“张哲诚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果188个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种动荷载影响下顶板渗流试验装置及方法-CN201910086762.0有效
发明人：张向东;杨建军;张哲诚;高海洋;刘家顺;于昕言;魏学达;李永启;周林林;董泽 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：一种动荷载影响下顶板渗流试验装置及方法，属于采矿工程技术领域。所述动荷载影响下顶板渗流试验装置，包括实验罐体、轴压系统、围压系统、大渗流系统、动荷载系统、外部框架和控制系统，控制系统包括围压控制器、轴压控制器、大渗流控制器、动荷载控制器和数据采集器，动荷载影响下顶板渗流试验装置的试验方法，包括步骤一、在顶板试样的侧壁粘贴应变片和埋设振动传感器，步骤二、安装顶板试样，步骤三、施加围压前准备，步骤四、大渗流试验前饱水排气，步骤五、开始试验并采集数据，步骤六、复位、卸压，步骤七、顶板试样拆卸。所述动荷载影响下顶板渗流试验装置及方法能够同时采集顶板试样在施加轴压、围压、动荷载以及大渗流供水时的数据。
一种荷载影响顶板渗流试验装置方法

[发明专利]一种风能制冷储能装置-CN202211656939.4在审
发明人：张国印;王华强;张兴奎;张哲诚 -专利权人：河南永联科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： F03D9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种风能制冷储能装置，通过设置风力空气压缩装置利用风能对空气进行压缩，形成压缩空气并输出至压缩空气管道内的储气装置进行暂存；并设置气举循环膨胀制冷装置，压缩空气进入该装置的循环制冷介质中膨胀并吸热，使得循环制冷介质的温度降低，得到的降温后的循环制冷介质则是输出至蓄冷装置进行蓄冷储能。当外部供冷需求端存在供冷需求时，即可引出蓄冷装置中的循环制冷介质进行供冷。本实施例的风能制冷储能装置中，风能可转化为压缩空气在储气装置中储能，同时可转化为循环制冷介质在蓄冷装置内蓄冷储能，可实现风能的高效利用。
一种风能制冷装置

[发明专利]用于制造FinFET和半导体器件的方法及半导体器件-CN202310027371.8在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制造鳍式场效应晶体管的方法，包括：图案化衬底以形成沟槽，在沟槽之间形成沿第一方向延伸的半导体鳍；在沟槽中形成绝缘体；形成介电层以覆盖半导体鳍和绝缘体；在介电层上形成在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一、第二伪栅极带，并且第一伪栅极带的宽度小于第二伪栅极带的宽度；在第一、第二伪栅极带的侧壁上分别形成厚度不同的第一间隔件和第二间隔件；移除第一、第二伪栅极带且仅减薄介电层在第一伪栅极带下方且与其接触的部分以在第一间隔件之间形成包括凹口的减薄部分；在第一、第二间隔件之间形成第一、第二栅极，第一栅极延伸至凹口内。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法以及一种半导体器件。
用于制造 finfet 半导体器件方法

[发明专利]集成电路器件鳍、集成电路及其形成方法-CN201810917111.7有效
发明人： 张哲诚;林志翰;洪暐强;黄伟豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文提供了集成电路的实例以及用于形成该集成电路的方法。在一些实例中，一种方法包括接收衬底，该衬底包括：在衬底的其余部分上方延伸的多个鳍；第一区域，包括含有多个鳍的第一子集的第一防护区域；以及第二区域，包括含有多个鳍的第二子集的第二防护区域。第一区域具有第一性能特征，并且第二区域具有与第一性能特征不同的第二性能特征。基于第一性能特征，将多个鳍的第一子集凹陷至第一高度，并且基于第二性能特征，将多个鳍的第二子集凹陷至小于第一高度的第二高度。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法-CN202310157746.2在审
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的第一栅极结构。第一栅极结构沿第一方向延伸。第二栅极结构设置在衬底上方。第二栅极结构沿第一方向延伸。介电材料设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间。气隙设置在介电材料内。本发明实施例涉及具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法。
具有嵌入 finfet 器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211131767.9在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种用于制造半导体器件(例如，鳍式场效应晶体管)的代表性方法，该方法包括以下步骤：形成具有第一横向宽度的栅极结构，并且在栅极结构上方形成第一通孔开口。第一通孔开口具有暴露栅极结构的最上表面的最下部。第一通孔开口的最下部具有第二横向宽度。第二横向宽度与第一横向宽度的比率小于约1.1。邻近栅极结构横向设置源极/漏极(S/D)区。接触部件设置在S/D区上方。第二通孔开口延伸至并暴露接触部件的最上表面。第二通孔开口的最下部设置在栅极结构的最顶部之上。本发明的实施例还公开了一种半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN201611021154.4有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括衬底、多个绝缘体、介电层以及多个栅极。衬底包括多个沟槽及在多个沟槽之间的半导体鳍片。多个绝缘体配置在多个沟槽内。介电层覆盖半导体鳍片以及多个绝缘体。多个栅极的长度方向与半导体鳍片的长度方向不同。多个栅极包括至少一第一栅极以及至少一第二栅极，其中半导体鳍片穿过至少一第一栅极，半导体鳍片未穿透至少一第二栅极。第二栅极包括配置在介电层上的加宽部分，以及配置在加宽部分上的顶部分，其中加宽部分的底部宽度大于顶部分的宽度。
半导体器件制造方法

[发明专利]通孔结构及其方法-CN202210871557.7在审
发明人： 张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：具有沟道区的衬底；位于沟道区上方的栅极堆叠件；覆盖栅极堆叠件的侧壁的密封间隔件，密封间隔件包括氮化硅；覆盖密封间隔件的侧壁的栅极间隔件，栅极间隔件包括氧化硅，栅极间隔件具有第一垂直部分和第一水平部分；以及覆盖栅极间隔件的侧壁的第一介电层，第一介电层包括氮化硅。本发明的实施例还涉及通孔结构及其方法。
结构及其方法

