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[发明专利]一种一体化光圈镜片及制造方法-CN201911416049.4有效
发明人：桂珞;施林波 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种一体化光圈镜片及制造方法，包括：提供衬底和镜片；在所述衬底上形成键合膜；在所述键合膜表面形成光圈结构，所述光圈结构为具有中间通孔的环状结构；通过连接层将所述镜片和光圈结构粘接，所述镜片覆盖光圈结构的中间通孔；将所述衬底与所述光圈结构解键合。采用本发明的一体化光圈镜片的制造方法，采用晶圆级工艺单独形成遮光部分，通过粘接与镜片结合，使得光圈与镜片的制造工艺分离，在不增加光圈镜片体积的前提下，将镜片的材料从工艺限制中解放出来，使得更多具有优秀光学性能的镜片材料得以被采用；其有利于减小光圈镜片占用空间，可以同时满足微型成像系统中的紧凑性需求和光圈镜片的遮光性需求。
一种一体化光圈镜片制造方法

[发明专利]晶圆级封装方法及晶圆级封装结构-CN201911416996.3有效
发明人：何旭;刘尧;施林波 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提出了的一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，方法包括：提供器件晶圆，器件晶圆具有器件区，器件区包括有效功能区和包围有效功能区的外围区；在器件晶圆的外围区形成支撑层；提供盖帽晶圆，盖帽晶圆具有有效区和无效区；对盖帽晶圆进行第一处理，在有效区形成盖帽层，使得有效区的表面高于无效区表面；将器件晶圆与盖帽晶圆键合，使得有效区与器件区相对，使得支撑层和盖帽层在有效功能区上形成空腔。能够有效保证盖帽层的强度并改善空腔结构，以及改善封装工艺过程中的晶圆翘曲问题，并降低成本。
晶圆级封装方法结构

[发明专利]封装结构的制造方法-CN201911399348.1在审
发明人：宋月平;施林波 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种封装结构的制造方法，包括：提供器件晶圆和晶圆级覆盖基板，器件晶圆和晶圆级覆盖基板通过位于两者之间的键合层相结合，器件晶圆包括多个半导体芯片，半导体芯片包括有源区和输入/输出电极区，半导体芯片、键合层以及晶圆级覆盖基板在有源区位置处围成空腔，输入/输出电极位于空腔外侧，晶圆级覆盖基板的材料为铌酸锂或钽酸锂；利用软刀对相邻半导体芯片之间的晶圆级覆盖基板进行切割处理，形成与半导体芯片一一对应的芯片级覆盖基板，芯片级覆盖基板侧壁与芯片级覆盖基板背向器件晶圆的表面的夹角呈钝角；形成互连层，保形覆盖输入/输出电极表面、键合层和芯片级覆盖基板的侧壁和芯片级覆盖基板的部分顶面。本发明提高了封装结构的良率。
封装结构制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法、MEMS麦克风形成方法-CN201810785745.1有效
发明人：付俊;程晋广;陈福成;施林波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法、MEMS麦克风及其形成方法。通过在初始衬底上键合支撑载板，从而可将初始衬底减薄到较小的厚度尺寸，进而可确保最终所形成具有滤网膜的半导体结构具备较小的特征尺寸，如此即可将小尺寸的半导体结构应用到MEMS麦克风中。以及，通过将半导体结构应用到MEMS麦克风中，使外界的空气通过半导体结构过滤之后，进入到MEMS麦克风的背腔中，从而可有效过滤外界的污染物，保障MEMS麦克风的性能。
半导体结构形成方法 mems 麦克风

