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[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法-CN200510119309.3有效
发明人：彭佳添 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H05B33/00 文献下载
摘要：一种显示面板，包括一基板；一多晶硅层，形成于基板上，且多晶硅层利用一固相结晶法结晶而成；一氮氧化硅(SiON)层，形成于多晶硅层上，且氮氧化硅层的折射率约为1.46至1.9；和一栅极(gate electrode)，形成于氮氧化硅层上。
低温多晶薄膜晶体管显示面板及其制造方法

[实用新型]一种高双面率的太阳能电池-CN202121332343.X有效
发明人：庞瑞卿;吕闯;刘海泉;杨二存;时宝;林纲正;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高双面率的太阳能电池，其特征在于，包括硅基底，依次设于硅基底正面的扩散层、M层正面氮化硅膜、N层氮氧化硅膜、正面氧化硅膜、正面电极，和依次设于所述硅基底背面的氧化铝膜、背面氧化硅膜、背面氮化硅膜和背面电极；其中，M≥3，N≥2；其中，靠近所述扩散层的正面氮化硅膜的折射率＞靠近所述氮氧化硅膜的正面氮化硅膜的折射率；靠近所述正面氮化硅膜的氮氧化硅膜的折射率＞靠近所述正面氧化硅膜的氮氧化硅膜的折射率
一种双面太阳能电池

[发明专利]薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法-CN201910971659.4有效
发明人：温志杰;魏伯州 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设计及制造领域，特别是涉及一种薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法，薄膜堆叠结构的制备方法包括：形成氧化硅层的步骤；形成氮化硅层的步骤；以及形成氢氮氧化硅缓冲层的步骤，其中，所述氢氮氧化硅缓冲层形成于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间本发明在氧化硅层及氮化硅层之间插入氢氮氧化硅缓冲层，降低了氧化硅层及氮化硅层间的应力梯度，从而最大限度地减小层间应力差引起的剪应力，提高氧化硅层及氮化硅层的结合强度，防止氧化硅层及氮化硅层间由于应力不平衡引起的开裂风险
薄膜堆叠结构三维存储器及其制备方法

[发明专利]在半导体制程中改善足部效应缺陷的方法-CN200310109108.6无效
发明人：廖国彰;吴永皓;罗思齐;郭明升;王刚宁;席华萍;刘智敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明关于一种于半导体制程中，图形重制时可改善足部效应缺陷(Footing Defect)的方法，包括：首先，形成一氮氧化硅(SiON)层，并于氮氧化硅层表面上形成光阻层。接着，再以光刻胶去除剂(EKC Solvent)清理氮氧化硅层表面。之后，在氮氧化硅层表面上进行氧处理(OxygenTreatment)步骤。最后，返回PHOTO曝光。
半导体制程中改善足部效应缺陷方法

[发明专利]浅沟隔离的制造方法-CN03119179.7无效
发明人：林平伟;郭国权;姜兆声 -专利权人：矽统科技股份有限公司
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：在氮化硅膜上沉积一特定厚度的不同吸收系数的SiON，包含以下步骤：(a)于硅基板上沉积垫氧化硅膜/氮化硅膜作蚀刻的硬罩；(b)于氮化硅膜上先沉积一层高吸收系数的氮氧化硅层，再沉积一层低吸收系数的氮氧化硅层作抗反射层；(c)以浅沟槽图案的光罩曝光及显影光阻以形成浅沟槽的蚀刻罩幕；(d)蚀刻氮氧化硅、氮化硅、垫氧化层及硅基底，形成浅沟槽：(e)在浅沟槽侧壁及底部成长氧化层以除去损伤，减少漏电；(f)在浅沟槽内及氮氧化硅上沉积氧化硅层以填满沟槽
隔离制造方法

[发明专利]一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法-CN202010273771.3在审
发明人：胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：它包括电池片前处理、正面制备高折氮氧化硅膜、正面制备三层氮化硅膜、正面制备低折氮氧化硅膜和正面制备氧化硅膜。通过本发明制备的电池片正面形成有包含高折氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折氮氧化硅膜和氧化硅膜的复合膜层结构，每层介质膜的膜厚和折射率进行匹配性设计，很好的增加太阳光的吸收，达到理想的陷光效果，而且底层的氮氧化硅膜折射率较大
一种用于制备组件太阳能电池方法

