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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]锗锭表面处理方法-CN202211280666.8在审
发明人：顾小英;赵青松;狄聚青;牛晓东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C23G5/028 文献下载
摘要：一种锗锭表面处理方法包括步骤：将锗锭表面的无机杂质擦拭干净，将锗锭放入支撑架，将支撑架连同锗锭放入盛有去离子水的第一槽并超声清洗；之后，将支撑架连同锗锭移入盛有三氯乙烷的第二槽并超声清洗；之后，将支撑架连同锗锭移入盛有丙酮的第三槽并超声清洗；之后，将支撑架连同锗锭盛有甲醇的第四槽并超声清洗；之后，将支撑架连同锗锭移入盛有去离子水的第五槽并超声清洗；之后，将支撑架连同锗锭移入盛有酸腐蚀液的第六槽腐蚀；之后，将支撑架连同锗锭从第六槽取出，用去离子水冲洗锗锭，之后用甲醇淋洗锗锭，然后将锗锭浸没在盛有甲醇的容器中，之后将用甲醇浸没的锗锭连同容器放入洁净台内保存。由此，能去除锗锭表面的有机物。
表面处理方法

[发明专利]一种提高区熔锗锭合格率生产新工艺-CN201811399995.8在审
发明人：陈建国;聂玉 -专利权人：衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C22B9/02 文献下载
摘要：本发明涉及区熔锗锭生产工艺，具体涉及一种提高区熔锗锭合格率生产新工艺，包括如下步骤：将石英管和石英舟放置在清洁混合液中浸泡，然后用王水蒸煮，用不锈钢镊子夹持滤纸吸干石英管和石英舟上的水渍以后放进烘干机内烘干，烘干后取出，进行高温处理，再用蒸馏水煮后烘干即可，与现有技术相比，本发明的有益效果是：经过该过程区域熔炼的锗锭经测试样本完全符合锗锭需要的参数，同时，其纯度提高到99.99％以上，完全符合锗锭使用过程中的电学性能要求，提高锗锭合格率。
锗锭烘干生产新工艺合格率石英管石英舟蒸馏水不锈钢镊子测试样本电学性能高温处理过程区域王水烘干机混合液熔炼夹持滤纸水渍吸干蒸煮生产工艺浸泡取出清洁

[发明专利]锗锭的腐蚀方法-CN202110980367.4在审
发明人：顾小英;狄聚青;赵青松;牛晓东;朱刘 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本公开提供一种锗锭的腐蚀方法，包括以下步骤：步骤一，去离子水将锗锭清洗干净，用氮气吹干；步骤二，配置体积比为2～3∶1的硝酸和氢氟酸的浓酸腐蚀液，配置体积比为硝酸∶氢氟酸∶水＝2～3∶1∶4～6稀酸腐蚀液；步骤三，将浓酸腐蚀液放置在腐蚀槽中，将盛有浓酸的腐蚀槽放置在通风橱的纯水槽中，水浴温度设定为18℃～25℃，盛有稀酸的腐蚀槽放置在通风橱上；步骤四，将锗锭升温；步骤五，将升温后的锗锭放入浓酸中腐蚀1min～3min，浓酸腐蚀后再快速将锗锭放入盛有稀酸的腐蚀槽中腐蚀1min～2min；步骤六，将腐蚀后的锗锭放入纯水槽中反复冲洗，氮气吹干；步骤七，将吹干的锗锭放入pp盘且用盖子盖好；所述步骤一～步骤七需在百级洁净房内操作
腐蚀方法

[发明专利]一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法-CN202210900279.3在审
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;刘帅;熊慧凡;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：提供锗硅碳三元合金固体；基于PVT法将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，从而得到掺锗的碳化硅晶锭本发明通过将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，使得最终可以获得掺杂锗元素均匀的碳化硅晶锭，有利于提高掺锗碳化硅产品的良率。
一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅方法

