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- [发明专利]自对准栅接触鳍式晶体管及其制造方法-CN202111300690.9在审
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翁文寅
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上海华力集成电路制造有限公司
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2021-11-04
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2023-05-05
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H01L29/78
- 本发明公开了一种自对准栅接触鳍式晶体管，栅极结构的功函数金属层和金属导电材料层被回刻并在顶部形成有第一顶部沟槽，第一顶部沟槽中填充有第一盖帽层；同一列上的各鳍式晶体管的栅极结构的金属导电材料层连接在一起并形成栅极金属条形，在和栅极金属条形相交的一个以上的鳍体顶部形成有形成于第一顶部沟槽中的自对准栅接触金属零层；在栅极沟槽两侧形成有侧墙且侧墙的组成部分中包括空气侧墙；源漏接触金属零层跨越各鳍体并呈条形结构，各源漏接触金属零层被回刻并在顶部形成有第二顶部沟槽，第二顶部沟槽中填充有第二盖帽层。本发明能在保证缩小器件尺寸和防止栅和源漏之间短路的同时降低器件的寄生电容迟。
- 对准接触晶体管及其制造方法
- [发明专利]反相器结构-CN202210571053.3在审
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翁文寅
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-05-24
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2022-11-01
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H01L27/092
- 本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种反相器结构。本发明所提供的反相器结构，包括：POMS DDB和NOMS SDB。本发明采用POMS DDB和NOMS SDB结构代替现有技术NMOS和PMOS均为DDB或NMOS和POMS均为SDB，并采用SiN作为NOMS SDB采用拉应力材料。相对现有技术NMOS和PMOS均为DDB或NMOS和POMS均为SDB，采用氧化层作为拉应力材料的技术方案，本发明所提供反相器结构Speed vs.IDDQperformance均得到了优化。
- 反相器结构
- [发明专利]一种鳍式场效应晶体管的制造方法-CN202210744429.6在审
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朱柠镕;翁文寅
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-06-27
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2022-09-23
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H01L21/336
- 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的制造方法。该鳍式场效应晶体管的制造方法包括：提供具有鳍片的半导体衬底；采用第一N型离子对所述鳍片的部分区域注入N型离子，并对所述鳍片进行第一尖峰退火处理，形成反掺杂区；采用第一剂量的第二N型离子对所述反掺杂区两侧的鳍片的部分区域注入N型离子，并对所述鳍片进行第二尖峰退火处理，形成浅掺杂区；采用第二剂量的第二N型离子对所述反掺杂区两侧且位于所述浅掺杂区外围的鳍片注入N型离子。通过形成反掺杂区降低热载流子效应，并增加尖峰退火工艺改善反掺杂离子注入损伤，并改变源漏区的离子注入方式，还对栅极氧化层进行高温退火工艺，提升薄膜质量，降低热载流子效应的负面影响。
- 一种场效应晶体管制造方法
- [发明专利]N型MOSFET-CN202110196849.0在审
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翁文寅
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上海华力集成电路制造有限公司
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2021-02-22
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2022-08-30
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H01L29/08
- 本发明公开了一种N型MOSFET，包括：形成于半导体衬底表面上的栅极结构；在栅极结构的两侧的形成有嵌入式外延层，嵌入式外延层填充于凹槽中，凹槽形成在半导体衬底中；源区和漏区形成在栅极结构两侧的嵌入式外延层中；N型MOSFET的工艺节点为7nm以下，栅极结构的宽度为20nm以下；嵌入式外延层由第一SiAs外延层组成或者嵌入式外延层由第二SiAs外延层和第三SiP外延层叠加而成。本发明能在7nm以下工艺节点的制程中提高器件的载流子迁移率的同时改善短沟道效应，从而能提高器件的性能。
- mosfet
- [发明专利]改变闸级截断设计的反相器版图-CN202210235439.7在审
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翁文寅
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-03-11
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2022-07-29
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G06F30/36
- 本发明提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，包括平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于pMOS图形和nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一伪栅图形与主栅极图形间的第一、二焊垫图形；两端分别位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于主栅极图形和nMOS图形间的第三焊垫图形；分别位于第一、二伪栅图形和主栅极图形上的剪切图形。本发明由于在FinFET器件上的层间介质层应力对器件的栅极切割产生影响，通过在NMOS剪切主栅，在PMOS上剪切伪栅，改善了器件速度和稳态电流测试。
- 改变截断设计反相器版图
- [发明专利]改变闸级截断设计的反相器版图-CN202210235441.4在审
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翁文寅
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-03-11
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2022-07-26
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G06F30/373
- 本发明提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，包括平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于pMOS图形和nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一伪栅图形与主栅极图形间的第一、二焊垫图形；两端分别位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于主栅极图形和nMOS图形间的第三焊垫图形；分别位于第一、二伪栅图形和主栅极图形上的剪切图形。本发明由于在FinFET器件上的层间介质层应力对器件的栅极切割产生影响，通过在NMOS剪切主栅，在PMOS上剪切伪栅，改善了器件速度和稳态电流测试。
- 改变截断设计反相器版图
- [发明专利]N型MOSFET-CN202111437054.0在审
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翁文寅
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上海华力集成电路制造有限公司
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2021-11-30
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2022-03-04
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H01L29/78
- 本发明公开了一种N型MOSFET，包括：形成于半导体衬底表面上的栅极结构；在栅极结构的两侧的形成有嵌入式外延层，嵌入式外延层填充于凹槽中，凹槽形成在半导体衬底中；源区和漏区形成在栅极结构两侧的嵌入式外延层中；嵌入式外延层包括第一缓冲外延层和第二主体外延层；第一缓冲外延层的材料采用SiP，第二主体外延层的材料采用掺杂有Sb的SiP；第一缓冲外延层的磷浓度小于第二主体外延层的磷浓度，以减少磷外扩。本发明能降低器件的源漏接触电阻，从而能提高器件的性能。
- mosfet
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