[发明专利]一种太阳能电池的背面结构和含该背面结构的太阳能电池-CN202011594855.3有效
发明人：李红博;何胜;单伟;徐伟智;曾鑫林;赵迎财 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池背面结构技术领域，为满足太阳能电池的钝化需求趋势，公开一种太阳能电池的背面结构，包括设置在硅片基底上的氧化铝膜层、氧化铝膜层上由内向外依次设置的第一氮化硅膜层、第一氮氧化硅膜层，还包括设置在第一氮氧化硅膜层上的第二氮化硅膜层；第一氮化硅膜层的折射率大于第二氮化硅膜层，第二氮化硅膜层的折射率大于第一氮氧化硅膜层。本发明通过设置氮化硅膜层和氮氧化硅膜层，并使氮氧化硅膜层与氮化硅膜层相对交替布置，可以满足太阳能电池的钝化需求，重点提升太阳能电池的Uoc、Isc、FF和Eta等性能指标，应用于双面或单面PERC太阳能电池
一种太阳能电池背面结构

[发明专利]制造相变化记忆体的方法-CN201910117114.7在审
发明人：林毓超;吴昭谊;陈佑昇;卡罗司·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本揭露描述了用于图案化相变化记忆体层的技术。将氮氧化硅(SiON)层作为第一硬遮罩并将导电保护层作为第二硬遮罩来图案化相变化记忆体层。使用有机底部抗反射涂层来提高光刻精度。控制有机底部抗反射涂层和硬遮罩氮氧化硅(SiON)层之间的厚度比和硬遮罩氮氧化硅(SiON)层的蚀刻条件，使得图案化的有机底部抗反射涂层在图案化硬遮罩氮氧化硅(SiON)层的同时完全地或接近完全地分解。
制造相变记忆体方法

[其他]微测辐射热计及焦平面阵列-CN201290000696.2有效
发明人： R·F·卡纳塔;Y·佩特雷蒂斯;P·富兰克林;R·西梅斯;R·E·玻恩弗洛恩德 -专利权人：菲力尔系统公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：微测辐射热计包括底部多层电介质（510），其具有第一氮氧化硅层（514）和位于第一氮氧化硅层（514）之上的第二氮氧化硅层（516），第一（514）和第二（516）氮氧化硅层具有不同的折射率。该微测辐射热计还包括位于底部多层电介质（510）之上的探测器层（520）和位于探测器层（520）之上的顶部电介质（530），其中该探测器层（520）由温敏电阻材料组成。
辐射热平面阵列

[发明专利]一种光伏组件、太阳能电池及其制备方法-CN202010477777.2有效
发明人：李文琪;杨洁;袁雪婷;张昕宇;金浩 -专利权人：晶科绿能(上海)管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该太阳能电池包括硅衬底以及配置于所述硅衬底背面的钝化层，所述钝化层包括：具有第一折射率的第一氮氧化硅膜层，配置于所述第一氮氧化硅膜层表面的具有第二折射率的第二氮氧化硅膜层以及配置于所述第二氮氧化硅膜层表面的具有第三折射率的至少一层氮化硅膜层，其中，所述第一氮氧化硅膜层和第二氮氧化硅膜层的厚度之和大于60nm，所述氮化硅膜层的厚度大于60nm且所述钝化层各层厚度之和大于120nm且小于300nm，所述第一折射率大于第二折射率且小于第三折射率通过所述钝化膜层结构可以有效增强电池的背钝化特性，提升电池效率，以及减缓光伏组件的PID衰减。
一种组件太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池减反射膜-CN201210401694.0无效
发明人：张晨;张森林 -专利权人：江苏晨电太阳能光电科技有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体硅太阳能电池减反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉积氮氧化硅膜层、二氧化钛膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层。四个膜层的折射率从氮氧化硅膜层到二氧化硅膜层依次减小，所述四个膜层的厚度从氮氧化硅膜层到二氧化硅膜层依次增大。其中二氧化钛膜层对电池片生产过程中的大多数化学物质都有很好的化学稳定性，其折射率高和吸收率低，氮化硅膜层对硅片具有良好的钝化效果，二氧化硅膜层具有高损伤阈值和优良的光学性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的优良特性
一种晶体太阳能电池减反射膜

