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[实用新型]一种热成像电动镜头-CN202121927103.4有效
发明人：刘志楠 -专利权人：三河市蓝思泰克光电科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种热成像电动镜头，镜头中的镜片包括由物方至像方依次设置的前固定组和调焦组；其中，所述前固定组具有正光焦度，包括从物方至像方依次设置第一透镜、孔径光阑和第二透镜；所述第一透镜为凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜，其表面均为球面；所述孔径光阑位于第一透镜和第二透镜之间，调焦过程中保持稳定；所述第二透镜为凸面朝向像方的凹凸形锗单晶负透镜，其朝向物方的一侧为衍射面；所述调焦组具有正光焦度，包括第三透镜，所述第三透镜具为凸面朝向物方的弯月形锗单晶正透镜
一种成像电动镜头

[发明专利]嵌入式锗硅结构的制造方法-CN201310213628.5有效
发明人：丁弋;张明华;方精训;严均华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式锗硅结构的制造方法包括在FinFET结构上沉积一层氮化硅；涂布一层光刻胶，经过光刻刻蚀，刻穿多晶硅两侧的氮化硅；在露出的FinFET结构的单晶硅上制作出孔洞；在该孔洞上，利用外延法形成嵌入式锗硅结构本发明提供的嵌入式锗硅结构的制造方法简单易行，与现有技术相比，不会改变Fin结构的形状，可以在Fin结构上形成均一的锗硅，且具备锗硅尺寸大小的可控性。
嵌入式结构制造方法

[发明专利]半导体衬底、半导体装置和其制造方法-CN200510127975.1有效
发明人：黄喆周 -专利权人：周星工程股份有限公司
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：根据本发明，提供：一种半导体衬底，其包含一硅衬底、一形成在所述硅衬底上的单晶体锗层和一形成在所述单晶体锗层上的硅层；一种半导体装置，其包含一形成在所述半导体衬底上的栅电极和形成在所述衬底中所述栅电极两侧上的结因此，由于半导体装置的沟道是安置在所述锗层内，所以可增强沟道的载流子迁移率。而且，由于硅层是形成在所述锗层上，所以可形成可靠的栅极绝缘膜，并且还可减少结层中所产生的泄漏电流。此外，可在不使用昂贵的锗晶片的情况下获得相同效果。因此，由于可按原样使用传统的方法和装备，所以可制造出高度有效的半导体装置而不需要增加产品的单位成本。
半导体衬底装置制造方法

[发明专利]一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法-CN201610939982.X在审
发明人：韩焕鹏;杨洪星;陈晨;何远东;杨静;范红娜;庞炳远;王雄龙;张伟才 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了热场的纵向温度梯度，使用新型结构的导流筒，改善了氩气流场结构，采用磁场拉晶，并随着熔硅减少，逐渐增强磁场强度，以保证晶体的氧碳杂质含量得到有效控制，减少后期单晶中氧沉淀及相关缺陷的生成，掺入电中性锗元素，起到抑制微缺陷形成的作用，改善晶体的微缺陷密度参数。技术效果是减少了熔体稳定化时间，改善了拉晶效率，提高放肩拉速，小角度锥形放肩，减低晶体拉制速率，提高升温幅度和速率，抑制因锗元素造成的组分过冷问题，保证晶体生长稳定。
一种 mems 器件制作用硅单晶材料制备方法

[发明专利]一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法-CN201710434825.8在审
发明人：倪友保;吴海信;肖瑞春;毛明生;王振友 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-06-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低吸收磷锗锌晶体生长的方法。该方法采用温度梯度区域熔炼法，辅以合适助熔剂，在晶体相变点温度下生长，具体步骤包括①生长坩埚预处理；②原料配置；③升温；④晶体生长；⑤降温；⑥清洗。采用本发明方法生长的磷锗锌单晶具有缺陷少、近红外残余吸收低等特点，解决了目前常规磷锗锌晶体生长方法中存在的生长温度高、近红外残余吸收大等问题。
一种吸收磷锗锌晶体生长方法

