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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列-CN202310463168.5在审
发明人：李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈佑昇;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列，选择器结构包含底部电极、第一切换膜和第一顶部电极。底部电极包含底部低热导率金属和第一底部高热导率金属。第一切换膜位于底部电极上且具有可通过电场切换的电阻率。第一顶部电极在第一切换膜上且包含第一顶部低热导率金属和第一顶部高热导率金属。
选择器结构记忆体单元阵列

[发明专利]形成存储器器件的方法-CN202310131134.6在审
发明人：陈逸轩;陈坤意;王怡情;黄国钦;庄学理;陈佑昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种形成存储器器件的方法。根据本公开的方法包括在第一晶圆中形成多个晶体管并在第二晶圆中形成存储器阵列。第一晶圆的第一表面包括电耦接到晶体管的第一多个接合焊盘。存储器阵列包括多个铁电隧道结(FTJ)堆叠件。第二晶圆的第二表面包括电耦接到FTJ堆叠件的第二多个接合焊盘。该方法还包括对第二晶圆中的FTJ堆叠件执行热处理，并且在执行热处理之后，将第一晶圆的第一表面与第二晶圆的第二表面接合。晶体管通过第一多个接合焊盘和第二多个接合焊盘耦接到存储器阵列。
形成存储器器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911200857.7有效
发明人：江宏礼;陈佑昇;郑兆钦;陈自强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：逻辑电路，包括设置在衬底上方的晶体管；多层，每个层包括分别设置在逻辑电路上方的金属布线层和层间介电层；以及存储器阵列。金属布线的多层以更靠近衬底的顺序包括第一层、第二层、第三层和第四层，并且存储器阵列包括设置在第三层中的下部多层。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储单元、其制造方法、及具有存储单元的半导体器件-CN202210015064.3在审
发明人：林毓超;陈佑昇;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括介电结构、存储元件结构以及顶部电极。存储元件结构设置在介电结构中，且存储元件结构包括第一部分及第二部分。第一部分包括第一侧及与第一侧相对的第二侧，其中第一侧的宽度小于第二侧的宽度。第二部分连接到第一部分的第二侧，其中第二部分的宽度大于第一侧的宽度。顶部电极设置在存储元件结构上，其中第二部分设置在第一部分与顶部电极之间。
存储单元制造方法具有半导体器件

[发明专利]相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统-CN201910924590.X有效
发明人： 陈佑昇;吴昭谊;张家文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统。方法包括将脉冲序列施加于相变记忆装置，脉冲序列的每个脉冲包括脉冲编号、振幅、前缘、脉冲宽度和后缘，其中后缘的持续时间比前缘的持续时间还要长。施加脉冲序列的操作包括在增加脉冲编号时增加幅度、脉冲宽度和后缘持续时间的其中至少一者。此方法还包括改变相变记忆装置的电导准位，以回应于施加脉冲序列。
相变记忆电路用于装置方法脉冲产生系统

