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[发明专利]晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法和确定装置-CN202310691714.0在审
发明人：梁万亮;杨文武 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：确定掺杂剂的掺杂效率；根据所述掺杂效率，确定实际拉晶工艺中掺杂剂的首次添加量a，a＝a′/η0，其中，a′为所需的融入到硅熔液中的掺杂剂的含量，η0为掺杂效率；其中，所述确定掺杂剂的掺杂效率，具体包括：将第一测试用掺杂剂加入至第一测试用硅熔液中，并拉制第一测试晶棒；根据所述第一测试晶棒的电阻率确定所述掺杂效率。本发明还涉及一种晶棒的掺杂剂的添加量的确定装置。根据拉制的晶棒的电阻率确定掺杂剂的掺杂效率，根据该掺杂效率可以确定掺杂剂的掺杂量，改善由于掺杂剂挥发导致的晶棒电阻率超规格报废的问题。
掺杂添加确定方法装置

[发明专利]添加剂进料系统、拉锭器设备及使用添加剂进料系统形成单晶硅锭的方法-CN202180091522.5在审
发明人： M·扎尔多尼;G·扎戈;G·阿戈斯蒂尼;S·哈林格;J·依欧夫 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开一种用于将至少两种不同添加剂供给到安置于拉锭器设备的坩埚内的硅的添加剂进料系统。所述添加剂进料系统可包含被引起振动以将第一或第二添加剂从所述添加剂存储在其中的罐移动到其中感测添加到容器的第一或第二添加剂的量的另一容器的第一及第二进料盘。所述添加剂从所述容器排放到所述添加剂通过其进入所述坩埚的添加剂进料管中。
添加剂进料系统拉锭器设备使用形成单晶硅方法

[发明专利]顶部间歇性掺杂的单晶炉及其掺杂方法-CN202310572905.5有效
发明人：陈伟;李林东;高伟杰;吴超慧;陈志军;张鹏;丁云飞;许堃 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种顶部间歇性掺杂的单晶炉及其掺杂方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。顶部间歇性掺杂的单晶炉包括炉体和间隙性掺杂器，间隙性掺杂器安装在炉体的喉口位置，间隙性掺杂器包括相互连接、且可相对转动的上盘和下盘，上盘上开设有多个第一通孔，第一通孔内用于装载掺杂剂，下盘上开设有第二通孔，控制下盘相对上盘转动，以使第二通孔移动至第一通孔的下方、释放第一通孔内的掺杂剂。通过间隙性掺杂器实现在炉体内顶投间歇式加入掺杂剂，能够对硅液中杂质浓度得到有效精准把控，降低了杂质对硅晶体缺陷的负面影响，提高了单晶硅棒的成晶率和晶棒品质。
顶部间歇性掺杂单晶炉及其方法

[发明专利]直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺-CN202310792282.2在审
发明人：张路;路淑娟;李欢欢;许宁;于洪国;曹波;马志永;苏双喜;张孝仁;杨哲;孔腾飞;刘志远;王蒙 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺，所述直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺包括：A，通过降温放出肩部或者晶体回熔后保留肩部；B，将肩部提起第一预设高度，等待第一预设时间使肩部冷却；C，将晶体下放，使肩部边缘处于液面以下，给定埚转，晶转，稳定第二预设时间，再将肩部提出液面，观察肩部是否出现台阶状沟槽，如未出现，则重复步骤B、C；D，关闭埚转、晶转，将肩部提起至单晶炉的副室内，关闭主室和副室之间的插板阀，等待第三预设时间使肩部冷却；E，打开副室，将需要补掺的杂质放入台阶状沟槽内；F，关闭副室，抽空后，打开插板阀，将肩部降至液面以下进行熔化补掺。
直拉法晶体生长过程中的杂质工艺

[发明专利]使用汽化掺杂物生产单晶硅锭的系统及方法-CN202180092005.X在审
发明人：吴雨樵;W·L·卢特尔;R·J·菲利普斯;J·D·依欧夫 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开用于掺杂从拉锭设备内容置的硅熔体中拉出的单晶硅锭的系统及方法。所述拉锭设备包含界定室的外壳、安置于所述室内的坩埚及延伸到所述外壳的掺杂物注射器。所述方法包含加热汽化杯及将所述外壳的内部的压力保持在第一压力。所述方法进一步包含将液体掺杂物注射到所述汽化杯。所述液体掺杂物的压力在注射前保持在大于所述第一压力的第二压力。所述方法还包含：通过使用所述汽化杯加热所述液体掺杂物及通过将所述液体掺杂物注射到所述外壳而将所述液体掺杂物的所述压力从所述第二压力降低到所述第一压力来汽化所述液体掺杂物；及将所述汽化掺杂物引导到所述外壳。
使用汽化掺杂生产单晶硅系统方法

