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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种有机EL器件-CN201510540653.3在审
发明人：田朝勇;郎丰伟 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机EL器件，基板、阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述基板上面形成阳极，所述的阳极上形成空穴注入层，所述的空穴注入层上形成空穴传输层，所述的空穴注入层上形成有机发光层本发明的有益效果DLC作为电子注入层使用时，可以减少功函数，从而提高电子注入能力，并且通过调整氮气的掺杂量，控制电子注入量，从而选择最优的电子注入量。
一种有机 el 器件

[发明专利]有机发光二极管制造方法-CN200710074232.1有效
发明人：王世昌;黄荣龙 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机发光二极管制造方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基板；在该绝缘基板上沉积一导电薄层，作为第一电极；在该第一电极上继续沉积该导电薄层，同时通入含氧的氧化性气体，形成第二电极，图案化该第一电极与第二电极，形成阳极；在该阳极上形成一有机发光层；在该有机发光层上形成一阴极。该有机发光二极管制造方法可使形成的有机发光二极管阳极功函数较高。
有机发光二极管制造方法

[发明专利]顶发射有机电致发光器件及其制备方法-CN201180070970.3无效
发明人：周明杰;王平;冯小明;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种顶发射有机电致发光器件（OLED）及其制备方法，该顶发射有机电致发光器件包括依次层叠的衬底（101）、阳极层（102）、自组装分子修饰层（103）、空穴传输层（104）、发光层（105）、电子传输层自组装分子修饰层（103）提高了阳极层（102）的功函数，降低了阳极层（102）和空穴传输层（104）之间的空穴注入势垒，使OLED器件的启动电压降低，并提高了OLED器件的发光效率。
发射有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN202110498148.2在审
发明人：李欣怡;陈智城;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种形成具有改进的功函数层的半导体器件的方法以及通过该方法形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底之上的沟道区域上沉积栅极电介质层；在栅极电介质层上沉积第一p型功函数金属；对第一p型功函数金属执行氧处理；以及在执行氧处理之后，在第一p型功函数金属上沉积第二p型功函数金属。
半导体器件方法

[发明专利]晶体管栅极结构及其形成方法-CN202310453813.5在审
发明人：李欣怡;陈智城;丘子轩;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；栅极电介质层，围绕第一纳米结构；第一p型功函数调整层，位于栅极电介质层上；电介质阻挡层，位于第一p型功函数调整层上；以及第二p型功函数调整层，位于电介质阻挡层上，电介质阻挡层比第一p型功函数调整层和第二p型功函数调整层薄。
晶体管栅极结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710181741.4有效
发明人：张守仁;凯特·乔治·爱得恩;于洪宇;劳斯·安妮;卫罗索·安那贝拉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心
申请日： 2007-10-23 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201310224058.X有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，其中，其形成方法包括分别在PMOS区域形成覆盖高K栅介质层的第一功函数层，在NMOS区域形成覆盖高K栅介质层的第二功函数层；形成覆盖第一功函数层和第二功函数层表面的第一阻挡层，第一阻挡层的材料内部为无定形态形成的晶体管的第一功函数层和第二功函数层的质量好，阈值电压易于控制，晶体管的性能优越。
晶体管及其形成方法

[发明专利]具有氮化钛栅极的高K/金属栅极CMOS晶体管-CN201480071998.2有效
发明人： H·尼米;B·K·柯克帕特里克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在所描述的示例中，形成一种集成电路，其具有大于4.85eV的功函数的厚TiN金属栅极(146)和具有小于4.25eV的功函数的薄TiN金属栅极(156)。形成一种集成电路，其具有大于4.85eV的功函数的替代栅极PMOS TiN金属栅极晶体管(170)和具有小于4.25eV的功函数的替代栅极NMOS TiN金属栅极晶体管(172)。形成一种集成电路，其具有大于4.85eV的功函数的先栅极的PMOS TiN金属栅极晶体管和具有小于4.25eV的功函数的先栅极的NMOS TiN金属栅极晶体管。
具有氮化栅极金属 cmos 晶体管

