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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底-CN03150806.5无效
发明人：杨德仁;马向阳;田达晰;沈益军;李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2003-09-02 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明的具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底含有浓度为1×10¹³～1×10²¹/cm³的硼，浓度为1×10¹³～1×10²¹cm^－3的锗。用它作为硅外延的衬底，由于锗的原子半径大于基体硅原子，形成晶格补偿，使得晶格失配不再出现，能有效提高硅单晶的质量和成品率，从而能有效改善重掺硼硅外延片的质量。利于降低生产成本。而锗元素的最外层电子数和硅元素一样，都是4个，因此不会影响重掺硼硅单晶衬底和外延层的电学性能。
一种具有晶格补偿重掺硼硅单晶衬底

[发明专利]基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法-CN201910261491.8有效
发明人：魏钟鸣;王晓亭;李京波;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，属于二维半导体成像技术领域。该基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，包括：制备二维硒化亚锗单晶；将所二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，得到二维硒化亚锗纳米片薄层；将所述二维硒化亚锗纳米片薄层制备成二维硒化亚锗两端器件，得到基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件；所述二维硒化亚锗两端器件即为所述二维硒化亚锗光电探测器。本发明通过将二维硒化亚锗纳米片制备为二维硒化亚锗两端器件，替代原来的电荷耦合元件，可以实现尺寸小，利于加工和集成的效果。
基于二维硒化亚锗光电探测器成像元件制备方法

[发明专利]聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法-CN201310342605.4无效
发明人：邹贵付;赵杰;孙迎辉;娄艳辉;戴晓 -专利权人：常熟苏大低碳应用技术研究院有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种在不含有缓冲层的单晶硅(Si)基底上制备高度有序锗(Ge)薄膜的方法，包括将含有锗-聚合物络合物的均匀涂敷溶液应用于硅的基底，再将涂层基底置于氢气气氛中进行加热处理，并将其直接在硅基底上转为高质量的晶格错配的高度有序锗薄膜本发明的有益效果是：可以在不含有缓冲层的单晶硅基底上直接制备高度有序的锗薄膜，具有窄带隙、高迁移率、低缺陷、高度结晶等优点，且这种聚合物辅助沉积制备锗薄膜的方法简单易行，具有广阔的应用前景。
聚合物辅助沉积制备外延薄膜方法

[发明专利]一种非制冷探测器使用的红外滤光片-CN202111683221.X在审
发明人：侯树军;周东平;侯树伟;樊利花 -专利权人：苏州厚朴传感科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：该一种非制冷探测器使用的红外滤光片，包括红外滤光片包括正面膜系、单晶锗基底和背面膜系，所述的正面膜系结构和背面膜系结构分别设置于单晶锗基底的正面与反面，所述正面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共36层，所述背面膜系由硫化锌层和锗膜层交替叠加组成，所述硫化锌层和锗膜层共76层。
一种制冷探测器使用红外滤光

[发明专利]递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法-CN202010783301.1在审
发明人：霍晓青;周传新;刘禹岑;周金杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法。将砷、锗、镉或砷锗镉原料对应放入原料合成或者单晶生长的第一层坩埚中，然后把第一层坩埚放入第二层坩埚中，计算第一层和第二层坩埚之间的空间体积，按照公式PV=nRT计算，取适当质量的Cd单质放入第一层和第二层坩埚之间通过该设计，可以分段缓解砷锗镉原料合成或者晶体生长时，生长坩埚的压力，降低实验过程危险性，提高安全系数。该方法可以保证砷锗镉原料合成和单晶生长时操作的安全性。
递进改进坩埚压力砷锗镉原料合成生长方法