[发明专利]一种多层堆叠晶圆的研磨方法-CN201610929793.4有效
发明人：陆建刚;施林波;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种多层堆叠晶圆的研磨方法，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，并对两者进行熔胶键合，其中所述第二晶圆位于所述第一晶圆的上方；对所述第二晶圆的边缘进行切边处理；研磨所述第二晶圆；在所述第二晶圆上方提供第三覆盖晶圆，并将所述第二晶圆与其进行共熔键合；研磨所述第一晶圆；研磨所述第三覆盖晶圆；同时切割所述第三覆盖晶圆、所述第二晶圆和所述第一晶圆。采用本发明的方法，省略了胶黏剂的填充、固化和残留物去除的工序，简化了工艺流程，降低了成本；避免研磨时因胶黏剂残留导致晶圆边缘出现碎裂，研磨后残胶污染晶圆的问题；避免切割时，刀片被胶包裹而钝化，影响切割品质并发生偏移。
一种多层堆叠研磨方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710785701.4有效
发明人： 施林波;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜；在形成所述水膜后，将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合；将贴合后的所述顶部晶圆和所述底部晶圆置于真空环境下；执行热退火工艺，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面熔融键合。本申请可以减少键合后的晶圆之间存在的气隙。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201711010772.3有效
发明人：付俊;施林波;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供待减薄晶圆和临时键合载体，并将待减薄晶圆的正面和临时键合载体临时键合；在待减薄晶圆的背面形成防粘层；在所述防粘层的表面形成凹槽从而在所述凹槽的外围形成凸起的环状结构，所述凹槽贯穿部分厚度的待减薄晶圆；对所述凹槽的表面进行化学刻蚀，以降低形成所述凹槽时所造成的减薄缺陷和减薄应力问题；将待减薄晶圆和临时键合载体进行解键合。采用本发明的方法，在形成凸起的环状结构之前，形成了防粘层，可有效阻挡化学刻蚀工艺所用的刻蚀液与环状结构表面的物质接触，从而避免刻蚀液造成的环状结构表面的粗糙度的增大，减小在解键合过程中发生破片的风险。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710896967.6有效
发明人：付俊;陈福成;施林波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供器件晶圆和承载衬底；在所述边缘区器件晶圆表面形成防粘层；在所述中心区和所述防粘层上形成粘合胶，所述粘合胶与所述防粘层之间的粘附力小于所述粘合胶与器件晶圆之间的粘附力；对所述器件晶圆和承载衬底进行贴合处理，使所述粘合胶与所述承载衬底的承载面贴合；去除所述粘合胶。所述粘合胶与所述防粘层之间的粘附力小于所述粘合胶与器件晶圆之间的粘附力。在去除所述粘合胶的过程中，所述边缘区粘合胶比较容易去除，对所述器件晶圆边缘区产生的应力较小，从而不容易损坏所述器件晶圆。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构-CN201710156402.4有效
发明人：程晋广;施林波;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆具有第一晶圆面；在部分所述第一晶圆面上形成第一金属层；在所述第一晶圆面上形成第一环形挡墙结构，所述第一环形挡墙结构包括相互分立的第一环形挡墙和第二环形挡墙；提供第二晶圆，所述第二晶圆具有第二晶圆面；在部分所述第二晶圆面上形成第二金属层；在所述第二晶圆面上形成第二环形挡墙结构，所述第二环形挡墙结构包括相互分立的第三环形挡墙和第四环形挡墙；将所述第一金属层与所述第二金属层相互键合。本发明形成的晶圆键合结构的晶圆键合效果得到提高。
晶圆键合方法以及结构

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201611152917.9有效
发明人： 施林波;陈福成;刘尧;陆建刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供第一晶圆，在所述第一晶圆上形成粘结层；图案化所述粘结层，以在所述粘结层中形成切割路径；通过所述粘结层将所述第一晶圆与第二晶圆相接合；沿所述切割路径切割所述第一晶圆与所述第二晶圆。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，采用干膜材料形成粘结层，并通过光刻工艺在粘结层中形成切割路径，然后用切割刀沿所述切割路径切割晶圆，从而避免切割过程中粘刀的情况，保证切割品质。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种键合对准精度的检测方法和半导体器件-CN201611187333.5有效
发明人：程晋广;陈福成;施林波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种键合对准精度的检测方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。包括：提供第一器件晶圆，在所述第一器件晶圆上形成第一对准标记，所述第一对准标记的形状为环形；提供第二器件晶圆，在所述第二器件晶圆上形成第二对准标记；形成介质层以覆盖所述第二器件晶圆形成有所述第二对准标记的面，并且所述介质层的表面与所述第二对准标记的表面齐平；在所述介质层上形成围绕所述第二对准标记的虚拟键合层；将所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆进行键合，第一对准标记和虚拟键合层相对准并键合，第二对准标记与第一对准标记所包围的空白区域相对；对所述第一对准标记和所述第二对准标记组成的图形进行成像，以检测键合的对准精度。
一种对准精度检测方法半导体器件