[发明专利]半导体器件、鳍式场效晶体管器件及其形成方法-CN201611242871.X有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例公开了鳍式场效晶体管器件及其形成方法。一种鳍式场效晶体管器件包括在第一区中具有第一鳍及第二鳍且在第二区中具有第三鳍及第四鳍的衬底，以及分别跨越第一鳍至第四鳍的第一栅极至第四栅极。第一栅极的第一端部侧壁面对第二栅极的第二端部侧壁，且在第一端部侧壁与第二端部侧壁之间形成有第一开口。第三栅极的第三端部侧壁面对第四栅极的第四端部侧壁，且在第三端部侧壁与第四端部侧壁之间形成有第二开口。第一区及第二区具有不同的图案密度，且第一开口的侧壁与衬底之间的夹角不同于第二开口的侧壁与衬底之间的夹角。
半导体器件鳍式场效晶体管器件及其形成方法

[发明专利]带有凹口的栅极结构制造-CN201910560029.8有效
发明人：陈建颖;张哲诚;林志翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法包括提供具有第一区域和第二区域的结构，第一区域包括第一沟道区域，第二区域包括第二沟道区域；在第一区域和第二区域上方形成栅极堆叠层；图案化栅极堆叠层，从而在第一沟道区域上方形成第一栅极堆叠件和在第二沟道区域上方形成第二栅极堆叠件；以及通过同时向第一区域和第二区域施加不同的蚀刻剂浓度来横向蚀刻第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的底部，从而在第一栅极堆叠件和第二栅极堆叠件的底部处形成凹口。本发明实施例涉及带有凹口的栅极结构制造。
带有凹口栅极结构制造

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN202210806369.6在审
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种FinFET，包括衬底、设置在衬底上的多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。衬底包括多个半导体鳍。半导体鳍包括至少一个有源鳍和设置在有源鳍的两个相对侧处的多个伪鳍。绝缘体设置在衬底上并且半导体鳍被绝缘体绝缘。栅极堆叠件设置在半导体鳍的部分上方以及绝缘体的部分上方。应变材料覆盖有源鳍的被栅极堆叠件显露的部分。另外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201611215720.5有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括衬底、绝缘体、栅极介电层、第一栅极结构及第二栅极结构。所述衬底包括沟槽、第一半导体鳍及第二半导体鳍。所述第一栅极结构配置于所述栅极介电层上并局部地覆盖所述第一半导体鳍。所述第一栅极结构包括第一金属栅极及覆盖所述第一金属栅极的第一介电顶盖。所述第二栅极结构配置于所述栅极介电层上并局部地覆盖所述第二半导体鳍。所述第二栅极结构包括第二金属栅极及覆盖所述第二金属栅极的第二介电顶盖。所述第一金属栅极的功函数小于所述第二金属栅极的功函数，且所述第一介电顶盖的厚度小于所述第二介电顶盖的厚度。
半导体装置

[发明专利]边缘FIN修整工艺-CN202210108931.8在审
发明人：周仁钧;张仁宇;张哲诚;吕祯祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及边缘FIN修整工艺。提供了半导体结构和方法。在一个实施例中，本公开的一种方法包括在衬底之上形成多个半导体鳍，在形成多个半导体鳍之后，去除多个半导体鳍中的外部半导体鳍，以及在多个半导体鳍之上形成栅极结构。该多个半导体鳍具有多于三个半导体鳍，并且该去除使衬底在外部半导体鳍正下方的部分凹陷。
边缘 fin 修整工艺

[发明专利]一种上装驱动系统及使用该系统的混凝土搅拌车-CN202110496908.6在审
发明人：邓伟;张晓伟;王纪福;惠杰;李光照;王付利;张哲诚 -专利权人：郑州宇通客车股份有限公司;宇通商用车有限公司;郑州宇通矿用装备有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B60K25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种上装驱动系统及使用该系统的混凝土搅拌车，上装驱动系统包括：第一驱动电机；第二驱动电机；减速器，包括行星齿轮机构，行星齿轮机构包括第一太阳轮、第一行星轮、第一齿圈及第一行星架，第一电机轴穿过第二电机轴与第一太阳轮连接，第一齿圈与第二电机轴连接；换挡机构，包括第一挡位、第二挡位和空挡位；第二挡位时，第一驱动电机单独工作，实现低转速输出；第一挡位时，第二驱动电机单独工作，实现高转速输出；空挡位时，两个电机同时工作，实现最大功率输出。本发明可根据实际工况选择两个电机单独工作或是同时工作，以满足各种功率需求，且在单电机出现故障时，另一个仍可正常工作，保障设备持续运行，避免造成经济损失。
一种上装驱动系统使用混凝土搅拌

[发明专利]鳍场效应晶体管-CN201610917347.1有效
发明人： 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：图案化衬底以形成沟槽并且半导体鳍位于沟槽之间。在沟槽中形成绝缘体以及形成介电层以覆盖半导体鳍和绝缘体。在介电层上形成伪栅极条。在伪栅极条的侧壁上形成间隔件。去除伪栅极条和介电层下面直到暴露间隔件的侧壁、部分半导体鳍和部分绝缘体。选择性地形成第二介电层以覆盖暴露的部分半导体鳍，其中介电层的厚度小于第二介电层的厚度。在间隔件之间形成栅极以覆盖第二介电层、间隔件的侧壁和暴露的部分绝缘体。本发明实施例涉及鳍场效应晶体管。
场效应晶体管

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
下一页»
尾页
共 188 条