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[发明专利]半导体装置-CN201810971991.6有效
发明人： 杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810972334.3有效
发明人： 杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880059522.5有效
发明人：竹内有一;海老原康裕;杉本雅裕;山下侑佑 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在以一个方向为长度方向的沟槽栅构造的下方，配置具有以与沟槽栅构造交叉的方向为长度方向的JFET部(3)及电场阻挡层(4)的饱和电流抑制层(3、4)。此外，JFET部(3)和电场阻挡层(4)为交替地反复形成的条形状，将JFET部(3)做成具有第1导电型杂质浓度比较高的第1层(3b)和第1导电型杂质浓度比其低的第2层(3c)的结构。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体系统-CN202080082530.9在审
发明人： 杉本雅裕;樋口安史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为3eV以上，场效应迁移率为30cm2/V·s以上。
半导体装置系统

[发明专利]半导体装置及半导体系统-CN202080082446.7在审
发明人： 杉本雅裕;樋口安史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为4.5eV以上，场效应迁移率为10cm2/V·s以上。
半导体装置系统

[发明专利]半导体装置及具有半导体装置的半导体系统-CN202080082526.2在审
发明人： 杉本雅裕;樋口安史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：制作半导体装置以用作功率器件，该半导体装置至少具有高电阻氧化物膜，电阻为1.0×106Ω·cm以上的高电阻氧化物膜沿着电流的流动方向配置，或者配置于源极与漏极之间，或者配置于所述源极或/和所述漏极与基板之间。
半导体装置具有系统

[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201880008427.2有效
发明人：竹内有一;铃木优;杉本雅裕;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离，在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外，将电场缓和层(15)以直线状构成，将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成，抑制电场的进入。进而，在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间，也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下，抑制电场的进入。
碳化硅半导体装置

[发明专利]层叠结构体、包含层叠结构体的半导体装置及半导体系统-CN201980046420.4在审
发明人： 杉本雅裕;高桥勋;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种层叠结构体，其特征在于，在包含氧化镓或其混晶作为主成分的氧化物半导体膜上，层叠有包含元素周期表第15族元素中的至少一种元素的氧化膜。
层叠结构包含半导体装置系统

[发明专利]半导体装置及包含半导体装置的半导体系统-CN201980046475.5在审
发明人： 杉本雅裕;高桥勋;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶至少含有氧化镓。
半导体装置包含系统

[发明专利]半导体装置及包含半导体装置的半导体系统-CN201980046489.7在审
发明人： 杉本雅裕;高桥勋;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其为常闭型半导体装置且包括氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有刚玉结构，或者包含氧化镓或其混晶作为主成分，所述半导体装置的阈值电压为3V以上。
半导体装置包含系统

[发明专利]半导体装置-CN201980046761.1在审
发明人： 杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含镓(例如，氧化镓等)，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980046763.0在审
发明人： 杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，在n型半导体层(例如，将氧化物半导体作为主成分包含的n型半导体层等)与电极之间设置有一个或两个以上的p型半导体(例如，经p型掺杂的结晶性氧化物半导体等)，所述半导体装置的特征在于，所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中，并且从所述n型半导体层向所述电极内突出。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980046773.4在审
发明人： 杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如，α型氧化镓等)作为主成分，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及包含半导体装置的半导体系统-CN201980046507.1在审
发明人： 杉本雅裕;高桥勋;四户孝 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶具有刚玉结构。
半导体装置包含系统

[发明专利]结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统-CN201911366053.4在审
发明人：高桥勋;鸟山达矢;杉本雅裕;四戸孝;上东秀幸;大原淳士;广濑富佐雄;松木英夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA;株式会社电装
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。
结晶氧化物半导体装置系统

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