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[发明专利]一种交错双栅脊波导慢波结构-CN202211088280.7在审
发明人：岳玲娜;冯霖琦;徐进;殷海荣;魏彦玉;蔡金赤;王文祥;赵国庆 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01J23/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种交错双栅脊波导慢波结构，包括金属外壳、一排上金属栅、一排下金属栅以及电子注通道；上金属栅和下金属栅均为矩形金属栅，一排上金属栅设置于金属外壳的内部顶端，一排下金属栅设置于金属外壳的内部底端，且上金属栅和下金属栅均与金属外壳的侧壁不接触，一排上金属栅与一排下金属栅之间设置有电子注通道；一排上金属栅和一排下金属栅均呈周期排列，且一排上金属栅与一排下金属栅的周期交错。本申请使得慢波结构的耦合阻抗提升，更利于返波振荡起振及电磁场与电子注的能量交互，比常规交错双栅结构的低端截止频率低，冷通带带宽增大，故可以有较宽的调谐电压范围，实现超宽带特性。
一种交错双栅脊波导结构

[发明专利]金属栅偏光片及其制作方法、液晶显示器-CN201711459334.5在审
发明人：李子然 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅偏光片，其包括：基片、多个第一金属栅条和多个第二金属栅条，所述多个第一金属栅条彼此间隔设置在所述基片上，所述第二金属栅条与所述第一金属栅条一一对应，并且每个第二金属栅条设置于其对应的一个第一金属栅条上，所述第一金属栅条和所述第二金属栅条采用不同的金属材料制成。本发明还公开一种金属栅偏光片的制作方法和液晶显示器。本发明在形成第一金属栅条时利用已经制作好的第一金属栅条作为阻挡，可以避免第一金属栅条的线宽被减小，从而能够保证产品的精度。
金属栅条金属栅偏光片液晶显示器制作金属材料间隔设置减小线宽阻挡保证

[发明专利]一种测试结构和测试方法-CN202111444721.8在审
发明人：夏禹;董颖;何志斌 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种测试结构和测试方法，该测试结构包括待测金属栅、位于待测金属栅两侧的环境金属栅、形成于待测金属栅两端的接触孔、金属层以及第一和第二焊垫；环境金属栅包括若干虚拟金属栅和若干大块金属栅，接触孔连接金属层，金属层将待测金属栅串联起来。本发明的虚拟金属栅用于保证测试结构连接的稳定，大块金属栅用于考量多晶硅栅受到临近不同图形的影响会产生不同的效果。本发明的测试结构适用于所有金属栅制程，尤其对金属栅形成过程中硅栅去除过多造成金属栅过矮以及硅栅去除不干净导致金属填充不完全的这两种情况十分敏感，能够有效监测金属栅形成是否良好，并且可以做到出货前每片晶圆都测试
一种测试结构方法

[发明专利]Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法-CN202011485480.7在审
发明人：唐晓雨;花涛;刘玉杰;赵毅 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法，所述器件包括Ge衬底、隔离介质层、背栅金属层、背栅介质层、InGaAs薄膜、顶栅介质层、顶栅金属层和源漏区域；Ge衬底上方依次设有隔离介质层、背栅金属层，背栅金属层设有背栅电极，背栅金属层上方设置一层背栅介质层，背栅介质层的上方设置InGaAs薄膜，InGaAs薄膜设有源漏区域，InGaAs薄膜上方依次设置顶栅介质层、顶栅金属层，顶栅金属层设置顶栅电极本发明使用金属键合的方法将InGaAs薄膜转移到Ge衬底上，工艺简单可行，增强器件可靠性；双栅InGaAsnMOSFET结构提高栅极对沟道调控能力。
ge 基双栅型 ingaas nmosfet 器件及其制备方法

[发明专利]降低窄控制栅结构栅电阻的金属布线方法-CN202010232579.X有效
发明人：乔明;董仕达;王正康;方冬;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种降低窄控制栅结构栅电阻的金属布线方法，在栅结构上每隔一定的间距刻为第一栅电极和第二栅电极，同时每隔一定间距保留完整控制栅电极，从而构成第一、第二栅电极与完整栅电极间隔排列的结构，在完整栅电极部位打孔引出金属，为第一层金属；在源区与分离栅上打孔引出金属，为第二层金属；两层金属之间由介质层隔开，通过第一层金属在Y方向上与栅电极的多点接触，解决Y方向上控制栅电极路径过长带来的栅电阻增大问题，同时，通过控制完整栅电极在Y方向上的间距来控制栅电阻的大小，由此利用多层金属得到低栅电阻的窄栅结构的金属氧化物半导体场效应管，使得本发明所述器件既有低栅电容特性，又有低栅电阻特性。
降低控制结构电阻金属布线方法