[发明专利]一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺-CN202111680194.0有效
发明人：王宇;冯德伸;刘宁;王博;李燕;雷同光;林泉 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺。该热场的结构包括筒形主加热器和圆盘形底加热器，在主加热器外层依次设置有石墨保温桶、固化碳毡保温桶，在石墨保温桶和固化碳毡保温桶上端设有紧贴炉壁的多层保温盖，相邻的两层保温盖之间用石英块隔开；热屏悬挂在保温盖上，并从保温盖朝向靠近单晶的方向延伸到熔体液面上方的位置；热屏采用多层结构设计，热屏的主体结构为喇叭形，靠近单晶的内层热屏采用上薄下厚的楔形结构，两层热屏之间具有间隙。锗单晶的生长过程中，在籽晶前端浸入熔体前，需要分为四个烤晶悬停位置，使籽晶缓慢地从冷区浸入热区；调整热场的温度梯度，保证单晶生长环境的稳定性。
一种直拉法生长无位错锗单晶热场工艺

[实用新型]一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚-CN202020948505.1有效
发明人：柯尊斌;陆海风;秦瑶;王卿伟;陈仕天 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，包括圆筒形埚壁；圆筒形埚壁内侧底部设有向外凸出的弧形埚底；圆筒形埚壁顶部沿周边均布有两个以上相同深度的配重盲孔；弧形埚底为曲率半径为从周边到中心逐渐增大的结构上述悬浮坩埚，通过配重盲孔的设置，可通过向配重盲孔中添加钨棒或者钼棒来调节悬浮坩埚重量，实现进料深度的调节，改善了熔体对流，提升了单晶质量；通过加大弧形埚底中心处的曲率半径，大大提升了悬浮坩埚在熔体中的稳定性，有利于单晶成晶；进一步，通过加大圆筒形埚壁的上半部分内壁的粗糙度，增加了浮渣在悬浮坩埚上半部分内壁的粘附，消除了浮渣对无位错锗单晶成晶影响，提升了单晶合格率。
一种重量可调锗单晶生长悬浮坩埚

[发明专利]基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法-CN201811350947.X有效
发明人：钟振扬;张宁宁;陈培宗;樊永良;蒋最敏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明属于半导体微纳米结构制备技术领域，具体为一种基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法。本发明在Si(001)单晶衬底上，通过分子束外延设备或其他生长设备生长硅锗合金薄膜，然后利用模板图形转移和化学选择性刻蚀，得到高质量的硅锗微盘。本发明提供了一种简单易行经济适用的方法，来获得高质量的硅锗合金微盘。此发明解决了现有技术在硅衬底上直接制备硅基光学微盘的困难。该发明所制备的硅衬底上的硅锗微盘为硅基光电器件的发展提供了新思路。
基于衬底合金制备方法

[发明专利]从含油锗废料中回收锗的方法-CN201610818650.6在审
发明人：普世坤;朱知国;杨再磊;谢高;胡茂江;吴王昌;李正美;李璇;滕文;陈代凤;薛丹 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南东昌金属加工有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从含油锗废料中回收锗的方法，主要针对含油锗废料含有大量油等有机物，如：在太阳能电池用锗单晶片的生产及加工过程中，线切割机进行切片时，产生的切割冷却废液锗粉、碳化硅粉和C10号润滑油等的混合物料采用先加水、洗衣粉、洗洁精进行加热乳化处理，再加入双氧水进行氧化处理，然后再加入盐酸进行氯化蒸馏提取锗，本发明与目前生产工艺中使用氢氧化钠皂化处理的现行方法相比，不仅添加的辅料成本减低40～50%，而且锗回收率可达98.05～99.38%之间；回收得到的四氯化锗可进行分液和提纯处理，也可以水解制备二氧化锗；残液可进行残酸和油的回收处理，残渣可进行碳化硅的回收处理。
含油废料回收方法

[发明专利]一种锗酸钙纳米线及其制备方法-CN201010502467.8无效
发明人：裴立宅;胡锦莲;樊传刚;杨永 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明提供一种锗酸钙纳米线及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明所提供的锗酸钙纳米线由直径20-100nm、长度大于100μm的单晶锗酸钙构成。其制备方法是采用不同的钙源和二氧化锗作为原料，水为溶剂，其中所述钙源为乙酸钙或氯化钙或硝酸钙，原料中钙与锗的摩尔比为2∶1，首先将二氧化锗与含钙原料放入搅拌器加水搅拌，将搅拌后得到的混合溶液置于密闭容器内，于温度100-200℃下，保温1-24小时，得到了绒状白色产物，即为锗酸钙纳米线。本发明采用的是无毒的二氧化锗及不同的钙源，溶剂为水，原料及制备过程均对环境无污染，符合环保要求的现代工业的发展方向，可实现锗酸钙纳米线的批量化绿色制备。
一种锗酸钙纳米及其制备方法

