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[发明专利]多重气体感测器及其制作方法-CN201110193610.4有效
发明人：刘文超;陈慧英;蔡宗翰;陈泰佑;张仲甫;许启祥 -专利权人：刘文超
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种多重气体感测器，包括：一基板、一磊晶层、一金属氧化物层、一第一金属层、一第二金属层及多个第三金属层。磊晶层成长于基板上，并且具有一第一磊晶结构及一第二磊晶结构，第一磊晶结构及第二磊晶结构之间具有一间隙。金属氧化物层成长于第一磊晶结构上；第一金属层成长于第二磊晶结构上，且第一金属层具有至少两种金属；第二金属层成长于第二磊晶结构上，并且第二金属层与第一金属层之间保持一段距离；以及，第三金属层成长于金属氧化物层、第一金属层及二金属层上。
多重气体感测器及其制作方法

[发明专利]一种MOSFET晶圆及MOSFET晶圆表面制备方法-CN201811632166.X在审
发明人：宁波;刘义芳 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET晶圆及MOSFET晶圆表面制备方法，涉及半导体领域。用以解决基于现有晶圆存在电阻比较大，在晶圆表面电流容易形成热点效应的问题。本发明实施例提供一种MOSFET晶圆，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层
晶圆晶圆表面金属表面金属层晶圆表面衬底层制备半导体领域金属制备热点效应金属层金属化电阻覆盖

[发明专利]一种金属纳米晶存储器的制备方法-CN201110429391.5无效
发明人：刘明;许中广;霍宗亮;朱晨昕;谢常青;张满红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米晶存储器的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积隧穿介质层；将金属纳米晶胶体喷射沉积在隧穿介质层上，并使金属纳米晶胶体中的溶剂挥发，剩余金属纳米晶在隧穿介质层表面形成金属纳米晶存储层；在金属纳米晶存储层上沉积电荷阻挡层；形成纳米晶存储器的栅电极、源端和漏端，从而制备金属纳米晶存储器。本发明可以降低制备金属纳米晶存储器的工艺复杂度和成本，提高金属纳米晶层的质量。
一种金属纳米存储器制备方法

[实用新型]一种MOSFET晶圆-CN201822274826.3有效
发明人：宁波;刘义芳 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOSFET晶圆，涉及半导体领域。用以解决基于现有晶圆存在电阻比较大，在晶圆表面电流容易形成热点效应的问题。本实用新型实施例提供一种MOSFET晶圆，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层。
晶圆晶圆表面金属表面金属层本实用新型衬底层半导体领域金属制备晶圆表面热点效应金属层金属化电阻覆盖

[实用新型]一种LED固晶隔膜及LED封装体-CN201720169848.6有效
发明人：林志洪;郑剑飞;郑文财;高春瑞 -专利权人：厦门多彩光电子科技有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED固晶隔膜及具有该LED固晶隔膜的LED封装体。其LED固晶隔膜包括电子迁移阻隔层/第一金属过渡层/金属固晶层的层叠结构，采用电子迁移阻隔层/第一金属过渡层/金属固晶层的层叠结构的LED固晶隔膜，金属固晶层用于与倒装LED芯片的电极之间进行固晶，电子迁移阻隔层（如金属铜层）可有效阻隔金属固晶层和用于辅助固晶的锡膏、助焊层等的电子迁移，其运用至LED封装体上，增加了LED的使用寿命。
一种 led 隔膜封装

[发明专利]调控硬质涂层颜色的方法、硬质涂层及其制备方法-CN201811222261.2有效
发明人：陈娜;张盈祺;郑凯鸣 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种调控硬质涂层颜色的方法，包括以下步骤：提供非晶合金层；在所述非晶合金层表面形成非晶金属氧化物层，使所述非晶金属氧化物层层叠设置于所述非晶合金层并与所述非晶合金层共同形成所述硬质涂层，所述非晶金属氧化物层的带隙范围为2eV至5eV，所述硬质涂层的颜色能够随所述非晶金属氧化物层的厚度的变化在可见光波长范围内变化；以及在形成所述非晶金属氧化物层的过程中通过控制所述非晶金属氧化物层的厚度得到预定颜色的所述非晶金属氧化物层
调控硬质涂层颜色方法及其制备