[发明专利]超高纯锗单晶的制备方法及设备-CN202111244373.X在审
发明人：顾小英;赵青松;狄聚青;牛晓东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本公开提供一种超高纯锗单晶的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将高纯籽晶和高纯锗料进行腐蚀、清洗、高纯氮气吹干；步骤二，将高纯籽晶和高纯锗料放入炉体里，密封；步骤三，高纯氢气吹扫后，加热将高纯锗料融化；步骤四，引晶：将高纯籽晶伸入熔融锗料，调节温度进行引晶；步骤五，缩颈：调节温度，缩颈至所需的直径和长度，进行排位错；步骤六，放肩：调节温度，放肩至所需要的晶体尺寸；步骤七，等径：温度不变，等径至所需的长度；步骤八，收尾：通过调节温度，收尾直至锗料提拉完毕；步骤九，出炉：降至室温，方可出炉。本公开的制备超高纯锗单晶的设备，包括：加热装置、固定装置、密封装置、冷却装置、通气装置、提拉装置、观察装置。
高纯锗单晶制备方法设备

[发明专利]锗单晶非球面光学元件的加工方法-CN200410079605.0无效
发明人：木锐;赵明;张有彩;张志文;赵承波 -专利权人：云南北方光学电子集团有限公司
申请日： 2004-12-06 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： B23B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非球面光学元件的加工技术，主要用于锗单晶非球面光学元件的加工。其主要技术特征是：用计算机数控车床及金刚石圆弧刀具对锗单晶进行切削加工，采用工艺流程：A下料；B粗磨；C吸附夹具的设计制造；D元件半精加工；E元件精加工；F检测面型；G精修面型等，以及选择了合理的工艺参数本发明从根本上克服了用传统抛光工艺方法加工锗单晶非球面光学元件存在效率低、成本高、尺寸和面型精度难以保证的缺陷。达到了能够批量生产、质量稳定、效率显著提高的预期效果。
锗单晶非球面光学元件加工方法

[实用新型]医用红外透视仪-CN01256610.1无效
发明人：晏才杰;王兴华 -专利权人：晏才杰;王兴华
申请日： 2001-11-16 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：医用红外透视仪,包括设有行扫反光镜,帧扫反光镜,单晶锗透镜,红外探测器的摄像装置和电脑系统,摄像装置的行扫反光镜前设单晶锗透镜,行扫反光镜后设置帧扫反光镜,行扫反光镜的水平线上依次设置单晶锗透镜和红外探测器
医用红外透视

[发明专利]具有锥形波导结构的光电探测器-CN201380081086.9有效
发明人： B·文森特;A·费沙利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件的锥形结构包括大致单晶硅。隐埋氧化物在锥形结构的单晶硅下方并且邻接锥形结构的单晶硅，并且多晶Si被设置在隐埋氧化物之下。在对半导体器件的操作期间，光在锥形结构中被重定向并且经由锗光电探测器的第一侧被接收。在另一个实施例中，定位在锗光电探测器的远侧上的一个或多个镜结构可以提供将光的一部分反射回锗光电探测器。
具有锥形波导结构光电探测器

[发明专利]一种透射式双波段红外镜头-CN202211470466.9在审
发明人：陈丽娜;黄灯辉;张发定;黄伟奇;林森 -专利权人：福建福光股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B13/18 文献下载
摘要：光学系统匹配制冷型中波/长波双色红外探测器，光学系统包括从物侧至像侧依次设置的：弯月正透镜A、弯月负透镜B、弯月负透镜C、弯月正透镜D、弯月负透镜E、弯月负透镜F、双凸正透镜G，弯月正透镜A的材料为硅单晶；弯月负透镜B的材料为锗单晶；弯月负透镜C的材料为锗单晶；弯月正透镜D的材料为硅单晶；弯月负透镜E的材料为锗单晶；弯月负透镜F的材料为氟化钡；双凸正透镜G的材料为硅单晶。
一种透射波段红外镜头