[发明专利]一种MEMS器件的制作方法-CN201611140082.5有效
发明人： 施林波;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS器件的制作方法，所述方法包括:提供MEMS晶圆，所述MEMS晶圆的正面形成有图案化的过滤层；在所述MEMS晶圆中形成开口，所述开口贯穿所述MEMS晶圆的背面；在所述图案化的过滤层上形成胶带；自所述MEMS晶圆的背面减薄所述MEMS晶圆，使所述MEMS晶圆减薄到目标厚度；剥离所述胶带。根据本发明提供的MEMS器件的制作方法，首先在MEMS晶圆中形成贯穿所述MEMS晶圆的背面的开口，然后采用胶带对所述MEMS晶圆正面进行保持，自所述MEMS晶圆的背面减薄所述MEMS晶圆，使所述MEMS晶圆减薄到目标厚度，从而避免了需要临时键合的工艺，从而实现低成本、高良率制作超薄MEMS器件。
晶圆胶带背面减薄开口过滤层图案化制作减薄晶圆正面临时键合低成本贯穿良率背面剥离

[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置-CN201610240785.9有效
发明人：刘尧;陈福成;施林波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供顶部晶圆，在所述顶部晶圆上形成有第一接合材料层，所述第一接合材料层包括第一金属层；步骤S2：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有第二接合材料层，所述第二接合材料层包括依次形成的第一金属层和第二金属层；步骤S3：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆对准，步骤S4：将所述顶部晶圆和所述底部晶圆加热至所述第一金属层和所述第二金属层形成的合金的熔点以下；步骤S5：将所述第二接合材料层中的所述第二金属层与所述第一接合材料层中的所述第一金属层接触，并且仅继续加热所述顶部晶圆至所述合金的熔点以上，以使所述顶部晶圆和所述底部晶圆接合。
一种 mems 器件及其制备方法电子装置

[发明专利]晶圆减薄方法-CN201510089795.2有效
发明人： 施林波;陈福成;刘尧 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆减薄方法，包括：提供待减薄的第一晶圆，所述第一晶圆包括用于形成半导体器件的正面以及相对于所述正面的背面；在所述第一晶圆的正面形成第一无机材料层；提供用于支撑所述第一晶圆的第二晶圆，所述第二晶圆包括一用于与第一晶圆正面相配合的工作面；在所述第二晶圆的工作面上形成第二无机材料层；使所述第一无机材料层与所述第二无机材料层键合，以将所述第一晶圆与第二晶圆键合；去除第一晶圆背面的部分材料，以对第一晶圆进行厚度减薄处理；将减薄后的第一晶圆与第二晶圆解键合。本发明的有益效果在于：对环境温度的承受范围更宽，这有利于降低后续其他工艺难度和复杂性，这样有利于保证整个工艺的效率。
晶圆减薄方法

[发明专利]晶圆处理方法-CN201410196551.X有效
发明人： 施林波;刘尧;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种晶圆处理方法，包括：承载基底的第一表面具有定位标记；待处理基底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面，待处理基底具有器件区、以及包围器件区的边缘区；将承载基底的第一表面与待处理基底的第一表面键合，定位标记位于待处理基底的边缘区内；对待处理基底进行修边工艺，修边工艺使待处理基底的半径减小，并完整暴露出承载基底第一表面的定位标记；通过定位标记的定位，在待处理基底的第二表面形成掩膜层，掩膜层内具有暴露出部分待处理基底第二表面的开口；以掩膜层为掩膜，刻蚀开口底部的待处理基底，直至暴露出承载基底的第一表面为止，在待处理基底内形成通孔。所述晶圆处理方法使硅通孔的形成工艺简化。
处理方法

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