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- [发明专利]认证网络-CN201810050362.X有效
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渡边浩志;木下敦宽
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夏桂根;渡边浩志
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2018-01-18
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2022-01-25
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H04L9/08
- 本发明提供一种认证网络，使用公开账簿技术解决作为物理节点连接至网络的机器的物理地址易遭窜改的问题。该认证网络包含数个节点，各该节点分别包含处理单元及认证核心，该认证核心包含钥匙产生装置，该钥匙产生装置产生互相成对的密钥及公钥，该公钥作为该处理单元的逻辑地址，该密钥被封闭于该认证核心。本发明另一种认证网络还包含数个节点，各该节点分别包含处理单元及认证核心，该认证核心包含钥匙产生装置及密钥，该钥匙产生装置由该密钥产生公钥，该公钥作为该处理单元的逻辑地址，该密钥及该公钥互相成对。该处理单元掌管各该节点之间的信息通信处理，该认证核心掌管各该节点的认证。
- 认证网络
- [发明专利]存储设备及数据处理方法-CN201410068942.3有效
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栗田贵宏;佐佐木勇辉;木下敦宽
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东芝存储器株式会社
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2014-02-27
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2017-10-27
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G06F12/02
- 本发明提供一种存储设备及数据处理方法。存储设备具备多个存储节点，其向两个以上的不同的方向相互连接，具备非易失性存储器；和第1连接单元，其将从外部供给的指令发送到多个存储节点中的连接目的地的第1存储节点。第1连接单元将指令的第1寿命附加到指令，将包含第1寿命的指令发送给第1存储节点。多个存储节点中的接收到包含第1寿命的指令的第2存储节点在第2存储节点不是指令的发送目的地存储节点的情况下，对附加于第1指令的第1寿命进行减法运算，在减法运算后的第1寿命小于阈值的情况下，废弃包含减法运算后的第1寿命的指令，在减法运算后的第1寿命大于阈值的情况下，将包含减法运算后的第1寿命的指令传送给相邻的存储节点。
- 存储设备数据处理方法
- [发明专利]包括键-值存储的存储器系统-CN201210279821.4有效
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木下敦宽;丸龟孝生;辰村光介
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株式会社东芝
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2012-08-08
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2016-10-26
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G06F13/16
- 公开了一种包括键‑值存储的存储器系统。根据一个实施例，包括键‑值存储（该存储包含键‑值数据作为键和对应于该键的值的对）的存储器系统包括第一存储器（14）、控制电路（11）以及第二存储器（12）。第一存储器（14）被配置成包含用于存储数据的数据区域以及包含键‑值数据的表区域。控制电路（11）被配置成通过寻址来执行对第一存储器（14）的写入和读取，并执行基于键‑值存储的请求。第二存储器（12）被配置成根据来自控制电路（11）的指令而存储键‑值数据。控制电路（11）通过使用存储在所述第一存储器（14）中的键‑值数据以及存储在所述第二存储器（12）中的键‑值数据来执行集合操作。
- 包括存储存储器系统
- [发明专利]存储装置-CN201310394679.2无效
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佐佐木勇辉;栗田贵宏;木下敦宽
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株式会社东芝
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2013-09-03
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2014-07-16
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G06F13/16
- 提供一种能够容易扩展并且数据的转发高速的存储装置。该存储装置具备：发布数据读出以及写入的控制命令的处理部；相互连接为至少大于等于二维的排列的多个存储部；上述处理部具备：处理器和对于上述处理器与通过总线连接的外部网络之间进行通信的网络通信部；上述存储部具备：通过总线与上述处理部连接的处理器输入输出部；与相邻的其它上述存储部连接的存储部输入输出部；能够存储数据的存储器；根据在上述数据中包含的上述存储部的位置信息，决定向其它上述存储部转发上述数据的转发路径，并进行转发处理的路由部。
- 存储装置
- [发明专利]模数转换器-CN201210224236.4无效
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丸亀孝生;棚本哲史;木下敦宽;井口智明;铃木正道;齐藤好昭
