明专利]一种锗熔体浮渣清除装置及方法-CN200810227590.6无效
发明人：杨海;苏小平;冯德伸;李楠;闵振东 -专利权人：北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了属于浮渣清除技术领域的一种锗熔体浮渣清除装置及方法。装置由高纯石墨加工而成，安装在籽晶晶锤下方，由晶锤连接杆、圆形托盘和对称的两根托盘连接杆组成。该方法步骤如下，对锗熔体浮渣清除装置先进行表面处理，在籽晶晶锤下方安装锗熔体浮渣清除装置，将圆形托盘降至熔体表面下方，浮渣流入托盘中，待全部浮渣集中后，缓慢提起装置，浮渣脱离液面高温区后迅速凝固在装置托盘中，将装置升至单晶炉副室取出。使用该发明可以将熔体表面浮渣清除得比较干净，排除了由于杂质导致单晶晶变的可能，提高了大直径锗单晶的成晶率。
一种锗熔体浮渣清除装置方法

[发明专利]一种镓和锗共掺的直拉硅单晶-CN200910099993.1无效
发明人：杨德仁;余学功;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种镓和锗共掺的直拉硅单晶，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的镓，还含有浓度为1×10¹⁶～5×10²⁰/cm³的锗。在利用镓作为电活性掺杂剂避免光衰减的基础上，通过锗抑制硅单晶中原生微缺陷的形成，获得少子寿命比单独掺镓的硅单晶要高1倍以上的硅单晶，少子寿命最高达100μs，可用于高效率太阳电池的制备。同时，其机械强度比单独掺镓的硅单晶要高20％以上，室温断裂机械强度最高可达300N/mm²，应用于太阳能电池中时，硅片可以切得较薄，降低了太阳能电池的制造成本。
一种锗共掺直拉硅单晶

[发明专利]高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台及测试方法-CN202310339974.1在审
发明人：王博;柴晨;曹琳;马远飞;冯德伸;林泉;刘晓华;莫杰;邢俊;郭伟才;张海涛;张海鹏;纪淼 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司;有研新材料股份有限公司;中国有研科技集团有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台及测试方法，属于霍尔测试技术领域，其中一种高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台，包括检测台和四个探针组件；检测台的上端面设有矩形的样片放置区；检测台内具有电路板，本发明提供的高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台，有效避免了引线焊接产生的虚焊、断焊等导致的欧姆接触失败，提高了连接的稳定性和霍尔测试的准确性，满足了探测器用高纯锗单晶净杂质浓度的测试需求。
高纯锗单晶霍尔测试微型探针方法

[发明专利]降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置-CN200710099557.5有效
发明人：苏小平;冯德伸;杨海;李楠;尹士平 -专利权人：北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2007-05-24 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了属于生长单晶技术领域的一种降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置。采用降埚直拉法生长低位错锗单晶，工艺流程为将高纯锗原料放到坩埚内，将籽晶安装在籽晶夹头上，在拉晶过程中逐渐降低埚位，晶体是自上而下生长，实现在较小温度梯度热场条件下，在较高埚位进行缩颈然后降低埚位进行拉晶的关键技术，有效解决了缩颈和位错增殖之间的矛盾，生长成功大尺寸(4英寸以上)低位错锗单晶，满足空间高效GaAs/Ge太阳电池衬底片要求。
降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺装置

[实用新型]VGF锗单晶生长炉支撑底座-CN201620518771.4有效
发明人：肖祥江;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：VGF锗单晶生长炉支撑底座，涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成；底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中
vgf 锗单晶生长支撑底座

[实用新型]一种改善锗单晶片总厚度变化的装置-CN201620689709.1有效
发明人：李雪峰;肖祥江;吕春富;田东;张李根;董桂杰;段明龙 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，涉及晶体加工技术领域，尤其是一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘、无蜡垫、圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块构成，陶瓷盘表面粘有若干个无蜡垫，无蜡垫内设置圆形凹槽，本实用新型的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，设计科学，结构简单，使用方便，能够有效清除无蜡垫与陶瓷盘之间的间隙，让无蜡垫更加牢固、平稳地粘在陶瓷盘表面，进而改善了锗单晶片的总厚度变化，圆垫为聚氯乙烯材料
一种改善晶片厚度变化装置