[实用新型]一种新型的直拉硅单晶掺杂器具-CN202320876549.1有效
发明人：史慧敏;郝朝旭;李康 -专利权人：内蒙古昌瑞半导体材料有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的直拉硅单晶掺杂器具，包括掺杂罩主体、掺杂罩提耳、掺杂气孔、掺杂罩底板、旋钮和掺杂罩顶部横梁，所述掺杂罩主体为内部中空的腔体结构，所述掺杂罩顶部横梁设于掺杂罩顶部，所述掺杂罩提耳贯穿掺杂罩顶部横梁中心处，所述掺杂罩底板设于掺杂罩主体内，所述掺杂气孔均匀分布贯穿掺杂罩底板设置，所述旋钮对称设于掺杂罩底板下两端。本实用新型属于直拉单晶生产技术领域，具体是指一种新型的直拉硅单晶掺杂器具。
一种新型直拉硅单晶掺杂器具

[发明专利]提高晶棒轻、重掺杂效率的方法-CN202310926832.5在审
发明人：李巨晓;曹启刚;袁绪兵;宽军;芮阳;王忠保;徐慶晧 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种提高晶棒轻、重掺杂效率的方法，涉及晶棒掺杂方法技术领域，在化料结束后，打开单晶炉副炉室，将掺杂剂装入容纳筒体中，所述防挥发盖体盖合在所述筒体的开口上，通过挂接组件挂在单晶炉重锤上，关闭副炉室，对副炉室进行净化，净化后打开隔离阀，将炉压稳定；下降晶升，当容纳筒体的下沿距硅溶液液面预定距离后停止下降，进行掺杂，使得掺杂剂升华或液化直接通过挥发孔进入硅溶液中，防止被炉内的气流抽走，进而掺杂效率提高，拉制成晶棒后的电阻率降低。
提高晶棒轻掺杂效率方法

[发明专利]重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法-CN202210947356.0有效
发明人：周文辉;芮阳;王忠保;马成;徐慶晧;曹启刚;王黎光;张昆 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法，涉及硅单晶生产技术技术领域，在晶棒进入等径拉制时，通过在预定等径长度内调整晶体的结晶速率、温度进行晶棒拉制，本发明通过温度变化，保证晶体的结晶速率能够下降，从而降低在预定等径长度内晶棒的结晶速率，使得在预定等径长度内晶棒的结晶速率下降缓慢，使得晶棒在预定等径长度内结晶时间缩短，并且在保证不会发生晶变的情况下，一方面，使得砷的挥发作用小于其分凝作用，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，进而晶棒电阻率不会发生反翘；另一方面，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，由此能够明显提升电阻率0.003Ω.cm以下的产品比例。
重掺砷晶体生产抑制电阻率方法

[实用新型]单晶炉-CN202321383850.5有效
发明人：李向阳;陈俊宏 -专利权人：中环领先（徐州）半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉，单晶炉包括：炉本体；坩埚，坩埚设于炉本体内，坩埚用于容纳熔汤；第一驱动组件，第一驱动组件设于炉本体上，第一驱动组件与第一掺杂件配合且用于驱动第一掺杂件沿上下方向移动以使第一掺杂件的下端伸入熔汤内，第一掺杂件包括第一主体部和第一掺杂剂，第一主体部与第一驱动组件连接，第一主体部设有用于容纳第一掺杂剂的多个第一收容腔，多个第一收容腔沿第一主体部的长度方向间隔设置，第一收容腔的敞开口处设有第一封堵塞，第一主体部和第一封堵塞适于熔融于熔汤以使第一掺杂剂进入熔汤内。根据本实用新型的单晶炉，实现了向熔汤内添加掺杂剂的要求，降低了掺杂剂的挥发损耗，提高了晶体的电阻率的可控性。
单晶炉

[发明专利]一种N型单晶的气态掺杂方法-CN202310597404.2在审
发明人：董凯;王艺澄;刘传君;冯琰 -专利权人：江苏美科太阳能科技股份有限公司;四川美科新能源有限公司;浙江美科太阳能科技有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型单晶的气态掺杂方法，涉及单晶制备技术领域，包括：将硅料加入拉晶炉内，生长单晶硅；将五氧化二磷与氩气混合形成掺杂剂，加入至拉晶炉内。本发明将气态五氧化二磷与氩气混合后形成掺杂剂，通入拉晶炉内，可调整单晶硅的电阻率，同时，通过调整五氧化二磷和氩气的浓度，可使单晶棒头部的电阻率与尾部电阻率相同，从而有效提高电池的转换效率。
一种型单晶气态掺杂方法