[发明专利]垂直式发光二极管及其制造方法-CN202210591669.7在审
发明人：刘埃森;冯祥铵;陈筱儒;黄乙川 -专利权人：晶呈科技股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直式发光二极管及其制造方法，包括：提供形成有磊晶层的生长基板；于磊晶层上接合依序堆栈的第一、第二、第一金属层的金属组合基板，其一第一金属层接合于磊晶层，另一第一金属层远离磊晶层；剥离生长基板以获得磊晶结构；于磊晶结构上形成接触金属层；最后，蚀刻并去除第二金属层与远离磊晶层的第一金属层，由此保留接合磊晶层的第一金属层。
垂直发光二极管及其制造方法

[发明专利]用于带有厚背面金属化的模压芯片级封装的晶圆工艺-CN201610046635.4在审
发明人：薛彦迅;哈姆扎·依玛兹;何约瑟;鲁军;牛志强;连国峰 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于模压芯片级封装的晶圆工艺，包括在晶圆上的芯片焊接垫上沉积金属凸块；在晶圆正面制备第一封装层，覆盖金属凸块；在晶圆的边缘处制备未覆盖环，使多个划线中每个划线的两端都裸露出来；减薄第一封装层，使金属凸块裸露出来；制备切割槽；研磨晶圆的背面，在晶圆边缘处形成凹陷空间和支撑环；在凹陷空间中晶圆的背面沉积金属种子层；切除晶圆的边缘部分；在衬底上翻转并安装晶圆；沉积覆盖着金属种子层的金属层；从晶圆上除去衬底；通过沿划线切割第一封装层、晶圆、金属种子层和金属层，使单独的芯片与晶圆分离。
用于带有背面金属化模压芯片级封装工艺

[发明专利]一种芯片制备方法以及芯片结构-CN201910001024.1有效
发明人：严孟;胡思平;许健 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片制备方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆上电镀金属，形成金属布线层；进行金属电镀洗边，去除晶圆边缘处的部分所述金属布线层，形成具有第一宽度的洗边区；在所述晶圆以及所述金属布线层表面形成介质层；进行晶边修剪，去除晶圆边缘处的部分所述介质层以及一定厚度的所述晶圆，形成具有第二宽度的晶边修剪区；其中，所述第一宽度小于等于所述第二宽度。由于所述晶边修剪区以外区域的所述布线凹槽均被金属布线层填充，因此随着晶边修剪工艺精度水平的提高，在晶边修剪区宽度能够被减小时，晶圆上金属布线层可利用区域可以得到增大。
一种芯片制备方法以及结构

[发明专利]一种三维网状纳米晶/非晶的高强高韧纳米多层膜及其制备方法和应用-CN202010679231.5有效
发明人：文懋;齐金磊;王龙鹏;郝俊;张侃;郑伟涛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及航空材料技术领域，具体涉及一种三维网状纳米晶/非晶的高强高韧纳米多层膜及其制备方法和应用。本发明提供的三维网状纳米晶/非晶的高强高韧纳米多层膜，包括交替叠加设置的合金金属氮化物层和纯金属氮化物层；所述合金金属氮化物层和纯金属氮化物层均具有纳米晶和非晶共存结构；以依次叠层设置的一层合金金属氮化物层和一层纯金属氮化物层为一个单元在本发明中，合金金属氮化物层和纯金属氮化物层均具有纳米晶和非晶共存结构，在沉积多个单元的过程中，使得在一个或多个单元内同时存在多个调制层共格的纳米晶相区域和非晶相区域，由纳米晶和非晶的界面形成空间的三维网状结构，提高了膜层的硬度和韧性。
一种三维网状纳米高强多层及其制备方法应用