[发明专利]一种锗单晶退火过程电阻控制的方法-CN201810166049.2在审
发明人：孙建坤;罗玉萍 -专利权人：昆明凯航光电科技有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗单晶退火过程电阻控制的方法，制备过程如下：称取一定量锗锭和碲粉，其中碲粉的质量为锗锭的0.1‰‑2‰，将锗锭和碲粉装料、熔料，待炉温稳定后引晶、缩颈、放肩、转肩、等径，待单晶长至所需的尺寸时用本方法制备的锗单晶电阻范围可宽可窄，满足红外级锗单晶电阻5‑40Ω的要求，也能制备极端电阻需求的锗单晶，比如0.2‑0.5Ω、1‑5Ω，10‑20Ω等。
锗单晶单晶电阻锗锭碲粉电阻控制退火过程炉温制备熔断退火装料制备过程阶梯度称取等径放肩拉速熔料缩颈引晶升高

[发明专利]超高纯锗棒或锭的杂质浓度检测方法-CN201710054354.8在审
发明人：邓杰;赵青松;朱刘 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高纯锗棒或锭的杂质浓度检测方法，采用直流两探针法检测杂质浓度，所述锗棒或锭在77K恒温下进行检测；所述锗棒或锭径向长度的任一测量点均涂覆铟镓合金；所述两探针测得的等间距电压降U，通过函数关系式计算得到电阻率ρ，再根据函数关系式n＝1/(ρ×q×μ)，计算得到探针笔间的锗棒或锭的平均净杂质浓度本发明提供的方法，解决了目前无法检测锗棒或锭的整体杂质浓度的问题，保证待测样品的完整性，检测结果准确，检测效率高，有利于产业化。
检测函数关系式浓度检测超高纯探针采用直流待测样品检测结果测量点产业化电压降探针法涂覆铟镓合金保证

[发明专利]锗废料回收的方法-CN202110629210.7在审
发明人：尹士平;郭晨光;黄雪丽;黄治成;熊聪 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本公开提供一种锗废料回收的方法，包括以下步骤：步骤一，将锗废料研磨后过滤烘干为粉状锗废料，将粉状锗废料装入加热炉后升温；步骤二，持续通入保护气体N2，升温后，保温一段时间，降温至室温出炉，得到锗锭；步骤三，将含有杂质的锗锭进行表面杂质去除，从而得到可利用的高纯度锗锭。本公开提供一种锗废料回收的方法，简化了回收工艺过程，将传统的回收过程“研磨→氯化蒸馏→GeCl4→水解→GeO2→Ge”简化为“高温分离及表面去除→Ge”，本公开的锗废料回收过程简单，回收成本低，避免造成资源的浪费和环境的污染的问题。
废料回收方法

[发明专利]高纯锗单晶霍尔测试样片及采用区熔法制备其的方法-CN202210051279.0在审
发明人：柴晨;王博;张振云;林泉;马远飞;闵振东;郭伟才;张海涛;邢俊 -专利权人：有研科技集团有限公司;有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯锗单晶霍尔测试样片及采用区熔法制备其的方法，该方法包括以下步骤：将单晶锗籽晶和多晶锗锭间距2～5mm放置；在保护气体下进行熔接，且在熔接前恒温一定时间直至完全熔接；在完全熔接后保温10～20min，然后走车，得到区熔锗单晶；最后进行霍尔测试样片的制作。该方法能够生长出和区熔多晶相同环境下的锗单晶，然后利用区熔锗单晶制作欧姆电极并获得霍尔测试样片，从而可以直接反映出区熔多晶锗锭的纯度，满足实时获得经过区熔提纯后多晶锗锭电学参数的需求。
高纯锗单晶霍尔测试样片采用法制方法

[发明专利]一种氧化法回收废锗的方法-CN202110622874.0在审
发明人：袁承乾;岳喜龙;刘新军;张磊;颜实;周品;柏寄荣;许鹏 -专利权人：扬州宁达贵金属有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化法回收废锗的方法，包括以下步骤：步骤1)将废锗融化成锗锭；步骤2)将步骤1)的锗锭进行气化，并控制炉内气氛为氧化性气氛，使气态的锗金属完全氧化，获得气态的二氧化锗；步骤3)将步骤2)获得的气态二氧化锗经冷却得到二氧化锗粉末，然后经蒸馏、复蒸、精馏、水解得到高纯二氧化锗。该法生产投入少、锗的回收率高，污染小。
一种氧化回收方法