[发明专利]超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法-CN202111267243.8在审
发明人：顾小英;赵青松;狄聚青;牛晓东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本申请公开一种超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，包括以下步骤：步骤一，取片：从超高纯锗单晶纯度合格晶体段两头取单晶片，将单晶片单面铣磨平整光滑；步骤二，配置腐蚀液；步骤三，腐蚀单晶片；步骤四，清洗吹干；步骤五，检测：先观察单晶片表面是否有缺陷，如有将用金相显微镜确认是盘状坑、系数结构体、马赛克结构中的哪种缺陷；然后对单晶片进行位错检测；步骤六，缺陷图：将晶体型号、盘状坑、系数结构体、马赛克结构缺陷、检测点的位错密度、单晶片的位错密度EPD标注在缺陷图上。本公开的方法得到的缺陷图由位错密度、盘状坑、系数结构体、马赛克结构构成，可直观看出单晶片的缺陷种类，分布情况及数值。
高纯锗单晶 100 缺陷检测方法

[发明专利]5倍长波双视场两档变焦红外光学系统-CN202010038977.8在审
发明人：谷健 -专利权人：西安深瞳智控技术有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G02B15/173 文献下载
摘要：本发明公开了一种5倍长波双视场两档变焦红外光学系统，包括从物方到像方依次设置的前固定组、第一变倍组、第二变倍组及后固定组；所述前固定组为一片凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜，其朝向像方的一侧为偶次非球面；所述第一变倍组为一片双凹面的锗单晶负透镜；所述第二变倍组为一片凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜，其朝向像方的一侧为偶次非球面，孔径光阑位于第二变倍组朝向像方的表面，变焦过程中保持恒定；所述后固定组为一片凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜
长波视场变焦红外光学系统

[发明专利]一种在SiO2-CN202111157718.8在审
发明人：李国强;陈胜;王文樑;柴吉星 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SiO2衬底上生长硫化锗单晶薄膜的制备方法，所述方法包括：用丙酮、乙醇和去离子水对衬底进行表面清洗；其中，所述衬底材料为Si/SiO锗粉，从而制得SiO2衬底上的硫化锗单晶薄膜。本发明提供的制备方法操作简单，可以在SiO2衬底上生长出单晶硫化锗GeS2，单晶硫化锗晶体质量高，表面粗糙度小，具有对应可见光波段蓝紫光的禁带宽度
一种 sio base sub

[实用新型]一种可收集碎屑的锗单晶片用切割机构-CN201920712033.7有效
发明人：王卿伟;郭友林;陈仕天;陆海凤;雍定琪 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可收集碎屑的锗单晶片用切割机构，包括底座以及安装在底座中间位置的碎屑收集机构，所述底座顶部两侧安装有限位杆，所述限位杆设置在碎屑收集机构两侧，所述限位杆顶部设置有横杆，所述横杆中间位置设置有切割组件本实用新型通过碎屑收集箱将固定台上的锗单晶片因切割产生的的碎屑进行收集，同时通过抽风机将碎屑收集箱内部的剩余的碎屑经收集口、抽风管道、出风管道、进口、碎屑收集通道进行进一步收集，从而使得锗单晶片因切割产生的的碎屑能够被收集，进而减少锗原料的浪费。
一种收集碎屑晶片切割机构

[发明专利]一种偏晶向太阳能锗单晶定向仪及其检测方法-CN201610156636.4在审
发明人：柯尊斌;秦瑶;陆海风;冯先达;刘杰;席珍强 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明公开偏晶向太阳能锗单晶定向仪及其检测方法，包括支撑台和吸盘，所述吸盘固定于所述支撑台上，并连接真空泵，还包括垫片，所述垫片贴合于所述吸盘吸口的一侧；所述垫片包括固定端和测试端，所述固定端固定于所述支撑台上本发明通过在吸盘上加设倾斜角为6~9°的楔形垫片，提供了一种可精确检测偏晶向太阳能锗单晶定向角度的定向仪，具有较好的修正效果，提高偏晶向太阳能锗单晶定向角度的检测精确性；本方法使得单晶和定向仪上的铸铁块接触时间减少，接触面积固定，从而单晶的破边现象得以有效的控制，精准度高、成品率更高。
一种太阳能锗单晶定向及其检测方法

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