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[实用新型]外延片及肖特基二极管-CN201821004572.7有效
发明人：邢东;冯志红;赵向阳;王元刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种外延片及肖特基二极管，外延片包括：衬底；所述衬底上表面设有重掺杂外延层；所述重掺杂外延层上表面设有轻掺杂外延层；所述轻掺杂外延层中设有凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂外延层的厚度；所述轻掺杂外延层上表面设有二次外延层，所述二次外延层填充所述轻掺杂外延层中的凹槽，且所述二次外延层的厚度大于所述凹槽的深度。使用本实用新型提供的外延片制备肖特基二极管时，能够提高肖特基二极管的反向击穿电压，且不会降低器件的高频性能。
轻掺杂外延层外延层肖特基二极管外延片本实用新型上表面重掺杂半导体技术领域反向击穿电压衬底上表面高频性能降低器件衬底制备填充

[发明专利]半导体器件及用于生产半导体器件的方法-CN201911334259.9在审
发明人：古拉布·萨布依;陈宇鹏;U·夏尔马 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在总体方面，半导体器件可包括第一导电类型的重掺杂衬底、设置在重掺杂衬底上的第二导电类型的轻掺杂外延层，以及设置在轻掺杂外延层上的第二导电类型的重掺杂外延层。重掺杂外延层可具有大于轻掺杂外延层的掺杂浓度的掺杂浓度。重掺杂衬底的至少一部分可包括在齐纳二极管的第一端子中，并且轻掺杂外延层的至少一部分和重掺杂外延层的至少一部分可包括在齐纳二极管的第二端子中。半导体器件还可包括端接沟槽，该端接沟槽延伸穿过重掺杂外延层和轻掺杂外延层，并且终止于重掺杂衬底中。
半导体器件用于生产方法

[实用新型]一种基于外延技术的三维集成功率半导体-CN201320029728.8有效
发明人：傅兴华;马奎;杨发顺;林洁馨 -专利权人：贵州大学
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于外延技术的三维集成功率半导体，集成的大功率器件是VDMOS，集成功率半导体从下至上依次包括重掺杂N型硅片、第一层轻掺杂N型外延层、第二层轻掺杂N型外延层和第三层轻掺杂N型外延层，第二层轻掺杂N型外延层和第三层轻掺杂N型外延层之间包含P_bulk层，P_bulk层上方的第三层轻掺杂N型外延层中包含PBL、P_sink区和N_sink区，第二、三层轻掺杂N型外延层中有填充槽，槽内为填充介质
一种基于外延技术三维集成功率半导体

[发明专利]一种带有外延调制区的半导体装置及其制造方法-CN201610889084.8在审
发明人：陈文锁;杨婵;刘建;陈兴;杨伟;欧宏旗;钟怡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有外延调制区的半导体装置及其制造方法，其特征在于包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型外延调制区和场介质层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第一导电类型外延调制区浮空于轻掺杂第一导电类型外延层之中。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。
一种带有外延调制半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种带有外延调制区的半导体装置-CN201621116798.7有效
发明人：陈文锁;杨婵;刘建;陈兴;杨伟;欧宏旗;钟怡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有外延调制区的半导体装置，其特征在于包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型外延调制区和场介质层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第一导电类型外延调制区浮空于轻掺杂第一导电类型外延层之中。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。
一种带有外延调制半导体装置

[发明专利]一种FinFET源漏外延三层结构及其形成方法-CN201911352504.9在审
发明人：雷海波;田明;宋洋;廖端泉 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET源漏外延三层结构及其形成方法，在PMOS区的源、漏上外延生长掺杂B的SiGe的轻掺杂结构；在SiGe的轻掺杂结构上外延生长含碳薄掺杂层；在含碳薄掺杂层上外延生长掺杂B的SiGe的重掺杂结构；在PMOS区的源、漏上外延生长掺杂P的Si轻掺杂结构；在掺杂P的Si轻掺杂结构上外延生长含碳薄掺杂层；在碳薄掺杂层上外延生长掺杂P的Si重掺杂结构。本发明在两层之间引入含碳薄掺杂层，利用碳抑制掺杂物扩散的特性，增强外延在高温退火过程掺杂梯度的稳定性，从而提高器件稳定性。
一种 finfet 外延三层结构及其形成方法

[发明专利]一种图像传感器-CN201811620551.2有效
发明人：孙德明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底；第一导电类型轻掺杂外延层，设置于所述衬底上；转移晶体管，设置于所述第一导电类型轻掺杂外延层上；光电二极管，设置于所述第一导电类型轻掺杂外延层上，与所述转移晶体管相连接，所述光电二极管包括：第二导电类型中掺杂层，设置于所述第一导电类型轻掺杂外延层内；第二导电类型轻掺杂层(32)，设置于所述第一导电类型轻掺杂外延层内且位于所述第二导电类型中掺杂层靠近所述衬底的一侧；第一导电类型重掺杂层(33)，设置于所述第二导电类型中掺杂层远离所述衬底的一侧；第二导电类型轻掺杂层(34)，设置于所述第一导电类型重掺杂层和所述第二导电类型中掺杂层之间。
一种图像传感器