[实用新型]一种太阳能电池的背面膜层结构、太阳能电池和电池组件-CN202320541427.7有效
发明人：陆玉刚;刘成法;邹杨;张帅;张雅倩;李汉诚 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池的背面膜层结构、太阳能电池和电池组件，该背面膜层结构沿远离硅基底的方向依次包括四个膜层，即，第一氮氧化硅膜层、第二氮化硅膜层、第三氮化硅膜层和第四氮氧化硅膜层，第二氮化硅膜层的膜厚大于或等于第一氮氧化硅膜层、第三氮化硅膜层和第四氮氧化硅膜层中的每一者的膜厚。第一氮氧化硅膜层的膜厚为5nm至25nm、折射率为1.2至1.9。第二氮化硅膜层的膜厚为40nm至80nm、折射率为2.1至2.4。第三氮化硅膜层的膜厚为20nm至40nm、折射率为1.9至2.2。第四氮氧化硅膜层的膜厚为20nm至40nm、折射率为1.5至1.9。可以降低电池和组件的背面反射率，钝化性能不输于现有膜层，该种电池做成的组件背面吸收阳光的效率更高，即电池和组件的双面率更高。
一种太阳能电池面膜结构电池组件

[发明专利]避免锐角的浅沟道隔离制造方法-CN02141499.8有效
发明人：蔡文彬;吴俊沛;陈辉煌 -专利权人：旺宏电子科技股份有限公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：首先，在一半导体基底上依序形成一氮氧化硅(SiON)层与一遮蔽层。定义遮蔽层与氮氧化硅层以形成一开口，露出欲形成浅沟道隔离区的基底区域。接着，在氮氧化硅层和遮蔽层的侧壁上形成一间隙壁(spacer)。以间隙壁和遮蔽层为罩幕，在半导体基底内形成一浅沟道。接着，形成一衬垫氧化层于浅沟道表面，使得衬垫氧化层在接近氮氧化硅层的处形成鸟嘴形状。接着，于沟道中填入一隔离氧化层。最后，去除遮蔽层与氮氧化硅层。因此，隧穿氧化层的厚度均匀，可维持完整性。电场不会集中在沟道顶角，而可避免寄生晶体管和漏电。
避免锐角沟道隔离制造方法

[发明专利]一种仿陶瓷玻璃板及其制备方法-CN202110354878.5在审
发明人：顾澄鑫;欧阳小隆;陆坤鹏;程伦亮;赵元东 -专利权人：江西省亚华电子材料有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：一种仿陶瓷玻璃板，包括玻璃基板层，在玻璃基板层的一面喷涂有颜色油墨层，在玻璃基板层的另一面依次镀有氮化硅透明加硬层、DLC膜层和AF膜层，氮化硅透明加硬层包括二氧化硅层，在二氧化硅层之上依次顺序设有数层氮化硅层和数层氮氧化硅层，氮化硅层和氮氧化硅层采用间隔互层方式设置。制备时，先进行清洗、喷涂有色油墨并烘干、再次清洗，随后在一定条件下镀氮化硅透明加硬层膜，最后依次镀DLC膜和AF膜。本发明采用氮氧化硅满足低折射叠加高折射率光学设计要求，并控制氮氧化硅层制备时氧气/氮气配比，进而解决手机后盖板表面仿陶瓷装饰镀膜硬度差和颜色不好搭配的问题。
一种陶瓷玻璃板及其制备方法

[发明专利]电泳显示器的保护膜、电泳显示器及其封装方法-CN201810133761.2在审
发明人：孙景泉;王喜杜;林永强 -专利权人：广州奥翼电子科技股份有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种电泳显示器的保护膜、电泳显示器及其封装方法，该电泳显示器的保护膜包括保护层和氮氧化硅层，保护层与氮氧化硅层层叠连接。本发明在模组封边前，通过在保护膜与电泳显示组件的接触界面表层做氮氧化硅层，利用密封胶与氮氧化硅材料有强粘附性的特性，提高密封胶与保护层的粘结性，更好地达到密封效果，进而提高器件的寿命。
电泳显示器保护膜保护层氮氧化硅层氮氧化硅密封胶封装电泳显示组件接触界面密封效果强粘附性粘结性封边模组