[实用新型]一种经济型热成像连续变焦镜头-CN202021276211.5有效
发明人：付澍;任乾洋;杨天领 -专利权人：北京蓝思泰克科技有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G02B15/173 文献下载
摘要：本申请提供一种经济型热成像连续变焦镜头，包括由物方到像方依次设置的具有正光焦度的前固定组，包括一片凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜；具有负光焦度的变倍组，包括一片双凹形锗单晶负透镜；具有正光焦度的补偿组，包括一片凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜；具有正光焦度的后固定组，包括一片凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜。
一种经济型成像连续变焦镜头

[实用新型]一种锗单晶片用双面镀膜设备-CN202121367836.7有效
发明人：裴洁;裴泽轩;刘怀成;李怀宇 -专利权人：保定晶泽光电技术有限公司
申请日： 2021-06-19 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B05B13/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶片用双面镀膜设备，顶板放置喷涂机构，顶板内部有滚动机构，底板上有夹持机构，夹持机构的中部有锗单晶片；喷涂管设置有两根，安装在滚动机构上，喷头安装在喷涂管的底部侧面；滚动带设置有两条本实用新型的一种锗单晶片用双面镀膜设备，通过电机为动力齿轮提供驱动力带动齿条与滚动齿轮的转动，喷涂管随着滚动齿轮的移动，从而完成左右移动喷涂镀膜的工作；喷涂管上带有喷头的的一侧分别朝向锗单晶片的两侧，安装在两个滚动齿轮的侧面
一种晶片双面镀膜设备

[发明专利]一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺-CN202011151951.0有效
发明人：王宇;冯德伸;李燕;雷同光;王博 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺，包括以下步骤：(1)通过常规缩颈工艺将细颈的尺寸控制在3‑5mm，长度150‑300mm；(2)将细颈放粗到Φ15±2mm，等径拉制一段长度，直到细颈部位到达600℃以下的热场区域，然后再放肩到单晶所需的直径。本发明的工艺用于在小梯度热场下，能够在拉制大尺寸无位错锗单晶时，减少细颈因受单晶重力因素导致塑性形变而产生位错，避免这些位错延伸到单晶。
一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺

[发明专利]具有浅层向外扩散P+发射极区的锗化硅异质结双极晶体管-CN201380015922.3有效
发明人： J·A·巴布科克;A·萨多夫尼科夫 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：pnp型硅锗异质结双极晶体管(HBT)(300)通过外延生长发射极以包括单晶锗区(316)和上覆的单晶硅区(318)，降低晶体管的p+发射极(310)中的p‑型掺杂物原子向外扩散到晶体管的基极(150)
具有向外扩散发射极锗化硅异质结双极晶体管

[发明专利]一种P型低位错锗单晶制备工艺-CN202210203200.1有效
发明人：黄治成;郭晨光;包炤东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明属于单晶生长技术领域，公开了一种P型低位错锗单晶的制备工艺，具体包括：原料酸法腐蚀、引细颈、放肩、转肩、等径生长、收尾退火、降温冷却，该工艺在放肩阶段保持温度恒定不变，分两个阶段线性降低晶体生长速度本发明在原有的CZ工艺基础上对放肩工艺进行改进，可生长出低位错密度的P型锗单晶，为以后实现零位错、低缺陷太阳能级P型锗单晶打下坚实的基础。
一种低位错锗单晶制备工艺

[发明专利]一种炉体热场及大尺寸锗单晶生长工艺-CN202211392095.7在审
发明人：崔丁方;王同波;王云鹏;张文泽熹;陈俊肖;韩帅民;孙燕;张仕波;缪彦美;子光平 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司;昆明冶金研究院有限公司北京分公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种炉体热场及大尺寸锗单晶生长工艺，并设计优化出大尺寸（300mm）锗单晶的生长工艺。水冷强度和保温毡布置等，开发出适合于坩埚/晶体直径比小于2.0的炉体热场；在该热场条件下，优化出放肩、转肩、等径、收尾阶段的功率、拉速加热器温度协同控制工艺，使得在坩埚/晶体直径比小于2.0的炉体热场内高效完成大尺寸红外锗单晶的生长
一种炉体热场尺寸锗单晶生长工艺