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株式会社东芝
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2012-06-29
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2013-04-03
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H03M1/12
- 一种模数转换器，包括电压生成单元和多个比较器。电压生成单元通过多个电阻器将从外部施加的基准电压分压以生成多个比较电压。比较器将比较电压与模拟输入电压相比较并基于比较结果而输出数字信号。每个比较器包含检测比较电压和模拟输入电压之间的电势差的差动对电路。差动对电路包含第一电路部分和第二电路部分。第一电路部分包含：栅极被供给一个输入的第一输入晶体管和与第一输入晶体管串联连接的电阻器。第二电路部分包含：栅极被供给另一个输入并与第一输入晶体管形成差动对的第二输入晶体管；和与第二输入晶体管串联连接的可变电阻器。可变电阻器包含串联连接的多个可变电阻元件，每个可变电阻元件具有根据控制信号被可变地设定的电阻值。
- 转换器
- [发明专利]包括键-值存储的存储器系统-CN201210279967.9无效
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丸亀孝生;木下敦宽;辰村光介
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株式会社东芝
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2012-08-08
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2013-02-13
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G06F12/06
- 公开了包括键-值存储的存储器系统。根据一个实施例，包括键-值存储的存储器系统（10）包括接口（11）、存储块（16）、地址获取电路（14）和控制器（13），键-值存储包含作为键和与键相对应的值的对的键-值数据。接口（11）接收数据写入/读取请求或基于键-值存储的请求。存储块（16）具有用于存储数据的数据区域（161）和包含键-值数据的元数据表（162）。地址获取电路（14）响应于键的输入而获取第一地址。控制器（13）执行对存储块（16）的数据写入/读取请求，以及向存储块（16）输出获取的第一地址并执行基于键-值存储的请求。控制器（13）经由接口（11）输出与键相对应的值。
- 包括存储存储器系统
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200980160136.6有效
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辰村光介;木下敦宽
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株式会社东芝
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2009-07-08
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2012-05-23
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H01L21/336
- 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在MISFET的沟道区域使用高迁移率沟道材料，该制造方法包括：在表面部具有与表面垂直的方向的结晶方位为[110]方向的Si1-xGex(x＜0.5)的支撑基板的表面部上，以使栅极长度方向的端部的面方位成为与上述[110]方向正交的{111}面的方式形成伪栅极的工序；将伪栅极用作掩模，在基板的表面部形成源极/漏极区域的工序；在伪栅极的侧部埋入形成绝缘膜的工序；将绝缘膜用作掩模，去除伪栅极，进而去除基板的源极/漏极区域间的工序；在源极/漏极区域间生长III-V族半导体或Ge构成的沟道区域的工序；以及在沟道区域上隔着栅极绝缘膜形成栅极电极的工序。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]非易失性半导体存储器件-CN200810178673.0无效
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木下敦宽;白田理一郎;渡边浩志;室冈贤一;古贺淳二
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株式会社东芝
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2007-02-01
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2009-05-13
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H01L27/115
- 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体衬底；以矩阵状形成于半导体衬底上的多个半导体柱；在多个半导体柱之间、沿列方向以条带状形成于半导体衬底上的、作为字线的多个第一传导区域；分别形成于多个半导体柱的顶上的多个第二传导区域；沿行方向与多个第二传导区域相连接的多个位线；分别形成在第一和第二传导区域之间的多个半导体柱上的、与第一和第二传导区域相接触的多个沟道区域；在通过半导体衬底上方的第一绝缘膜连续形成的、在多个半导体柱之间沿列方向对着多个沟道区域的、并用作控制栅的多个第三传导区域；以及分别通过位于多个沟道区域上部的第二绝缘膜、在高于多个第三传导区域的位置上形成的多个电荷积累区域。
- 非易失性半导体存储器件
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