[发明专利]碳化硅二极管及制造方法-CN202110802475.2在审
发明人：陈俊峰;廖奇泊;陈本昌 -专利权人：淄博绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅二极管及制造方法，包括：晶圆基底层、晶圆外延层、掺杂区、掺杂多晶硅、第一层金属层、正面金属层、正面护层和背面金属；晶圆基底层一侧相邻晶圆外延层一侧；晶圆基底层另一侧设置背面金属，背面金属和晶圆基底层之间设置晶背欧姆接触；晶圆外延层另一侧设置多个凹槽，凹槽底部设置为掺杂区，凹槽顶部所在平面和凹槽侧面设置掺杂多晶硅；掺杂区和掺杂多晶硅外侧设置第一层金属层，第一层金属层外侧设置正面金属层，正面金属层外侧设置正面护层。本发明由于界面特性不受高温影响，因此优化工艺流程，减少晶圆减薄后的工艺步骤。
碳化硅二极管制造方法

[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置-CN201610240785.9有效
发明人：刘尧;陈福成;施林波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有第一接合材料层，所述第一接合材料层包括第一金属层；步骤S2：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有第二接合材料层，所述第二接合材料层包括依次形成的第一金属层和第二金属层；步骤S3：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆对准，步骤S4：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆加热至所述第一金属层和所述第二金属层形成的合金的熔点以下；步骤S5：将所述第二接合材料层中的所述第二金属层与所述第一接合材料层中的所述第一金属层接触，并且仅继续加热所述顶部晶圆至所述合金的熔点以上，以使所述顶部晶圆和所述底部晶圆接合。
一种 mems 器件及其制备方法电子装置

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202110891996.X在审
发明人：马涛;吴志林;艾飞 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提出了一种阵列基板及显示面板，其中，所述阵列基板包括衬底，设置于所述衬底一侧的种晶层，以及设置于所述种晶层一侧且远离所述衬底的第一金属层，其中，第一金属层与种晶层直接接触，本申请利用与第一金属层直接接触的种晶层诱导第一金属层的金属的结晶，使得第一金属层形成的晶粒较大，晶界较少，对电荷载流子散射更少，降低第一金属层的电阻率。
阵列显示面板

[发明专利]一种SiC晶圆的金属化层剥离方法-CN202110169376.5有效
发明人：侯斌;王怡鑫;何静博;李照;鲁红玲 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC晶圆的金属化层剥离方法，先采用腐蚀或刻蚀的方法，将已报废SiC晶圆上表面和下表面的金属层去除，SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层裸露出来；再对SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层在1100℃～1400℃下进行氧化处理，所述的金属化层最外侧的一部分厚度形成氧化层，之后去除该氧化层；最后重复步骤2若干次，直至SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层去净为止，完成SiC晶圆的金属化层剥离，有效解决目前SiC器件在金属化层加工不理想时，SiC晶圆报废的问题。
一种 sic 金属化剥离方法

[发明专利]一种晶圆背面金属薄膜及其制备方法-CN201710160262.8有效
发明人：张大华;黄建伟;肖海波;罗海辉;谭灿健;肖强 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆背面金属薄膜及其制备方法，包括在晶圆背面溅射形成第一金属层；在晶圆背面与第一金属层接触处形成第一金属与硅的合金层；在第一金属层上溅射形成第二金属层；在第二金属层上溅射形成第三金属层，控制溅射后晶圆温度低于设定值，并在溅射时通入保护气体；关闭第三金属溅射，保持腔体中气体流通，当晶圆温度低于设定值，开启第三金属溅射，控制溅射后晶圆温度低于设定值，若第三金属层厚度未达目标值，则重复该步骤；若达目标值，在第三金属层上溅射形成第四金属层。本发明能解决现有工艺形成的金属薄膜存在较大应力而导致晶圆发生严重翘曲，使后端晶圆电参数测试、封装划片等工艺无法实现，并增加晶圆碎片率的技术问题。
溅射晶圆金属层第一金属层金属薄膜第二金属层金属溅射晶圆背面制备种晶背面电参数测试保护气体晶圆碎片气体流通严重翘曲合金层接触处划片腔体封装金属重复

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