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[发明专利]栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法-CN202111640460.7在审
发明人：黄豪俊 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，栅极堆叠结构的形成方法包括：提供一衬底；形成功函数叠层；形成阻挡层覆盖功函数叠层；形成抗反射层填充栅极沟槽；去除所述第二区域的抗反射层及阻挡层；去除第二区域的部分功函数叠层；去除第一区域的抗反射层及阻挡层；在栅极沟槽内形成栅极导电层，以形成第一栅极堆叠结构及第二栅极堆叠结构。本发明中，通过在功函数叠层上形成阻挡层，利用阻挡层减少或避免在去除抗反射层时以及在去除阻挡层时损伤功函数叠层，并且同时不影响整个工艺过程的工艺窗口，从而解决在打开功函数叠层上的抗反射层时功函数叠层被损伤的问题
栅极堆叠结构形成方法 finfet 器件

[发明专利]一种OLED器件-CN201210517302.7有效
发明人：邱勇;刘嵩;李建仁 -专利权人：昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种OLED器件，包括基板以及依次设置在所述基板上的阳极、有机层和阴极，所述阴极为透明复合阴极，包括透明金属层和设置在所述金属层上的增透层，所述增透层材料选自茚並芴衍生物或并二芴衍生物。在所述透明复合阴极中，由于低功函数金属含量适度，可以有效降低阴极的功函数，具有较好的电子注入效率，并大量吸收可见光，使得所述的OLED器件具有很高的透光效率和色纯度。
一种 oled 器件

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310145209.2无效
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极复合层。这种有机电致发光器件的阴极复合层的材料为硅化合物、功函数为-1.5eV～2.5eV的钠盐和功函数为-2.0eV～-3.5eV的金属按照质量比为1:1:3～1:3:10混合得到的混合物，其中，硅化合物颗粒较大
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310145189.9无效
发明人：周明杰;黄辉;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极复合层；所述阴极复合层的材料为硅化合物、低功函数金属和电子传输材料按照质量比为0.01这种有机电致发光器件的阴极复合层的材料为硅化合物、低功函数金属和电子传输材料混合得到的混合物，其中，硅化合物颗粒较大，呈微球状，从而使得膜层内部形成排列有序的微球结构，光线碰到这种微球状会形成散射从而使向两侧发射的光散射回到器件中间
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310452107.5无效
发明人：周明杰;黄辉;张娟娟;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极层由第一金属层，掺杂层和第二金属层组成，第一金属层材料功函数为-2.0eV～-3.5eV，氟化钠和溴化钠中至少一种，所述有机电子传输材料HOMO能级在-6.5eV～-7.5eV，玻璃化转变温度在50℃～100℃，所述金属硫化物选自硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中至少一种，所述第二金属层材料功函数为
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种单层有机太阳能电池及其制备方法-CN201010223084.7无效
发明人：周明杰;黄杰;孙晓宇 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层有机太阳能电池，包括透明绝缘衬底、和在透明绝缘衬底上依次层叠形成的透明阳极电极层、光敏层和阴极电极层，所述阴极电极层至少一面层叠形成有金属纳米颗粒层，所述金属纳米颗粒层中金属纳米颗粒的功函数值低于阴极电极层的功函数值
一种单层有机太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法-CN201210098267.X无效
发明人：区琼荣;梁荣庆;何龙;高欢忠 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明属于导电薄膜技术领域，具体为一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法。将高电压负脉冲加在基片台上，使ITO薄膜与等离子体之间形成负电压鞘层，氧离子在鞘层内被电场加速向ITO表面运动，高能氧离子注入到ITO表面并留在ITO表层内，提高ITO薄膜表面O/(Sn+In)原子比例，从而提高ITO表面功函数由本发明修饰的ITO薄膜应用作有机电致发光器件（OLED）阳极，可大幅降低器件驱动电压，改善器件电流稳定性，提高光效和亮度，延长器件寿命。
一种提高氧化透明导电表面函数修饰方法

