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[发明专利]具有扩大栅极垫的半导体封装及其制造方法-CN202110589723.X在审
发明人：薛彦迅;何约瑟;王隆庆;张晓天;牛志强 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体封装制造方法，包括提供一个晶圆、采用一个种子层、形成一个光致抗蚀剂层、电镀一个铜层、去除光致抗蚀剂层、去除种子层、施加研磨工艺、形成金属化和施加分离工艺等步骤。本发明还公开了一种半导体封装，包括一个硅层、一个铝层、一个钝化层、一个聚酰亚胺层、一个铜层和一个金属化。在一个示例中，栅极夹片的接触区域的面积小于栅极铜表面的面积，栅极夹片的接触面积大于栅极铝表面。在另一示例中，栅极引脚的接触区域的面积大于栅极铜表面的面积，栅极引脚的接触区域的面积大于栅极铝表面。
具有扩大栅极半导体封装及其制造方法

[实用新型]一种新型引线框架单元及其条带-CN202121248527.8有效
发明人：牛志强;曾小光;沈国兵;庄肇嵘;何约瑟 -专利权人：尼西半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及到电气器件的封装领域，尤其涉及一种新型引线框架单元及其条带。新型引线框架单元中，第一芯片安装区域包括第一内引脚阵列，设置在第一芯片焊盘的另一侧；第二芯片安装区域包括第二内引脚阵列，设置在第二芯片焊盘的另一侧；由第一内引脚和第二内引脚对插组成一对插引脚阵列。一种新型引线框架条带中包括呈6列1行的6个新型引线框架单元，另一种新型引线框架条带中包括呈10列3行的30个新型引线框架单元。本实用新型的技术方案有益效果在于：提供了一种新型引线框架单元及其条带，能够在无需芯片安装区域内部设计的情况下，提高了引线框架条带内的引线框架单元的单位密度、单位小时出产率、吞吐量，并且降低经济成本。
一种新型引线框架单元及其条带

[发明专利]反向传导绝缘栅双极晶体管的制造方法-CN202110278151.3在审
发明人：牛志强;王隆庆;何约瑟;管灵鹏;李文军 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备多个反向传导绝缘栅双极晶体管(RCIGBT)的方法。该工艺包括以下步骤：制备一个晶圆、使用第一研磨工艺、形成掩模图案、使用刻蚀工艺、移除掩模、注入N++型掺杂物、使用形成TAIKO环的第二研磨工艺、注入P+型掺杂物、退火和沉积TiNiAg或TiNiVAg、移除TAIKO环、贴上胶带，并使用分离工艺。掩模可以是软掩模或硬掩模。刻蚀工艺可以仅使用湿刻蚀；湿刻蚀后使用干刻蚀；或仅使用干刻蚀。
反向传导绝缘双极晶体管制造方法

[发明专利]具有模制金属互连基板的功率模块及其制造方法-CN202011396197.7在审
发明人：牛志强;徐范锡;王隆庆;松·德兰;李俊鎬;何约瑟 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种互连基板，包括一个金属层、多个金属焊盘以及一个模塑封装。模制复合层封装多个金属焊盘240的绝大部分。多个金属焊盘中每个金属焊盘各自的顶面暴露于模塑封装的顶面。第一多个金属焊盘中每个金属焊盘各自的顶面，与模制复合层的顶面是共面的。功率模块包括互连基板、多个芯片、多个接合引线、多个端子、一个塑料外壳以及一个模块级模塑封装。一种用于制备互连基板的方法包括以下步骤：制备多个金属焊盘；加载一个金属层；制备一个模塑封装；以及使用一个分割工艺。
具有金属互连功率模块及其制造方法

[发明专利]公共源极平面网格阵列封装-CN202010917138.3在审
发明人：薛彦迅;何约瑟;王隆庆;马督儿·博德;王晓彬;陈霖 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种半导体封装包括一个平面网格阵列衬底、一个第一VDMOSFET、一个第二VDMOSFET以及一个模塑封装。平面网格阵列衬底包括一个第一金属层、一个第二金属层、一个第三金属层、多个通孔以及树脂。在半导体封装底面上的一系列漏极焊盘，按照“漏极1、漏极2、漏极1以及漏极2”的模式。一种半导体封装的制备方法。该方法包括以下步骤：制备一个平面网格阵列衬底；在平面网格阵列衬底上安装第一VDMOSFET和第二VDMOSFET；使用引线接合工艺；制备一个模塑封装；以及使用切单工艺。
公共平面网格阵列封装

