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[发明专利]CMOS晶体管及其制造方法-CN202111226516.4在审
发明人：潘光明 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：晶体管，包括：包含NMOS区域和PMOS区域的衬底和层间绝缘介质层，所述NMOS区域上形成有第一沟槽，所述PMOS区域上形成有第二沟槽，第一沟槽中形成有栅介质层、第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、N型功函数层和金属组合层；第二沟槽中形成有栅介质层、第一阻挡层、第二阻挡层、P型功函数层、第三阻挡层、N型功函数层和金属组合层。本申请通过在第二沟槽中的P型功函数层和N型功函数层之间形成第三阻挡层，可以避免所述N型功函数层和组合金属层中的金属离子(铝离子)扩散至所述P型功函数层中，保证了PMOS的Vmin的有效，提高了CMOS的良率
cmos 晶体管及其制造方法

[发明专利]金属栅晶体管的制造方法-CN202210713425.1在审
发明人：张鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅晶体管的制造方法，包括：步骤一、提供形成有金属栅的底部阻障层的半导体衬底，定义出第一区域和第二区域并在第一区域中形成第一薄膜，第一薄膜选用能抑制后续第一功函数金属层生长的材料。步骤二、进行第一功函数金属层的生长，利用第一薄膜具有抑制所述第一功函数金属层的生长的特性，使第一功函数金属层仅在第二区域中进行生长。步骤三、去除第一区域的所述第一薄膜。本发明能实现功函数金属层的选择性生长，能避免功函数金属层的刻蚀工艺对底部阻障层产生损伤或对功函数金属层本身产生侧向刻蚀作用，从而能提高器件的可靠性和防止器件的阈值电压产生漂移。
金属晶体管制造方法

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法-CN201510445767.X有效
发明人：林昭宏;许智凯;冯立伟;蔡世鸿;林建廷;郑志祥;洪庆文;吴家荣;李怡慧;刘盈成;吴奕宽;黄志森;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该第一n型FET元件包含有一第一n型金属栅极，该第一n型金属栅极包含有一第三底部阻障层以及一n型功函数金属层，且该n型功函数金属层直接接触该第三底部阻障层。该第二n型FET元件包含有一第二n型金属栅极，该第二n型金属栅极包含有一第二底部阻障层、该n型功函数金属层、以及一第三p型功函数金属层，且该第三p型功函数金属层夹设于该第二底部阻障层与该n型功函数金属层之间该第三p型功函数金属层与该第三底部阻障层包含相同材料。
具有金属栅极半导体元件及其制作方法

[实用新型]GaN基功率器件的栅极结构-CN201821896945.6有效
发明人：刘斌;范亚明;朱璞成;熊其平 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：所述栅极结构包括依次设置的介质层、第一过渡层、第二过渡层和堆叠栅电极层，在第一过渡层和第二过渡层之间还设置有一层以上的功函数层，功函数层包括基础材料层，在基础材料层上设置有一个以上的窗口，窗口内填充有复合材料，复合材料至少由形成基础材料层的基础材料与功函数调节材料复合形成；基础材料选自金属化合物，功函数调节材料选自金属材料。本实用新型实施例提供的GaN基功率器件的栅极结构功函数层内的功函数调节材料元素分层分布和/或图形化分布控，能有效调制GaN基功率器件的栅极区域电流和电场密度分布，解决引入功函数层带来的不利影响，使器件达到热平衡以及能够提高器件的击穿电压
功函数层功率器件栅极结构过渡层功函数调节基础材料层本实用新型基础材料复合材料金属化合物金属材料电场材料复合材料元素分层分布击穿电压密度分布依次设置栅极区域电极层堆叠栅介质层热平衡布控调制填充引入