[发明专利]掺杂有机电致发光器件及其制备方法-CN201180074540.9无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;冯小明 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述电子阻挡层的材质为掺杂了铯盐的空穴传输材料。这种掺杂有机电致发光器件的电子阻挡层的材质为掺杂了铯盐的空穴传输材料，铯盐的功函数较低，约为-2.0eV，可以有效的阻挡电子，通过将低功函数的铯盐掺杂到空穴传输材料中作为电子阻挡层，从而使得空穴传输材料的
掺杂有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体元件-CN202110108938.5在审
发明人：萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯;余典卫;蔡家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本揭露描述一种半导体元件，具有扩散阻障层的半导体元件的形成方法包含在鳍片结构上形成栅极介电层、在栅极介电层上形成功函数堆叠、降低在功函数堆叠中的碳浓度、在功函数堆叠上形成阻障层以及在阻障层上形成金属层。阻障层阻挡杂质扩散至功函数堆叠、栅极介电层以及鳍片结构中。
半导体元件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610297863.9有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：在基底上形成层间介质层；在第一区域的层间介质层中形成露出基底的第一开口，在第二区域的层间介质层中形成露出基底的第二开口；在第一开口底部和侧壁以及第二开口底部和侧壁上形成栅介质层；在第二区域的栅介质层上形成第二功函数层；将部分厚度的第二功函数层转化为阻挡层；在第一区域的栅介质层和第二区域的阻挡层上形成第一功函数层；形成填充第一开口和第二开口的金属层。本发明将部分厚度的第二功函数层转化为阻挡层，所述阻挡层可以避免第一功函数层中的金属离子扩散进第二功函数层中，且未引入额外的膜层，从而避免对第二功函数层的性能造成不良影响。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有氮化硼合金接触层的III族氮化物半导体器件及其制造方法-CN201880067455.1有效
发明人：孙海定;李晓航 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：一种用于形成III族氮化物半导体器件的方法，所述方法包括确定第一III族氮化物接触层和第一金属接触的功函数。第一III族氮化物接触层的功函数是基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的。基于所确定的第一III族氮化物接触层的功函数和第一金属接触的功函数，确定应该调节的第一III族氮化物接触层的功函数。所形成的III族氮化物半导体器件的第一III族氮化物接触层是具有一定量的硼的氮化硼合金，以相对于基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的第一金属层的功函数来调节第一III族氮化物接触层的功函数。
具有氮化合金接触 iii 氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]透明电极功函数调控的纳米真空光混频器及其制备方法-CN202310191107.8在审
发明人：陈飞良;王佳超;李沫;张健;马培胜;李晓旭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明电极功函数调控的纳米真空光混频器及其制备方法，属于半导体光电探测器与毫米波/太赫兹器件领域。该光混频器包括从下至上依次设置的背电极、半导体层、纳米绝缘层、透明电极；其中纳米绝缘层所占区域小于半导体层和透明电极，形成纳米空气沟道；透明电极能够调控功函数，实现与半导体层功函数的匹配。本发明采用透明电极，增加了对入射光的利用率，从而显著提高了器件的光电流与响应度；同时，通过调控透明电极的功函数，能够匹配不同掺杂类型与浓度的半导体层功函数，实现对阈值电压、光电流、暗电流的有效调控和优化
透明电极函数调控纳米真空混频器及其制备方法

[发明专利]降低HKMG器件功函数层损伤的方法-CN202310245663.9在审
发明人：许任辉;伏广才 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种降低HKMG器件功函数层损伤的方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体结构，包括衬底及形成于所述衬底上的多个半导体器件的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、功函数层及金属栅的层叠结构，其中，所述功函数层形成于所述栅介质层与所述金属栅之间，并呈U型位于所述金属栅的侧壁及底部；步骤2)于所述功函数层及所述金属栅的表面选择性生长金属阻挡层；步骤3)于步骤2)所形成结构的表面形成介质层；步骤4)通过本发明解决了现有的HKMG器件形成接触孔的过程中损伤功函数层使得阈值电压漂移的问题。
降低 hkmg 器件函数损伤方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN201210348374.3有效
发明人：韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：P型衬底；位于所述P型衬底之上的介质层；位于所述介质层之上的高k材料层；位于所述高k材料层之上的金属栅层；以及位于所述金属栅层之上的高功函数层，其中，所述高功函数层所用材料的功函数大于所述金属栅层所用材料的功函数。相对于现有技术中仅有金属栅层的半导体结构来说，本发明实施例提供的半导体结构中金属栅电极的功函数有明显增大，相应地，本发明实施例提供的半导体结构的阈值电压相对于现有技术中仅有金属栅层的半导体结构的阈值电压能够明显降低
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]NMOS器件、半导体装置及其制造方法-CN201510676869.2有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，在所述NMOS区域中形成有第一沟槽，在所述PMOS区域中形成有第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部和侧壁上依次沉积高K电介质层、盖层和P型功函数金属层；去除所述第一沟槽的底部和侧壁上的P型功函数金属层和盖层；在所述第一沟槽的高K电介质层和所述第二沟槽的P型功函数金属层上沉积N型功函数金属层；在所述N型功函数金属层上沉积金属电极层。
nmos 器件半导体装置及其制造方法