[发明专利]PMOS晶体管及其制造方法-CN201210120987.1有效
发明人：隋运奇;焦明洁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种PMOS晶体管制造方法及PMOS晶体管，以PMOS原有栅极结构及隔离侧墙作为屏蔽形成用于缓冲的第一硅锗层，再利用栅极结构、隔离侧墙以及主侧墙作为屏蔽形成作为应力源的第二硅锗层，在不增加额外工艺手段的前提下，最大化硅锗应力源的区域，在解决衬底中由于引入应力硅锗产生的晶格位错问题的同时，亦增加了PMOS单晶硅衬底中的压应力，进而提高了PMOS晶体管的性能。
pmos 晶体管及其制造方法

[发明专利]一种硅锗异质结太阳电池及其制备方法-CN201510282991.1有效
发明人：沈辉;邱开富;吴伟梁;包杰 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅锗异质结太阳电池，该硅锗异质结太阳电池的结构从上至下依次包括银电极、掺铝氧化锌AZO导电层、n型单晶硅、i型SiGe合金缓冲层薄膜、p型Ge薄膜和金电极，所述硅锗异质结太阳电池具有300该电池在硅与锗之间沉积一层硅锗合金缓冲层，可以有效地降低界面态，减少界面复合，增大电池的开路电压。另外由于缓冲层的带隙渐变，可以更好地吸收太阳光，从而增大电池的短路电流。还公开了上述硅锗异质结太阳电池的制备方法。该制备方法原料安全，可直接应用现有设备，成本相对较低。
一种硅锗异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法-CN201810992194.6有效
发明人：芦红;苗艺;魏炼;叶佳佳;宋欢欢;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法。晶面的硅衬底；步骤2，将硅衬底用氢氟酸处理后，在真空环境中进行表面处理；步骤3，通过分子束外延的方法，在处理后的硅衬底之上生长一层硅缓冲层；步骤4，调至合适的生长温度，然后在硅缓冲层上直接外延生长微米级别厚度的锗虚拟衬底本发明的方法可以在硅片上直接外延锗虚拟衬底，其生长的锗虚拟衬底表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，可以代替锗衬底用于后续材料的生长。该方法无需采用逐步提高锗含量的逐层生长模式，制备工艺更简单，可以降低成本。
一种衬底直接外延生长虚拟方法

[发明专利]一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法-CN201210587242.6有效
发明人：狄增峰;郭庆磊;张苗;叶林;薛忠营;陈龙;王刚;高晓强 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1xAs/GeOI 结合体的临界厚度，x的取值范围为0～1；在该InxGa1-xAs层上外延Ge纳米薄膜层，形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体；所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等本发明所制备的张应变锗具有较低的位错密度，较高的单晶质量；通过该种方法所制备的张应变Ge薄膜具有应变大小任意可调的特点；制备的Ge薄膜应变大，迁移率高。
一种制备高单晶质量应变纳米薄膜方法

[发明专利]一种锗基底8-12um红外窗口片及其制备方法-CN202010364056.0在审
发明人：姜海;侯强;刘瑞斌 -专利权人：沈阳北理高科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G02B1/113 文献下载
摘要：本发明属于光学薄膜领域，具体涉及一种锗基底8‑12um红外窗口片及其制备方法。窗口片以单晶锗为基底，基底的两侧均镀有单层的增透膜结构，两侧膜结构的入射角均定义为0°±10°。其制备方法是先对基片进行擦拭放置到镀膜机中，再将增透膜材料预熔，再采用真空热蒸发法进行镀膜，单晶锗基底的两侧分别镀有1层增透膜结构，增透膜为硫化锌材料时膜层厚度为1.083‑1.162um，增透膜为KRS
一种基底 12 um 红外窗口及其制备方法