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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201811332614.4有效
发明人：王中磊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的形成方法，在衬底中的栅极沟槽的内壁上形成栅氧化层，再对所述栅极沟槽进行亲水处理，然后再依次形成功函数层及栅电极层于所述栅极沟槽中，使所述栅氧化层、功函数层及栅电极层构成栅极结构，所述亲水处理增加了栅极沟槽内氢氧基的浓度，进而可以促进功函数层的成核，使形成的功函数层的均匀性更好，能够有效的减小漏电流且提高了功函数层的粘附性，使半导体器件的性能更好。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911353670.0在审
发明人：李炳训;朴钟昊;金完敦;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第一栅电极包括功函数金属图案和电极图案。第二栅电极包括第一功函数金属图案、第二功函数金属图案和电极图案。第一功函数金属图案包含与高k电介质层的杂质相同的杂质。第二栅电极的第一功函数金属图案的杂质浓度大于第一栅电极的功函数金属图案的杂质浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高功函数金属核壳纳米线及其制备方法和应用-CN202110058924.7在审
发明人：杨巍;方晓生 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-01-17 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明属于电子信息技术领域，具体为一种高功函数金属核壳纳米线及其制备方法和应用。本发明制备方法包括高功函数壳层材料包覆，壳层材料掺杂等；通过高功函数壳层材料来提高纳米线的功函数；通过水合肼还原反应，实现在纳米线表面均匀的壳层材料包覆；通过引入铜掺杂改善镍壳层表面氧化带来的导电性下降问题制备得到的银‑镍铜核壳纳米线材料，其功函数显著提高，有助于解决光电器件和柔性电子器件构筑时的功函数失配问题；耐热性能显著提升，并改善电学性能；透明导电性接近银纳米线水平，并与溶液成膜工艺相适应，因而能满足光电器件和柔性电子器件的性能需求
一种函数金属纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种新型金属栅的结构及其制造方法-CN202110819643.9在审
发明人：麻尉蔚;徐晓林;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：具有第二栅极结构；第一栅极结构包括第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层、第三阻挡层和金属栅；第二栅极结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第二金属层、第三阻挡层和金属栅；第一栅极结构的第一金属层作为PMOS的第一功函数层；第二栅极结构的第二金属层作为NMOS的第二功函数层；第一功函数层和第二功函数层被第二阻挡层分隔开。本发明通过第二阻挡层分隔开第一功函数层和第二功函数层，从而隔离金属栅以及NMOS的第二金属层对PMOS的第一金属层的影响，进而提高了PMOS阀值电压(Vt)面内均匀性，提高良率。
一种新型金属结构及其制造方法

[发明专利]一种新型金属栅的结构及其制造方法-CN202110718743.2在审
发明人：麻尉蔚;徐晓林;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：；第一栅极结构包括第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层、第二金属层、第三阻挡层和金属栅；第二栅极结构包括第一阻挡层、第二阻挡层、第二金属层、第三阻挡层和金属栅；第一栅极结构的第一金属层作为PMOS的第一功函数层；第二栅极结构的第二金属层作为NMOS的第二功函数层；第一功函数层和第二功函数层被第二阻挡层分隔开。本发明通过第二阻挡层分隔开第一功函数层和第二功函数层，从而隔离金属栅以及NMOS的第二金属层对PMOS的第一金属层的影响，进而提高了PMOS阀值电压(Vt)面内均匀性，提高良率。
一种新型金属结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110056291.6在审
发明人：黄达;董耀旗;戴小宛;田震 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第二区以及位于第一区和第二区之间的隔离区；分别位于所述第一区上的第一鳍部、第二区上的第二鳍部以及隔离区上的第三鳍部；横跨所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的栅极结构，所述栅极结构包括：位于所述第一区和部分隔离区上的第一功函数层和位于所述第二区和部分隔离区的第二功函数层，且所述第一功函数层和第二功函数层相接触的界面位于所述第三鳍部的顶部表面。位于所述隔离区上的第三鳍部能够对第一功函数层和第二功函数层之间起到阻挡作用，所述半导体结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种钙钛矿功函数调节剂、钙钛矿太阳能电池及其制备方法、应用-CN202211525254.6在审
发明人：盛余松;张德义 -专利权人：武汉万度光能研究院有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K85/50 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿功函数调节剂、钙钛矿太阳能电池及其制备方法、应用，所述钙钛矿功函数调节剂，含有巯基类化合物；所述巯基类化合物具有巯基官能团。本发明所述的钙钛矿功函数调节剂，采用结构简单的巯基类化合物，相较于现有技术中的p型掺杂剂，成本也更低。并且，本发明所述的钙钛矿功函数调节剂，为含有巯基官能团的小分子，与钙钛矿前驱体溶液的相容性更高，该类分子通过Pb‑S间的强相互作用可以改变钙钛矿材料功函数，同时，巯基在空气中可发生氧化过程，生成相应的二硫化物，这一过程实现了钙钛矿功函数的大幅度调节，并带来电池的开路电压的提升。
一种钙钛矿功函数调节剂钙钛矿太阳能电池及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210258854.0有效
发明人：殷华湘;闫江;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：每个栅极堆叠结构两侧的多个栅极侧墙结构、每个栅极侧墙结构两侧衬底中的多个源漏区，多个栅极堆叠结构包括多个第一栅极堆叠结构和多个第二栅极堆叠结构，其特征在于：第一栅极堆叠结构包括第一栅极绝缘层、第一阻挡层、第一功函数调节层、和电阻调节层，第二栅极堆叠结构包括第二栅极绝缘层、第一阻挡层、第二功函数调节层、第一功函数调节层、和电阻调节层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，先选择性沉积NMOS功函数调节层然后再沉积PMOS功函数调节层，简化了PMOS金属栅极结构，在有效控制金属栅功函数的同时还能提高电阻调节层填充的空间，从而有效降低栅极电阻
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有金属栅极结构的半导体元件的功函数调整方法-CN201510584677.9有效
发明人：张云慈;周仕旻;赖国智;张净云;颜湘婕;陈彦臻;吕泱儒;何念葶;许启茂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种具有金属栅极结构的半导体元件的功函数调整方法，包括下列步骤。在基底上提供具有相同结构的第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构。第一堆叠栅极结构与第二堆叠栅极结构分别包括第一型的第一功函数金属层。形成图案化硬掩模层。图案化硬掩模层暴露出第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层且覆盖第二堆叠栅极结构的第一功函数金属层。对图案化硬掩模层所暴露出的第一堆叠栅极结构的第一功函数金属层进行第一气体处理。第一气体处理所使用的气体包括含氮气体或含氧气体。上述半导体元件的功函数调整方法可通过简易的制作工艺来进行。
具有金属栅极结构半导体元件函数调整方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510631720.2有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底；位于第一区域部分基底表面的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一功函数层；位于第二区域部分基底表面的第二栅极结构，第二栅极结构包括第二功函数层，第二功函数层的功函数类型与第一功函数层的功函数类型不同
半导体结构及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201610410566.0有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：在第一开口底部和侧壁上形成高k栅介质层，所述高k栅介质层还位于所述暴露出的NMOS区域的鳍部的部分顶部和侧壁上；在所述高k栅介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成N型功函数层，所述N型功函数层内含有Al离子；对所述N型功函数层进行回流退火处理，所述回流退火处理适于使位于所述拐角区域的N型功函数层厚度变厚，且还适于使所述拐角区域的N型功函数层内的Al离子向所述阻挡层内扩散；在进行所述回流退火处理之后，在所述N型功函数层上形成填充满所述第一开口的金属层。
场效应形成方法