[发明专利]金属线栅偏光片及其制作方法、液晶显示器-CN201711473855.6在审
发明人：项小群 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属线栅偏光片，其包括：基片叠层设置于所述基片上的至少两个线栅结构，每个线栅结构包括多个金属栅条和设置于所述金属栅条上和所述金属栅条之间的透明绝缘平坦层，所述至少两个线栅结构的金属栅条在所述基片上的投影间隔设置本发明还公开一种金属线栅偏光片的制作方法和液晶显示器。本发明通过制作层叠的多个线栅结构，并使所有线栅结构的金属栅条在基片上的投影间隔设置，从而提高了金属栅线的分布密度，进而提高了金属线栅偏光片的偏振效果。
金属栅条线栅结构金属线栅偏光片液晶显示器投影间隔制作金属栅线偏振效果基片叠平坦层绝缘透明

[实用新型]一种异质结太阳能电池组件-CN202320591232.3有效
发明人：李杏兵;刘云;杨超;张闻斌;张忠卫 -专利权人：江苏国晟世安新能源有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池组件，包括基板、阻挡栅线层和金属栅线层，阻挡栅线层位于基板的正面和背面，金属栅线层位于阻挡栅线层的表面；金属栅线层的栅线与阻挡栅线层的栅线一一对应且金属栅线层的栅线的宽度小于阻挡栅线层的栅线的宽度；金属栅线层为铜浆印刷层或者银包铜浆印刷层；阻挡栅线层为能够阻挡铜金属的材料层。本实用新型通过增加阻挡栅线层使得金属栅线层使用含铜浆料制备时，不会存在铜往内侧的含硅层扩散的问题，在降低成本的同时满足质量要求。
一种异质结太阳能电池组件

[发明专利]晶体硅太阳电池前电极-CN201310438156.3无效
发明人：陈奕峰;皮尔·威灵顿;杨阳;徐冠超;张舒 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳电池前电极，包括多根相互平行的细栅线金属电极以及垂直于细栅线金属电极的多列相互平行的主栅线金属电极，每列主栅线金属电极由多段主栅线金属电极分段构成，每列主栅线金属电极内的主栅线金属电极分段之间的断开部分位于两根相邻的细栅线金属电极之间的空白区域既有效地降低了主栅的金属浆料消耗量，又不增加细栅线金属电极汇流至主栅线金属电极的距离，为降低电池的串联电阻提供可能，提高了电池效率。
晶体太阳电池电极

[发明专利]对位结构-CN201210270313.X无效
发明人：王志豪;黄柏辅;陈志宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种对位结构位于基板上，其中对位结构包含内金属介电层与栅状结构。内金属介电层位于基板上。栅状结构包含栅状金属层与栅状抗反射层。栅状金属层位于内金属介电层上。栅状抗反射层位于栅状金属层上，且栅状抗反射层与栅状金属层围绕的区域内形成有一对位部。
对位结构

[发明专利]金属栅极的制造方法-CN201810486154.4有效
发明人：李镇全;叶荣鸿 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅极的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成多个伪栅结构以及和伪栅结构表面相平的侧墙、接触孔刻蚀停止层和层间膜；步骤二、依据伪栅结构宽度对各伪栅结构区域的高度进行调节设置，伪栅结构的宽度越小、伪栅结构区域的高度也越小，通过减少伪栅结构区域的高度抵消后续金属栅的金属化学机械研磨工艺中伪栅结构的宽度减少对金属化学机械研磨工艺的负载增加的影响，使得金属化学机械研磨工艺完成后各种宽度的金属栅的高度趋于一致；步骤三、去除伪栅结构；步骤四、进行金属栅的金属沉积；步骤五、进行金属化学机械研磨工艺对金属栅的金属进行平坦化。本发明能稳定控制金属栅极的高度，提高金属栅极高度的一致性。
金属栅极制造方法