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510167807.9在审
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底以及位于部分基底表面的伪栅，伪栅包括栅介质层、第一功函数层、以及非晶硅层，且伪栅包括第一区域、第二区域和第三区域；在基底表面形成层间介质层，层间介质层覆盖于伪栅侧壁表面；去除第一区域的非晶硅层，使第一区域的第一功函数层表面被暴露出来；对第一区域的第一功函数层进行掺杂处理，将第一区域的第一功函数层转化为第二功函数层；去除第二区域的非晶硅层；在去除第一区域和第二区域的非晶硅层之后，对第三区域的伪栅进行退火处理，将第三区域的第一功函数层转化为第三功函数层。本发明同一金属栅极下方具有功函数值不同的三种功函数层，有效的改善形成的半导体器件的电学性能。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611158235.9有效
发明人：张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：栅极堆叠件位于半导体衬底上，并且栅极堆叠件包括至少一个功函数导体和填充导体。在功函数导体中具有凹槽。填充导体包括插塞部和盖部。插塞部位于功函数导体的凹槽中。盖部覆盖功函数导体。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]金属栅极、半导体器件及其制造方法-CN201711107856.9在审
发明人：邓浩;徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种金属栅极、半导体器件及其制造方法，所述金属栅极包括功函数层，所述功函数层的上表面和/或下表面上形成有掺杂硅和/或锗的功函数保护层，硅和/或锗的掺入能够形成非晶结构，能够将原本纯的基材中沿垂直方向生长的柱状晶结构细化，并演变为等轴晶或者无明显晶粒边界的结构，致密性显著提高，在用于PMOS晶体管时可以阻挡外界的铝原子等向所述功函数层中扩散，在用于NMOS晶体管时可以阻挡所述功函数层中的铝原子等向外界扩散，从而能够改善铝等扩散对金属栅极的功函数的影响
功函数层金属栅极半导体器件功函数铝原子扩散阻挡柱状晶结构电学性能非晶结构晶粒边界保护层掺杂硅等轴晶上表面下表面致密性掺入基材细化制造生长

[发明专利]一种铁电薄膜表面功函数的测定方法-CN202010108083.1在审
发明人：张万里;毛燕湖;崔莲 -专利权人：长江师范学院
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G01N27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电薄膜表面功函数的测定方法，包括：S1、在待测铁电薄膜表面制备具有不同功函数的金属顶电极；S2、测量不同金属顶电极与待测铁电薄膜之间的势垒差；S3、基于所述势垒差及金属顶电极的功函数生成所述待测铁电薄膜表面功函数与现有技术相比，本发明可以使得在缺少大型检测功函数仪器情况下，较为方便地获得薄膜表面的功函数值，进而加深人们对氧化物铁电薄膜表面特性的认识及有效获得氧空位的浓度值，此外，本发明也可以大大提高我们对氧化物铁电薄膜表面属性的性能调控
一种薄膜表面函数测定方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911270198.4在审
发明人：苏博;王彦;纪世良;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区和第二区表面具有若干相互分立的鳍部，所述鳍部上具有第一功函数层和位于所述第一功函数层表面的第二功函数层，且所述第一功函数层覆盖鳍部的顶部表面和侧壁表面；在所述第二功函数层上形成保护层；形成保护层之后，在所述基底和鳍部上形成掩膜材料层；去除第一区上的掩膜材料层，形成掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜，去除第一区上的第二功函数层和保护层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110362187.X在审
发明人：陈玠玮;连建洲;江子昂;林群能;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法：包括沉积第一功函数层于栅极介电层上；形成第一硬遮罩层于第一功函数层上；形成光阻遮罩于第一硬遮罩层上，其中形成光阻遮罩的步骤包括沉积底抗反射涂层于第一硬遮罩层上；蚀刻底抗反射涂层的一部分；采用底抗反射涂层作为遮罩，蚀刻第一硬遮罩层的一部分；蚀刻第一功函数层的一部分，并经由第一硬遮罩层与第一功函数层露出栅极介电层的一部分；移除第一硬遮罩层；以及沉积第二功函数层于第一功函数层与栅极介电层的部分上
半导体装置形成方法