[发明专利]外延片的制备方法及肖特基二极管-CN201810682428.7在审
发明人：邢东;冯志红;赵向阳;王元刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种外延片的制备方法及肖特基二极管，外延片的制备方法包括：在衬底上表面生长重掺杂外延层；在所述重掺杂外延层上表面生长轻掺杂外延层；在所述轻掺杂外延层中制备凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂外延层的厚度；在制备凹槽后的轻掺杂外延层上表面生长二次外延层，所述二次外延层填充所述凹槽，且所述二次外延层的厚度大于所述凹槽的深度。使用本发明提供的外延片制备肖特基二极管时，能够提高肖特基二极管的反向击穿电压，且不会降低器件的高频性能。
制备外延层轻掺杂外延层肖特基二极管外延片上表面重掺杂生长半导体技术领域反向击穿电压衬底上表面高频性能降低器件填充

[发明专利]双极晶体管及其制作方法-CN201210115334.4有效
发明人：朱恩均 -专利权人：朱恩均
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：所述双极晶体管包括：重掺杂衬底；在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层；设置在所述轻掺杂外延层内的集电区；设置在所述轻掺杂外延层内、位于所述集电区上方且与所述集电区相邻的基区；位于所述轻掺杂外延层上、且位于基区上的发射区采用本发明所提供的双极晶体管，所述轻掺杂外延层内具有集电区，所述集电区即为本征区，所述集电区两侧的轻掺杂外延层电容较小，对集电区的电容干扰较小，因此，器件的线性性能较好，同时在高频段器件的输出功率具有大幅度的提高
双极晶体管及其制作方法

[发明专利]增强型GaN基功率晶体管器件及其制作方法-CN201611161073.4在审
发明人：黄森;刘新宇;康玄武;王鑫华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：所述方法包括在衬底上生长第一轻掺杂N型GaN外延层；在第一轻掺杂N型GaN外延层上生长P型GaN外延层；对P型GaN外延层和第一轻掺杂N型GaN外延层刻蚀，形成贯穿P型GaN外延层或贯穿P型GaN外延层并伸入第一轻掺杂N型GaN外延层的刻蚀图形；在所述P型GaN外延层上生长第二轻掺杂N型GaN外延层；在第二轻掺杂N型GaN外延层上生长Al(In，Ga)N薄势垒层，形成薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；在薄势垒异质结构上生长钝化层采用外延技术形成薄势垒异质结构，避免了采用槽栅刻蚀技术来减小势垒层厚度的问题，在薄势垒层表面淀积钝化层，有效提高了薄势垒异质结构势垒栅极区域以外的二维电子气密度。
增强 gan 功率晶体管器件及其制作方法

[发明专利]具有双外延层结构的CMOS图像传感器及其制造方法-CN201610585056.7有效
发明人：李娟娟;田志;白英英;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双外延层结构的CMOS图像传感器及其制造方法。本发明的具有双外延层结构的CMOS图像传感器包括：依次层叠的P型重掺杂的衬底、第一层P型轻掺杂外延层和第二层P型轻掺杂外延层；其中，第一层P型轻掺杂外延层中形成有下部N阱和下部P阱，第二层P型轻掺杂外延层中形成有上部
具有外延结构 cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]平面肖特基势垒二极管-CN201510946666.0在审
发明人：马文力;杨勇;谭德喜;姚伟明;付国振 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种平面肖特基势垒二极管，包括N型重掺杂硅衬底、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂环区、薄氧化层、场氧化层、肖特基势垒层、多层金属层；其特征在于在P型重掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区，薄氧化层位于P型重掺杂环区和P型轻掺杂环区上面，场氧化层位于部分P型轻掺杂环区上方及其外侧的N型轻掺杂外延层上方，肖特基势垒层形成于在部分P型重掺杂环区上面及N型轻掺杂外延层上面。本发明二极管可有效提高P型重掺杂环区的耐压效率，进而可以通过降低P型重掺杂环区的结深，进一步增强肖特基势垒区的表面电场，从而提高平面肖特基势垒的抗雷击能力，并能够降低正向导通压降、提高正向浪涌能力。
平面肖特基势垒二极管

[发明专利]氮化镓基功率二极管及其制作方法-CN201611258251.5有效
发明人：康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基功率二极管及其制作方法，在重掺杂N型氮化镓衬底上方生长第一轻掺杂N型氮化镓外延层；在第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层；对P型氮化镓外延层和第一轻掺杂N型氮化镓外延层进行刻蚀，以形成贯穿于P型氮化镓外延层或贯穿于P型氮化镓外延层并伸入第一轻掺杂N型氮化镓外延层的刻蚀图形；在含有刻蚀图形的P型氮化镓外延层上方生长第二轻掺杂N型氮化镓外延层；制作阳极和阴极，以形成氮化镓基功率二极管本发明采用外延法替代离子注入法来形成氮化镓基功率二极管中的P型掺杂结构，杂质有效激活率高，避免了依靠退火技术来提高离子注入中杂质有效激活率的问题，降低了工艺实现的难度。
氮化功率二极管及其制作方法

[发明专利]一种带有衬底埋层的半导体装置及其制造方法-CN201610890158.X在审
发明人：陈文锁;欧宏旗;钟怡;杨婵;张培健;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有衬底埋层的半导体装置及其制造方法，其特征在于，包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型衬底埋层和场介质层。所述第一导电类型衬底埋层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于第一导电类型衬底埋层之上。所述轻掺杂第一导电类型外延层还覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。
一种带有衬底半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种带有衬底埋层的半导体装置-CN201621117053.2有效
发明人：陈文锁;欧宏旗;钟怡;杨婵;张培健;刘建 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有衬底埋层的半导体装置，其特征在于，包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第一导电类型衬底埋层和场介质层。所述第一导电类型衬底埋层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于第一导电类型衬底埋层之上。所述轻掺杂第一导电类型外延层还覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上的部分表面。所述第二导电类型保护环区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述场介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。
一种带有衬底半导体装置

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