[发明专利]全硅化物金属栅的形成方法-CN201210313464.9有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：种全硅化物金属栅的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域，第一区域表面具有第一栅电极，所述第二区域表面具有第二栅电极，所述衬底表面还具有与第一栅电极顶面和第二栅电极顶面齐平的介质层；刻蚀第一区域的介质层，暴露出第一栅电极的部分侧壁；沉积金属层，所述金属层覆盖第一栅电极的顶面和侧壁、第二栅电极的顶面以及介质层表面；退火处理第一栅电极和第二栅电极，分别形成第一全硅化物金属栅和第二全硅化物金属栅，所述第一全硅化物金属栅的金属含量和第二全硅化物金属栅中金属含量不同所述全硅化物金属栅的形成方法能够在衬底上一次形成多个具有不同功函数的全硅化物金属栅，工艺步骤简单。
全硅化物金属形成方法

[实用新型]金属点阵加权栅阵的声表面波谐振器-CN201320307230.3有效
发明人：李强;黄铁辉 -专利权人：中科微声（天津）传感技术有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本实用新型金属点阵加权栅阵的声表面波谐振器，包括压电基片，所述压电基片上溅射金属叉指换能器和金属栅阵，所述金属栅阵包括分别设置在所述金属叉指换能器左右两侧的反射栅，将左侧的反射栅称作第一反射栅，将右侧的反射栅称作第二反射栅，所述第一反射栅和第二反射栅组成的金属栅阵在所述金属叉指换能器左右两侧对称分布；所述第一反射栅和第二反射栅分别包括多根指条，在所述第一反射栅和第二反射栅的相邻指条间设置金属点阵，对反射栅阵进行加权。
金属点阵加权表面波谐振器

[发明专利]制备方法、金属线栅偏光片、显示装置及电子设备-CN202010942282.2在审
发明人：葛励成 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种金属线栅偏光片的制备方法、金属线栅偏光片、显示装置及电子设备，所述金属线栅偏光片的制备方法包括：提供一承载体；在所述承载体上形成金属层；通过刻蚀工艺在所述金属层上形成多个金属线栅，以形成金属线栅层；在所述金属线栅层的表面形成保护层，所述保护层用于隔绝空气。所述金属线栅偏光片的制备方法，所制备的金属线栅偏光片包括保护层，所述保护层可以隔绝空气，因此可以保护所述金属线栅偏光片的金属层不被氧化，进而防止金属线栅偏光片被氧化，提高金属线栅偏光片的稳定性，进而提高光线传感器检测环境光的准确性
制备方法金属线偏光显示装置电子设备

[实用新型]一种晶体硅太阳电池前电极-CN201320596139.8有效
发明人：陈奕峰;皮尔·威灵顿;杨阳;徐冠超;张舒 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅太阳电池前电极，包括多根相互平行的细栅线金属电极以及垂直于细栅线金属电极的多列相互平行的主栅线金属电极，每列主栅线金属电极由多段主栅线金属电极分段构成，每列主栅线金属电极内的主栅线金属电极分段之间的断开部分位于两根相邻的细栅线金属电极之间的空白区域既有效地降低了主栅的金属浆料消耗量，又不增加细栅线金属电极汇流至主栅线金属电极的距离，为降低电池的串联电阻提供可能，提高了电池效率。
一种晶体太阳电池电极

[发明专利]全背接触太阳电池电极及其制作方法-CN201310291363.0无效
发明人：陶龙忠;杨灼坚;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州润阳光伏科技有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，内容为提出了一种全背接触太阳电池电极及其制作方法，该电极特点是其由细栅金属电极一、细栅金属电极二、主栅电极一、主栅电极二及介电层一组成，上述组成部分全部位于衬底主要表面一；细栅金属电极一和细栅金属电极二呈叉指状交替排布；主栅电极一、主栅电极二分别与细栅金属电极一、细栅金属电极二呈交叉排布；主栅电极一和细栅金属电极二交叉重叠的部分以及主栅电极二和细栅金属电极一交叉重叠的部分通过介电层一隔离；主栅电极一和细栅金属电极一以及主栅电极二和细栅金属电极二在两者交叉重叠的位置直接接触
接触太阳电池电极及其制作方法

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