[实用新型]一种单晶炉用掺杂装置-CN202223207808.6有效
发明人：华伟;陈伟;潘国庆;董永军 -专利权人：南京光宝晶体科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉用掺杂装置，具体涉及单晶炉掺杂装置技术领域，包括环形管，所述环形管顶部安装有喷料管，所述喷料管一侧安装有止回阀，所述环形管一端设置物料输送机构，所述物料输送机构包括旋转管，所述旋转管设置在环形管一端，所述环形管外侧设置有单晶炉体。本实用新型通过设置物料输送机构和入料机构，通过压缩空气使稀有金属冲入到单晶炉体内的熔硅液内部，从熔硅液内部进行稀有金属的掺杂，便于稀有金属与单晶炉体内部熔硅液掺杂，提高掺杂效果，同时电机带动环形管和喷料管旋转，使稀有金属熔硅液内部不同方位喷出，进一步提高掺杂效果，并且能够在单晶炉工作的同时实时向炉内添加掺杂物质。
一种单晶炉用掺杂装置

[发明专利]一种直拉单晶硅的制备方法及其相应产品-CN202210067717.2在审
发明人：刘海;彭亦奇;周子义;胡动力 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶硅的制备方法及其产品，属于光伏与半导体硅片生产技术领域。本发明通过将多晶硅原料加热至硅熔体状态后，再将呈固体颗粒形态的掺杂剂，以预设速度加入硅熔体内部，并同时利用直拉单晶法生长硅晶体，直至硅晶体生长结束，停止添加掺杂剂，制得单晶硅。本发明通过将掺杂剂在多晶硅完全熔融之后，以固态形式添加至溶液内部，缩短了掺杂剂接触高温的时间，避免了在硅晶体尚未完全熔融时，掺杂剂提前蒸发消耗的问题。相比于现有技术而言，本发明提供的制备方法可以减少掺杂剂蒸发消耗量，提高硅熔体中的掺杂剂浓度，并且可以直接与连续直拉法工艺相结合，方法简单可靠，保证了产品质量的稳定性。
一种单晶硅制备方法及其相应产品

[发明专利]一种单晶硅生长方法-CN202310450640.1在审
发明人：杨文武;梁万亮 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅生长方法，涉及单晶硅生产技术领域。该单晶硅生长方法包括：根据晶棒头部的电阻率，向硅溶液里掺杂含磷母合金；在检测得到的所述晶棒的电阻率低于预设门限时，或者，在所述晶棒被拉制到预设长度时，向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片。通过向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片，能够通过硼元素提升晶棒的电阻率，控制单晶硅生长过程中电阻高于预设门限；通过掺杂锗元素能够消除因为掺杂硼和氮引起的硅晶格畸变。本发明方案，解决了晶棒生长过程中头尾电阻率差值较大的问题，且能够改善晶格畸变和缺陷分布，提高晶棒产品的合格率。
一种单晶硅生长方法

[发明专利]单晶制造装置-CN202180074355.3在审
发明人：早川裕 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具备掺杂剂供给装置的单晶制造装置，所述掺杂剂供给装置没有部件的折损、脱落，也可以应对热屏蔽构件的上下方向移动。单晶制造装置(1)，具备：腔室(10)；坩埚(12)，设置在腔室(10)内；热屏蔽构件(16)，配置在坩埚(12)上方；以及掺杂剂供给装置(20)，从腔室(10)的外侧对坩埚(12)内供给掺杂剂。掺杂剂供给装置(20)，包含贯穿腔室(10)到达坩埚(12)上方的掺杂剂供给管(21)。掺杂剂供给管(21)，具有：第1掺杂管(24)，贯穿腔室(10)；以及第2掺杂管(25)，从第1掺杂管(24)分离独立，配置在第1掺杂管(24)稍下方。第1掺杂管(24)从热屏蔽构件(16)分离独立。第2掺杂管(25)从腔室(10)分离独立且设置在热屏蔽构件(16)中。
制造装置

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN202180066679.2在审
发明人：小林省吾;深津宣人;金原崇浩;山本瞳 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-09-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：晶体提拉中途防止由于投下粒状副掺杂剂引起单晶的有位错化。根据本发明的单晶硅的制造方法，包括：熔融工序，产生包含主掺杂剂的硅熔液(3)；以及晶体提拉工序，从硅熔液(3)提拉单晶硅(2)。晶体提拉工序包含至少1次追加掺杂工序，用于投下包含副掺杂剂的掺杂剂原料(5)至硅熔液(3)。未投下副掺杂剂(5)的第1期间中设定Ar气体流量为第1流量，而包含投下副掺杂剂(5)的期间的第2期间中设定Ar气体流量为比第1流量更大的第2流量。
单晶硅制造方法

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