[发明专利]半导体封装和制作半导体封装的方法-CN201911271514.X在审
发明人：张晓天;薛彦迅;王隆庆;何约瑟;牛志强 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的半导体封装具有多根支柱或部分多根带状引脚、多个半导体器件、一个或两个塑封层以及多个电气互连。半导体封装不包括A电线和夹子。应用一特定方法，制作半导体封装。该方法包括：提供可拆卸载体；形成多根支柱或多根带状引脚；固定多个半导体器件；形成一个或两个塑封层；形成多个电气互连并拆除可拆卸载体。该方法可进一步包括切割分离过程。
半导体封装制作方法

[发明专利]半导体封装及其制作方法-CN201911271503.1在审
发明人：薛彦迅;张晓天;王隆庆;何约瑟;牛志强 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装及其制作方法。半导体封装具有多根支柱或部分多根带状引脚、多个半导体器件、一个或两个塑封层以及多个电气互连。半导体封装不包括电线和夹子。应用一特定方法，制作半导体封装。该方法包括：提供可拆卸载体；形成多根支柱或多根带状引脚；固定多个半导体器件；形成一个或两个塑封层；形成多个电气互连并拆除可拆卸载体。该方法可进一步包括切割分离过程。
半导体封装及其制作方法

[发明专利]功率器件及制备方法-CN201610082487.1有效
发明人：张晓天;雪克·玛力卡勒强斯瓦密;牛志强;胡照群;何约瑟 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理装置，尤其是涉及到低端MOSFET晶片和高端MOSFET晶片并集成控制IC的电压转换装置及其制备方法。一个第一晶片倒装在第一安装区域，第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接；一个第二晶片倒装在第二安装区域，第二晶片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊盘对接；一个导电结构连接在结合垫和第一晶片背面的金属层之间，一个塑封体覆盖在基板正面，将第一、第二晶片和导电结构包覆在内。
功率器件制备方法

[发明专利]具有高机械强度的半导体封装-CN201811529570.4在审
发明人：王隆庆;杜震;陈波;鲁军;何约瑟 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体封装和半导体晶圆，分开半导体晶圆，形成多个半导体封装。半导体晶圆具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。半导体封装具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。刚硬的支撑层的厚度大于半导体衬底的厚度。金属层的厚度小于半导体衬底的厚度。整个刚硬的支撑层可以由单独的晶体硅材料或多晶硅材料制成。单独的晶体硅材料或多晶硅材料可以由回收的硅晶圆制成。使用回收的硅晶圆的好处在于节省成本。
半导体封装支撑层衬底刚硬半导体晶圆半导体金属层多晶硅材料晶体硅材料钝化层附着层硅晶圆接触垫回收

[发明专利]一种封装器件及制备方法-CN201510442259.6有效
发明人：薛彦迅;哈姆扎·耶尔马兹;何约瑟;鲁军;龚德梅 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明主要涉及功率半导体器件，是提供作为功率切换开关所用的一种功率半导体封装器件及其制备方法。用一个塑封体包覆芯片、基座及第一、第二引脚，第一、第二引脚分别设置在塑封体底面一侧的两个角部位置处，并设置第一、第二引脚各自的底面皆从塑封体的底面外露。
一种封装器件制备方法

[发明专利]电池保护包及其制备工艺-CN201510643913.X有效
发明人：牛志强;薛彦迅;胡满升;鲁军;何约瑟;哈姆扎·依玛兹 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提出了小尺寸的电池保护包，以及小尺寸电池保护包的制备工艺。该电池保护包包括一个第一共漏金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一个第二共漏MOSFET、一个功率控制集成电路（IC）、多个焊锡球、多个导电凸起以及一个封装层。功率控制IC垂直堆栈在第一和第二共漏MOSFET上方。至少将一大部分功率控制IC以及至少将绝大部分的多个焊锡球嵌入在封装层中。制备电池保护包的工艺包括制备功率控制IC；制备共漏MOSFET晶圆；将功率控制IC与共漏MOSFET晶圆集成并且连接引脚分配；制备一个封装层；进行研磨工艺；制备一个金属层；并且分离电池保护包。
电池保护及其制备工艺