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110141088.9在审
发明人：邱冠璋;李家庆;陈建豪;钟鸿钦;李显铭;徐志安;童宣瑜;吴仲强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：第一晶体管包括：在第一半导体区域之上的第一栅极电介质；在第一栅极电介质之上并与其接触的第一功函数层；以及在第一功函数层之上的第一导电区域。第二晶体管包括：在第二半导体区域之上的第二栅极电介质；在第二栅极电介质之上并与其接触的第二功函数层，其中，第一功函数层和第二功函数层具有不同的功函数；以及在第二功函数层之上的第二导电区域。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种双功函数栅极的上栅极结构、制造方法和晶体管-CN202011065507.7在审
发明人：郑磬镐;项金娟;李亭亭;王晓磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种双功函数栅极的上栅极结构、制造方法和晶体管。双功函数栅极的上栅极结构包括：与下栅极接触的金属掺杂层和在金属掺杂层内的钨层；所述金属掺杂层为掺杂镧的氮化钛。通过在氮化钛中掺杂镧形成的金属掺杂层实现调节功函数范围，将P型功函数调整至N型功函数范围，方便刻蚀且不需要额外工艺。因为只需要在氮化钛注入镧即可完成，因此不会在工艺上有大变化，并且不更改工艺与物质，只需要透过沉积的镧的厚度就能调整功函数，有利于晶体管的特性设计。由于金属掺杂层的电阻低，从而能够满足电阻系数和功函数。
一种函数栅极结构制造方法晶体管

[发明专利]CMOS器件结构及其制作方法-CN201410136567.1有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS器件结构及其制作方法，包括：提供衬底；形成伪栅以及与伪栅齐平的介质层；形成开口；在开口中覆盖PMOS功函数层并形成金属栅极结构；对金属栅极结构进行热处理，使处理后的PMOS功函数层的功函数位于第一功函数与第二功函数之间本发明具有以下优点：有利于方便CMOS器件的后续制造步骤中对PMOS区域以及NMOS区域中分别将要形成的PMOS器件以及NMOS器件的功函数进行进一步调整，进而比较灵活的对后续将形成的PMOS器件以及NMOS器件进行功函数的调整；在一定程度上简化了流程并节省了空间体积；不会增加其它的制造工序，例如前期的源漏区掺杂等步骤的难度和复杂程度。
cmos 器件结构及其制作方法

[发明专利]提高刻蚀均匀性的方法-CN202211263109.5在审
发明人：张猛;吴方锐;张鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种提高刻蚀均匀性的方法，提供衬底，衬底上形成有多个栅极结构；栅极结构包括依次叠加的栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间具有功函数层；其中，部分不同栅极结构中的功函数层的厚度不同；利用功函数层相对于金属栅高选择比的第一刻蚀气体刻蚀每个功函数层；利用金属栅相对于功函数层高选择比的第二刻蚀气体刻蚀每个金属栅。本发明通过先刻蚀功函数层，再刻蚀金属栅，对功函数层的侧向刻蚀减少，提高了刻蚀均匀性。
提高刻蚀均匀方法

[发明专利]形成多层功函数金属栅极的方法-CN202310580444.6在审
发明人：陈品翰;郑苗苗 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请提供一种形成多层功函数金属栅极的方法，包括：步骤S1，形成第一功函数金属层；步骤S2，使用第一掩模通过光刻工艺形成第一图案化的光刻胶层；步骤S3，刻蚀第一功函数金属层后，去除第一图案化的光刻胶层；步骤S4，形成第二功函数金属层；步骤S5，使用第二掩模通过光刻工艺形成第二图案化的光刻胶层；步骤S6，刻蚀第二功函数金属层后，去除第二图案化的光刻胶层；步骤S7，形成第三功函数金属层；步骤S8，形成第四功函数金属层相比现有技术，形成多层功函数金属层时只使用两张光罩，减少沉积、光刻和刻蚀各一次，从而简化工艺制程，缩短制造周期，降低工艺成本。
形成多层函数金属栅极方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110813115.2在审
发明人：赵文礼;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体结构包括衬底、NMOS晶体管以及PMOS晶体管，NMOS晶体管包括依次叠置的第一电介质层、第一功函数层以及第一导电层，PMOS晶体管包括依次叠置的第二电介质层、第二功函数层以及第二导电层。在半导体结构的制作过程中，会导致第一功函数层和第二功函数层内的金属元素扩散，可能会影响半导体结构阈值电压的调节，通过在第一功函数层朝向第二功函数层的一侧设置有第一侧壁隔离层，和/或，第二功函数层朝向第一功函数层的一侧设置有第二侧壁隔离层
半导体结构制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910166788.2有效
发明人：林益安;陈嘉仁;赵元舜;莫亦先;黄国泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：此方法包含形成一栅极介电层于一半导体基材上，形成一盖层于栅极介电层之上或之下，形成一金属层于盖层上，金属层具有一第一功函数，对部分的金属层进行处理，以使该部分的金属层的功函数由第一功函数转变为第二功函数，及自具有该第一功函数的未经处理的部分的金属层形成第一金属栅极，及自具有第二功函数的经处理的部分的金属层形成一第二金属栅极。本发明的方法提供一种简单且具经济效益的单一金属层，以使NMOS及PMOS装置各自具有N型金属功函数及P型金属功函数。因此，使栅极图案化NMOS及PMOS装置变得较为简单。
半导体装置及其制造方法

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