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[发明专利]去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法-CN201610437697.8有效
发明人：何杰;肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
锗单晶片后表面酸化学腐蚀去除甩干配制混合水溶液过氧化氢氢氧化钠生产效率强光灯放入清洗节约检验

[实用新型]一种洁净柜-CN201620606454.8有效
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： A47B61/00 文献下载
摘要：一种洁净柜，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净柜，其特征在于该洁净柜是一个柜体，该柜体由两块侧板、一块背板和柜门构成，柜体顶部安装高效过滤器，高效过滤器顶部设置静压箱，静压箱顶部开口处设置风机，柜体内侧板上设置紫外线杀菌灯，并设置若干对对称布置的凹槽，置物架通过凹槽水平固定在两侧板之间，柜体底部设置排风孔。本实用新型的一种洁净柜，组装拆卸方便，操作简单实用，结构设计科学合理，利用空气流通原理起到良好的清洁作用，方便有效且节省人力物力。
一种洁净

[实用新型]圆形石英棉切割工具-CN201620584184.5有效
发明人：董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： B26F1/38 文献下载
摘要：圆形石英棉切割工具，涉及一种切割工具，尤其是一种圆形石英棉切割工具。圆形石英棉切割工具，其特征在于该装置由手柄、管体、固定环和刀口构成，管体为中空圆柱形管材，手柄对称固定在管体的管壁之上，管体底端设置固定环，刀口通过固定螺丝安装在固定环底部。本实用新型的圆形石英棉切割工具，设计科学，结构简单，使用方便，简化了保温棉的制作过程，保温棉外形尺寸制作准确，提高了保温棉的制作效率。
圆形石英切割工具

[实用新型]可拆分VGF单晶生长坩埚中环-CN201620584182.6有效
发明人：柳廷龙;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：可拆分VGF单晶生长坩埚中环，涉及一种装料装置部件，尤其是一种可拆分VGF单晶生长坩埚中环。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，该中环放置于上层坩埚与下层坩埚中间，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，其特征在于该中环由石英外环、石英斜面和石英横杆组成，石英斜面放置于石英外环内，石英斜面上设置石英横杆,石英横杆抵在石英管管壁上，起固定作用。可拆分VGF单晶生长坩埚中环，设计科学，使用方便，有效降低成本，并且由于石英斜面和石英横杆可以重复利用，大幅提高了单位时间内的加工效率，对企业提高效率、降低成本有重要作用。
拆分 vgf 生长坩埚

[实用新型]锗单晶生长炉-CN201620667264.7有效
发明人：董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉，垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
锗单晶生长

[实用新型]一种洁净室用晶片清洗工作台-CN201620672887.3有效
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种洁净室用晶片清洗工作台，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净室用晶片清洗工作台，该工作台是一个柜体，该柜体分为上中下三个部分，上部为空气循环系统，中部为工作区域，下部是一个支撑台。本实用新型的一种洁净室用晶片清洗工作台，设计科学，使用方便，把清洗窗口、甩干窗口及验片窗口整合在同一操作台上，实现了在及时排出清洗晶片产生的有害气体的同时，减少了晶片再次受到沾污的机会，大大提高了生产效率。
一种洁净室晶片清洗工作台

[实用新型]VGF锗单晶生长炉支撑底座-CN201620518771.4有效
发明人：肖祥江;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：VGF锗单晶生长炉支撑底座，涉及一种底座，尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成；底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间，活动块拼接在底板侧面，底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔，两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔，底板中间设置散热孔，两根细圆棒通过U型卡槽固定在散热孔的两侧。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座，在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下，也能固定好石英棒与测温热电偶，且安装方便，使用简单，稳固性好，散热性好，实用性高，适合用在不同尺寸的VGF炉中。
vgf 锗单晶生长支撑底座

[发明专利]锗单晶抛光片的清洗方法-CN201610438124.7在审
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;侯振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，特别涉及锗单晶抛光片的一种清洗方法。本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：(1)SPM清洗：用浓度95％～98％浓硫酸和浓度30％～32％过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液；(2) SOM清洗：将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95％～98％浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中；(3)APM清洗：将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28％～30％氨水、30％～32％过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中清洗。在不破坏锗抛光片表面的情况下，能够有效去除其表面颗粒、金属、有机物，获得高洁净且生长有薄而均匀的氧化层的表面，达到免清洗(Epi‑ready)的要求。
锗单晶抛光清洗方法

[发明专利]锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法-CN201610495202.7在审
发明人：董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
锗单晶生长基于温度控制方法

[发明专利]用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法-CN201610439088.6在审
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
vgf 生长单晶体清洗方法

[发明专利]砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法-CN201510659597.5在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
砷化镓多晶磁场生长以及方法

[发明专利]多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法-CN201510659806.6在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
多室砷化镓单晶生长及其方法

[实用新型]单晶生长装料用双层坩埚-CN201420661302.9有效
发明人： 李武芳;董汝昆;包文臻;祝永成;高云浩;金之生;王朝思 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种单晶生长装料用双层坩埚，涉及一种装料装置，尤其是一种通过提高坩埚高度，提高生产效率的单晶生长装料用双层坩埚。本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚，其特征在于该双层坩埚包括石英管、上层坩埚、下层坩埚、中环以及石英封帽，上层坩埚与下层坩埚放置在石英管内，且上层坩埚设置在下层坩埚上方，中环放置在上层坩埚与下层坩埚之间，石英封帽设置在石英管顶部。本实用新型的单晶生长装料用双层坩埚，设计科学，结构简单，使用方便，将现有工艺中使用的单层坩埚变为双层坩埚，将原有每次7-8Kg的加工量提高到10Kg以上，提高了单位时间内的加工效率，有利于企业提高产能，降低单位成本，提高利润。
生长装料双层坩埚

[实用新型]VGF锗单晶生长炉芯模具-CN201420661118.4有效
发明人：董汝昆;李武芳;祝永成;包文臻;高云浩;金之生;王朝思 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种VGF锗单晶生长炉芯模具，涉及一种模具，尤其是一种用于VGF锗单晶生长过程中，简化炉芯制作过程，便于固定测温热偶位置的VGF锗单晶生长炉芯模具。本实用新型的VGF锗单晶生长炉芯模具，其特征在于该模具包括底座和连杆，底座与连杆均为圆柱体，连杆的横截面直径小于底座的横截面直径，连杆设置在底座顶部且与底座保持同轴，底座两侧壁上均设置有凹槽，凹槽为两个，对称设置在底座两侧壁上。本实用新型的VGF锗单晶生长炉芯模具，设计科学，结构简单，使用方便，简化了炉芯的制作过程，测温热偶位置放置准确，提高炉芯的制作效率与成功率。
vgf 锗单晶生长模具

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