[发明专利]一种嵌入式封装及封装方法-CN201410318620.X有效
发明人：牛志强;潘华;鲁明朕;何约瑟;鲁军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入式封装，包含：预填塑封料的引线框架，及设置其上的若干芯片，预填塑材料填充引线框架镂空结构，使引线框架形成一平面无镂空整体；围绕引线框架分布设置的引脚；金属片，连接在部分芯片上；第一层压层，其包覆在芯片、引线框架、金属片和引脚上；对应引脚、以及各个芯片中用于连接各个引脚的区域处，第一层压层设有由芯片或引脚的表面至第一层压层外表面的导电结构；各个芯片需连接引脚处的导电结构与引脚或其他芯片的导电结构电性连接。本发明将多芯片嵌入在预制的引线框架上，并被包覆在层压层中通过导电结构连接，提高热性能和电性能，便于完成柔性功率和逻辑混合设计，具有三维堆叠能力，可进行系统级封装。
一种新型嵌入式封装方法

[发明专利]基于小型栅极金属片的封装方法及封装结构及金属片框架-CN201410725938.X有效
发明人：薛彦迅;哈姆扎·依玛兹;何约瑟;鲁军;鲁明朕;高洪涛 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种基于小型栅极金属片的封装方法，该方法包含：第一芯片和第二芯片相互倒置地分别焊接在预制的一对相连的引线框架上；第一芯片的源极对应第二芯片栅极设置，而第一芯片的栅极对应第二芯片源极设置；焊接第一金属片框架和第二金属片框架；第一金属片框架电性连接所述第一芯片栅极、第二芯片的源极，以及引线框架上第一芯片栅极与第二芯片源极分别对应的引脚；第二金属片框架性连接所述第二芯片的栅极、第一芯片的源极，以及引线框架上第二芯片栅极与第一芯片源极分别对应的引脚。本发明减小栅极金属片和栅极窗口的面积，降低栅极与引线间电路连接的阻抗，从而提高电流，便于栅极金属片粘合工艺的实行。
基于小型栅极金属片封装方法结构框架

[发明专利]制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法-CN201310145656.8有效
发明人：薛彦迅;哈姆扎·耶尔马兹;何约瑟;石磊;赵良;黄平;吴平丽 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级的方式上达到制备应用在倒装安装工艺上的半导体器件的方法。在晶圆正面覆盖第一塑封层形成其中的基准线，翻转晶圆至其背面朝上，在晶圆减薄后在其背面沉积一金属层，并翻转晶圆至金属层朝下，之后在金属层上粘附一层粘贴膜，沿着基准线实施切割，形成正面带有顶部塑封层和背面带有底部金属层的晶片，以获得多个半导体器件。同时翻转粘贴膜和各晶片，并在各顶部塑封层上粘附另一层粘贴膜，剥离各底部金属层上所粘附的粘贴膜之后，在无翻转的条件下将半导体器件拾取并安装至承载基板上以实现倒装安装。
制备应用倒装安装工艺半导体器件方法

[发明专利]功率半导体器件及制备方法-CN201410131387.4有效
发明人：薛彦迅;哈姆扎·耶尔马兹;何约瑟;鲁军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明一般涉及一种半导体器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种集成有较小尺寸和薄型化晶片的功率半导体器件及其制备方法。提供一个包含多个基座的引线框架，将芯片粘附在本体部的顶面上，在芯片正面的各电极上植金属凸块，使各金属凸块的顶端凸出于引脚部的顶面所在的平面，加热金属凸块并利用一抵压板按压各金属凸块的顶端，使每个金属凸块所形成的平坦化的顶端面与所述引脚部的顶面齐平，切割引线框架分离各个基座。
功率半导体器件制备方法

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