[发明专利]太阳能电池及生产方法、光伏组件-CN202011548705.9有效
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅基底、氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在氮化钛层远离硅基底的一面，金属电极层设置在低功函数金属层远离氮化钛层的一面；其中，低功函数金属层中包含的低功函数金属高于金属钛的活性本申请中，若作为载流子选择传输层的氮化钛层被氧化而生成氧化钛层，则低功函数金属层可以还原氧化钛层，从而提高氮化钛层的导电性，使得电子传输效率得到提升，降低了金属电极与氮化钛层之间的势垒高度，从而可以降低太阳能电池的接触电阻
太阳能电池生产方法组件

[发明专利]复合阴极结构及有机电致发光器件-CN201811397973.8有效
发明人：李哲;宋晶尧;付东 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K50/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合阴极结构及有机电致发光器件，复合阴极结构包括层叠的第一阴极层和第二阴极层，所述第一阴极层为透明导电氧化物层，所述第二阴极层由功函数小于3eV且原子序数大于20的金属形成。当在电子传输层与透明导电氧化物层之间加入低功函数(功函数小于3eV)的活性金属层，可以避免或降低电子传输层材料受到高能粒子破坏的风险，且可以帮助电子注入。而且通过比较一系列具有较低功函数的金属发现，原子序数较小(原子质量较轻)的低功函数金属对于高能粒子轰击造成破坏的抵抗效果有限，而原子序数较大(原子质量较重)尤其是原子序数大于20的低功函数金属则具有较好的抵抗高能粒子轰击的效果
复合阴极结构有机电致发光器件

[发明专利]复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置-CN201911064318.5有效
发明人：眭俊;李哲;黄航;苏亮;田亚蒙 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10K50/826 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合阴极结构及其制备方法、发光器件和显示装置，复合阴极结构包括：第一阴极层，第一阴极层为低功函数金属与Ag的合金层；第二阴极层，第二阴极层设置在所述第一阴极层上，第二阴极层为Ag纳米线层；其中，低功函数金属为功函数为1.5ev～3.5eV的金属。本发明通过将低功函数金属与Ag混合的合金层作为第一阴极层，既可保留低功函数金属较高的电子注入能力又可保留高功函数金属Ag的高稳定性。
复合阴极结构及其制备方法发光器件显示装置

[发明专利]双工函数半导体元件及其制法-CN200810173352.1无效
发明人：张守仁;汤玛斯·Y·哈夫曼;玻陀斯·杰佛瑞;于洪宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制作双功函数半导体元件的方法，包括提供具有第一区与第二区的基底，于第一区与第二区上形成栅极介电层，于栅极介电层上形成金属栅极层，其中金属栅极层具有第一(初镀)功函数，第一(初镀)功函数可以通过于其上引发应变而调整，以及选择性形成第一应变导电层于第一区的金属栅极层上，第一应变导电层施加选定的应变于金属栅极层上，因而引发第一区的金属栅极层的第一(初镀)功函数产生第一预定功函数偏移(ΔWF1)。本发明还提供以上述方法而制得的双功函数半导体元件。本发明能够使金属氧化物半导体场效应晶体管元件中的启始电压得到改善，并且工艺简单，成本较低。
双工函数半导体元件及其制法

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