[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410154514.2 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104112775B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | K-H.格布哈特;A.迈泽;T.施勒泽;M.施特拉泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张凌苗,胡莉莉 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。在半导体衬底中形成的半导体器件包括在半导体衬底中使半导体器件的相邻部件横向绝缘的隔离沟槽。横向隔离层布置在隔离沟槽中。半导体器件还包括源极区和漏极区以及布置在源极区和漏极区之间的主体区和漂移区。半导体器件附加地包括相邻于主体区的至少一部分的栅极电极和相邻于漂移区的至少一部分的场板。场介电层布置在漂移区和场板之间。场介电层的顶表面布置在比横向隔离层的顶表面更大的从半导体衬底的第一主表面测量的高度处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体衬底中形成的半导体器件，包括：在所述半导体衬底中的隔离沟槽，用于使所述半导体器件的相邻部件横向绝缘，横向隔离层布置在所述隔离沟槽中；源极区和漏极区；布置在所述源极区和所述漏极区之间的主体区和漂移区；相邻于所述主体区的至少一部分的栅极电极；以及相邻于所述漂移区的至少一部分的场板，场介电层布置在所述漂移区和所述场板之间，所述场介电层的顶表面布置在比所述横向隔离层的顶表面更大的从所述半导体衬底的第一主表面测量的高度处，其中所述源极区和所述漏极区掺杂有第一导电型的掺杂剂，所述主体区掺杂有第二导电型的掺杂剂，且所述漂移区掺杂有所述第一导电型的掺杂剂，所述半导体器件还包括补偿层，所述补偿层包括布置成相邻于所述漂移区的所述第二导电型的掺杂部分，所述补偿层连接到源极端子。
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