[发明专利]一种电子发射体功函数可调的阴极及其阵列-CN201510250562.6有效
发明人：魏贤龙;吴功涛;陈清 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种电子发射体功函数可调的阴极，包括一电子发射体；位于所述电子发射体两端，并和所述电子发射体电连接的一电极对；调制所述电子发射体功函数的一栅电极；隔离所述栅电极和所述电子发射体的一隔离层。还提供一种电子发射体功函数可调的阴极阵列，其包含一定数量的以上任意一种电子发射体功函数可调的阴极，所述一定数量的阴极排布在同一衬底表面。本发明提出的电子发射体功函数可调的新型电子发射阴极及其阵列，可通过栅电极的调制来降低电子发射体的功函数，从而提高阴极的性能，可以广泛地应用于涉及电子发射阴极的各种电子设备。
一种电子发射函数可调阴极及其阵列

[发明专利]调色剂、使用其的显影设备和显影方法-CN200510055789.1无效
发明人：宫川修宏;安川信二;村上博之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G03G9/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种调色剂，具有：调色剂母粒；第一外部添加剂，包括第一无机精细粒子，所述第一无机精细粒子具有200纳米到750纳米的初级粒子尺寸分布，并且所述第一无机精细粒子的功函数近似等于所述调色剂母粒的功函数；第二外部添加剂，包括第二无机精细粒子，所述第二无机精细粒子的平均粒子尺寸小于所述第一无机精细粒子的平均粒子尺寸，并且所述第二无机精细粒子的功函数小于所述调色剂粒子、显影设备的搅拌构件和/或所述显影设备的内壁的功函数；和按重量计0.01％到0.3％的金属皂，所述金属皂的功函数近似等于所述调色剂母粒的功函数。
调色使用显影设备方法

[发明专利]半导体器件-CN201910644723.8在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括：栅极结构、沟道区、源区和漏区；栅极结构包括栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间具有功函数层，功函数层具有横向连接的第一功函数层和第二功函数层，第一功函数层所覆盖的沟道区为第一阈值电压区，第二功函数层所覆盖的沟道区为第二阈值电压区；第二阈值电压区的第二侧和漏区接触；通过第一功函数层调节第一阈值电压区对应的第一阈值电压，通过第二功函数层调节第二阈值电压区对应的第二阈值电压，第二阈值电压大于第一阈值电压
阈值电压功函数层沟道区半导体器件栅极结构栅介质层金属栅反型漏区横向连接掺杂的耐压区导通覆盖耐压源区

[发明专利]一种石墨烯薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201711043558.8在审
发明人：朱洋;邵蓉 -专利权人：南京旭羽睿材料科技有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：所述石墨烯薄膜太阳能电池，自下而上包括透明基底(1)、第一阳极层(2)、第二阳极层(3)、第三阳极层(4)、阳极修饰层(5)、薄膜光敏层(6)、阴极修饰层(7)、第一阴极层(8)，所述第一阳极层(2)为石墨烯或者改性石墨烯，所述第一阳极层(2)的厚度为10‑20 nm，所述第二阳极层(3)为ITO，所述第二阳极层(3)的厚度为50‑200 nm，所述第三阳极层(4)为Au纳米颗粒，所述第三阳极层(4)的厚度为0.5‑5 本发明的薄膜太阳能电池，采用新型的阳极结构，提高了电极的导电性、功函数和良品率，有利于提高薄膜太阳能电池特别是大面积薄膜太阳能电池的能量转换效率。
一种石墨薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]用于TFT的金属氧化物半导体的缓冲层-CN201480014434.5有效
发明人：柯蒂斯·莱施克斯;史蒂文·韦尔韦贝克;罗伯特·维瑟;约翰·M·怀特;彦·叶;任东吉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平
用于 tft 金属氧化物半导体缓冲