专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种化合物半导体的金属化结构-CN201720307956.5有效
  • 颜添和 - 颜添和
  • 2017-03-28 - 2018-02-02 - H01L31/0203
  • 本实用新型公开了一种化合物半导体的金属化结构,其结构包括环氧树脂透镜、导线、反射碗、半导体芯片、阴极接柱基底、阳极接柱基底、底板、阴极接柱、阳极接柱,反射碗设于半导体芯片下方,半导体芯片设于阳极接柱基底上方,阳极接柱基底设于底板上方,底板设于阴极接柱上方,阳极接柱设于阳极接柱基底下方,半导体芯片设有半导体芯片电路板、半导体芯片引脚,半导体芯片电路板与半导体芯片引脚固定连接,本实用新型一种化合物半导体的金属化结构,通过设置半导体芯片,实现了能锁定程序编写程序录入到芯片中,这种化合物半导体的金属化特性使得半导体跨度到化学领域中也能运用,不只是停留物理领域
  • 一种化合物半导体金属化结构
  • [发明专利]半导体封装设备-CN201810511315.0有效
  • 王加骇 - 江苏爱矽半导体科技有限公司
  • 2018-05-25 - 2020-10-30 - H01L21/67
  • 本发明涉及半导体技术领域半导体封装设备,包括机架组件及其上的半导体进料装置、半导体定位装置、搬运机械手装置和自动包装装置;半导体定位装置与半导体进料装置相衔接,自动包装装置与半导体定位装置相衔接。该半导体封装设备的优点是可以全自动完成半导体元器、料杯和热封膜的上料,并完成半导体元器的封装,加工效率高。
  • 半导体封装设备
  • [发明专利]带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法-CN201210585600.X有效
  • 范春晖;王全 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2012-12-28 - 2017-06-23 - H01L29/78
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一带有绝缘埋层的半导体结构,包括支撑衬底、通过绝缘埋层与所述支撑衬底隔离的顶层半导体层,形成于所述顶层半导体层上的MOS晶体管结构,其特征在于,所述顶层半导体层和绝缘埋层之间还包括半导体缓冲层,且所述半导体缓冲层材料的禁带宽度大于所述顶层半导体层材料的禁带宽度。本发明还公开了带有绝缘埋层的半导体结构制备方法,将覆盖有绝缘埋层的第一半导体衬底和覆盖有半导体缓冲层的第二半导体衬底键合,并将第二半导体衬底减薄作为顶层半导体层,用于制备半导体器件结构。
  • 带有绝缘半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件-CN201310196987.4有效
  • 安部正幸 - 台州市一能科技有限公司;安部正幸
  • 2013-05-23 - 2013-09-25 - H01L33/44
  • 本发明提供了一种半导体器件,属于半导体技术领域。它解决了现有半导体芯片的各外延层之间存在导电、漏电等现象的问题。该半导体器件包括衬底,在衬底上具有设有n型电极的n型半导体以及包含设有p型电极的p型半导体半导体芯片,其特征在于,半导体芯片或者半导体芯片内两个或者两个以上的相邻发光领域之间的侧面的各外延结晶层之间的结合处形成一层的绝缘层本发明通过该绝缘层防止各外延结晶层之间的导电、漏电等现象,进而提高半导体器件的效率和可靠性。
  • 半导体器件
  • [发明专利]一种半导体取暖装置-CN201510693477.7在审
  • 唐玉敏;虞红伟 - 唐玉敏;虞红伟
  • 2015-10-24 - 2015-12-30 - F24D13/00
  • 本发明涉及采暖技术领域,尤其涉及一种半导体取暖装置。包括半导体发热单元、与所述半导体发热单元电连接为所述半导体发热单元供电的供电单元;所述半导体发热单元包括半导体发热板,所述半导体发热板包括用于释放热量的热端、用于吸收热量的冷端、设置在所述热端和所述冷端之间的P型半导体和N型半导体、以及连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体;所述金属导体设置用于连接所述电源的正负电极;其特征在于:所述N型半导体设置石墨烯层,或者所述P型半导体设置石墨烯层,或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。提高所述半导体发热板热冷端的温度差,达到提高半导体发热板制热能力的目的。
  • 一种半导体取暖装置
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202080101293.6在审
  • 万光星;黄威森 - 华为技术有限公司
  • 2020-06-30 - 2023-01-31 - H01L29/78
  • 一种半导体器件及其制作方法、电子设备,涉及半导体技术领域,提供一种包括不同栅长垂直环栅晶体管的半导体器件。该半导体器件包括:基板(01)以及位于基板(01)上的第一半导体鳍(Z1)和第二半导体鳍(Z2);第一半导体鳍(Z1)包括层叠设置的多个隔离半导体图案层和至少一个沟道半导体图案层,其中,每一个沟道半导体图案层夹在两个隔离半导体图案层之间;第二半导体鳍(Z2)包括依次层叠设置的第一隔离半导体图案层、第一沟道半导体层和第二隔离半导体图案层;第一半导体鳍(Z1)中的所有沟道半导体图案层的总厚度与第二半导体鳍(Z2)中的第一沟道半导体层的厚度不同
  • 半导体器件及其制作方法电子设备
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202111594707.6在审
  • 程凯 - 无锡晶湛半导体有限公司
  • 2021-12-23 - 2023-06-27 - H01L29/32
  • 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法,属于半导体技术领域。其中,半导体结构包括:衬底;和叠置在衬底上的多个功能膜层,多个功能膜层包括叠置的第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层位于衬底和第二半导体层之间,第一半导体层包括多个朝向衬底凹陷的缺陷坑,缺陷坑被第二半导体层填充,第二半导体层远离第一半导体层的一侧为平面。本申请提供的半导体结构及其制备方法解决了现有技术中的半导体结构存在垂直漏电的问题。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]光电子半导体器件-CN201310198256.3有效
  • 安部正幸 - 台州市一能科技有限公司;安部正幸
  • 2013-05-23 - 2013-10-23 - H01L33/02
  • 本发明提供了一种光电子半导体器件,属于半导体技术领域。它解决了现有半导体芯片结晶缺陷的存在影响了芯片成品率的问题。一种光电子半导体器件,包括衬底和半导体芯片,该半导体芯片通过如下方法得到:在发光领域存在的结晶缺陷密度D超过光电子半导体外延结晶片标定的最小结晶缺陷密度D时,算出有效发光面积A的最大值,在有效发光面积A的最大值范围内选取半导体芯片有效发光面积A2并以该半导体芯片有效发光面积A2对外延结晶片进行切割,并得到半导体芯片;之后用半导体芯片制造出光电子半导体器件。本发明采用能够将一些结晶缺陷密度大的外延片也能够进行分割从而得到较多数量的有效的光电子半导体芯片,提高效率,减少浪费。
  • 光电子半导体器件
  • [发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法-CN202110973478.2在审
  • 韩清华 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-24 - 2023-05-16 - H10B12/00
  • 本发明涉及半导体技术领域,提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构的制作方法,包括:提供衬底;在衬底上形成半导体柱;在半导体柱的中部侧壁上形成栅极;在环绕有栅极的半导体柱的上部和下部进行与半导体柱反型的掺杂注入,以形成源区和漏区。由于先形成了环绕半导体柱的栅极,然后进行掺杂注入形成源区和漏区,从而可以保证掺杂注入获得精确的位置,以此提高半导体结构的制作精度,从而改善半导体结构的使用性能。
  • 半导体结构制作方法

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