[实用新型]一种区熔锗锭切割碎料的回收箱-CN202222145498.3有效
发明人：孙荣坤;刘江昆;李秋伟;孙琪林;殷东 -专利权人：云南凯宇光电科技有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B65D90/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种区熔锗锭切割碎料的回收箱，涉及区熔锗锭相关加工技术领域。本实用新型通过上置斜板和下置斜板的交错设置，实现回收箱内部的区熔锗锭不会散乱飞舞，同时竖向框和切割辊的竖向设置，能够将区熔锗锭粉打散切割，保证区熔锗锭粉处于干燥堆积，实现回收箱内部的环境干燥。
一种区熔锗锭切割回收

[发明专利]用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法-CN201610439088.6在审
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
vgf 生长单晶体清洗方法

[发明专利]一种检测区熔锗锭P型、N型的方法-CN202310670351.2在审
发明人：房现阁;尚宇声;剧云鹏;童三红;王卿伟 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01N25/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测区熔锗锭P型、N型的方法，将待测锗锭置于热源和热成像仪之间，打开热源，并利用热成像仪扫描成像，若显示图像可以穿透锗锭，则说明扫描区域为N型，若显示图像为条状暗影，则说明扫描区域为P型本发明检测区熔锗锭P型、N型的方法，巧妙的利用了N型锗的红外透过性(P型锗不具备此特性)，通过红外热成像仪扫描，可以快速、准确地检测出P型料，从而加快了检测进度，减少了检测人员工作量；准确度高，且可清晰准确地获知
一种检测区熔锗锭方法

[发明专利]一种二氧化锗连续还原铸锭的方法-CN201811400284.8在审
发明人：陈知江;崔丁方;符世继;陈元欣;彭明清;李恒方;陈小蕊;王庆明;彭明师;夏冬冬;朱家义 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种二氧化锗连续还原铸锭的方法，该方法包括如下步骤：将二氧化锗装入石墨舟中，置入炉膛中，在还原性气体气氛下，将装载二氧化锗的石墨舟依次通过7个加热温区，所述7个加热温区温度范围为200‑1050℃；随后，降温冷却即得锗锭。本发明通过7个温区的设置实现二氧化锗连续的还原和铸锭，缩短了还原铸锭时间、劳动强度小、自动化程度高，而且提高了生产效率和锗锭的电阻率。
二氧化锗还原铸锭加热温区石墨舟锗锭还原性气体气氛炉膛降温冷却生产效率电阻率温区置入铸锭装入还原装载自动化

[发明专利]一种二氧化锗连续还原铸锭的方法-CN201910544208.2在审
发明人：崔丁方;李恒方;廖吉伟;彭明清;陈知江;陈元欣;李雪寅;匡子登;何斌;蔡文红;陈志朋;罗谦 -专利权人：云南驰宏国际锗业有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种二氧化锗连续还原铸锭的方法，该方法包括如下步骤：将二氧化锗装入石墨舟中，置入炉膛中，在还原性气体气氛下，将装载二氧化锗的石墨舟依次通过7个加热温区，所述7个加热温区温度范围为200‑1050℃；随后，降温冷却即得锗锭。本发明通过7个温区的设置实现二氧化锗连续的还原和铸锭，缩短了还原铸锭时间、劳动强度小、自动化程度高，而且提高了生产效率和锗锭的电阻率。
二氧化锗还原铸锭加热温区石墨舟锗锭还原性气体气氛炉膛降温冷却生产效率电阻率温区置入铸锭装入还原装载自动化

[实用新型]一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟-CN201620004585.9有效
发明人：陈知江;符世继;何兴军;杨汝雄;彭明清;杨康;马正方;匡子登;杨金彩;白玉琢 -专利权人：云南北方驰宏光电有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C30B13/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带杂质隔离槽的区熔石墨舟，包括石墨舟本体和开设在石墨舟本体内的区熔槽，区熔槽的截面形状为倒梯形结构，在区熔槽的内部安装有隔板，隔板将区熔槽分隔成杂质隔离腔和锗锭区熔腔，且在隔板的顶部加工有溢流凹槽，锗锭区熔腔底部加工有检测线凹槽。本实用新型不仅提高了区熔槽的容量，有效的提高了区熔锗的产能，而且完全能实现杂质和锗锭的有效分离，有效的减少尾锭的数量，提高了一次区熔的合格率，其区熔的重量提高了1～1.5倍，尾锭的数量降低了10倍，一次区熔的合格率可达到
一种杂质隔离石墨

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