[发明专利]存储器件及其制造方法-CN202110111784.5在审
发明人：江宏礼;郑兆钦;邱荣标;陈自强;陈佑昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，本申请的实施例公开了一种存储器件。该存储器件包括设置在衬底上方的底部电极和设置在底部电极上方的顶部电极。底部电极的上表面背向衬底。顶部电极的底表面面向衬底。数据存储层设置在底部电极和顶部电极之间。顶部电极的底表面的至少部分沿平行于顶部电极的底表面的第一方向不与底部电极的顶表面的任何部分重叠。此外，底部电极的顶表面的至少部分沿第一方向不与顶部电极的底表面的任何部分重叠。本申请的实施例还提供了一种制造存储器件的方法。
存储器件及其制造方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202110140986.2在审
发明人：江宏礼;郑兆钦;邱荣标;陈自强;陈佑昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种集成电路。该集成电路具有布置在衬底上方并分别包括多个相互堆叠的位线的多个位线堆叠件。数据存储结构位于多个位线堆叠件上方，选择器位于数据存储结构上方。字线位于选择器上方。该选择器配置为选择性地允许电流通过多个位线和字线之间。该多个位线堆叠件包括第一位线堆叠件、第二位线堆叠件和第三位线堆叠件。第一和第三位线堆叠件是离第二位线堆叠件的相对侧最近的位线堆叠件。第二位线堆叠件与第一位线堆叠件相隔第一距离并且进一步与第三位线堆叠件相隔第二距离，第二距离大于第一距离。本发明的实施例还涉及一种形成集成电路的方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]生物分子磁传感器-CN201611227713.7有效
发明人：李欣翰;陈佑昇;王丁勇;辛毓真 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01N27/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种生物分子磁传感器，用以检测待测生物分子附着于上的纳米磁珠，包括吸附片、磁感线产生器以及至少一磁检测元件。吸附片使这些纳米磁珠附着于上。磁感线产生器用以产生多条第一磁感线，这些第一磁感线的至少其中之一沿第一方向通过这些纳米磁珠，使纳米磁珠感应于部分这些第一磁感线而产生多条第二磁感线，其中磁感线产生器在第一方向上位于吸附片与至少一磁检测元件之间。磁检测元件用以检测这些第二磁感线的至少其中之一在第二方向上的磁场分量，其中第一方向不同于第二方向，以及磁检测元件与吸附片在第二方向上具有第二偏移量。
生物分子传感器

[发明专利]记忆体元件-CN202010511919.2在审
发明人： 陈佑昇;邱大秦;吴昭谊;卡罗司·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本揭露的部分实施例包括一记忆体元件，包含导电线、第一二维材料层、相变化元件和上电极。第一二维材料层位于导电线上方。相变化元件至少部分通过第一二维材料层和导电线分离。上电极位于相变化元件上方。
记忆体元件

[发明专利]存储器单元、存储器器件及其使用方法-CN202010751000.0在审
发明人：江宏礼;郑兆钦;陈自强;陈佑昇;黄汉森 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：介绍了包括至少一个存储器单元的存储器器件。至少一个存储器单元中的每个耦合至位线和字线。至少一个存储器单元中的每个包括存储器元件和选择器元件，其中，存储器元件配置为存储至少一个存储器单元的数据。选择器元件串联耦合至存储器元件，并且配置为选择用于读取操作的存储器元件并且在读取操作中放大存储在存储器元件中的数据。本发明的实施例还涉及存储器单元、存储器器件及其使用方法。
存储器单元器件及其使用方法

[发明专利]电阻式随机存取记忆体装置-CN201911072850.1在审
发明人：江宏礼;郑兆钦;陈自强;陈佑昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本揭示内容的各个实施方式涉及包括清除层的电阻式随机存取记忆体(PRAM)装置。位元线覆盖半导体基板。数据储存层围绕位元线的外部侧壁和顶表面。字元线覆盖数据储存层。清除层介于字元线和位元线之间，使得清除层的底表面与位元线的底表面对准。清除层的侧向厚度小于清除层的垂直厚度。
电阻随机存取记忆体装置

[发明专利]集成晶片-CN201910512108.1在审
发明人：林毓超;陈瑞铭;余绍铭;李东颖;陈佑昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在一些实施方式中，本揭示内容关于一种集成晶片，其包括设置在底部电极之上的相变材料，并且相变材料配置为当温度变化时从晶质结构变为非晶质结构。顶部电极设置在相变材料的上表面之上。通孔电性接触顶部电极的顶表面。此外，相变材料的上表面的最大宽度小于相变材料的底表面的最大宽度。
集成晶片

[发明专利]垂直磁化自旋轨道磁性元件-CN201610951574.6有效
发明人：李欣翰;杨姗意;陈佑昇;张耀仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直磁化自旋轨道磁性元件，包括重金属层、磁隧道结、第一反铁磁层、第一阻绝层以及第一外漏场施加层。磁隧道结设置于重金属层上。第一阻绝层设置于磁隧道结与第一反铁磁层之间。第一外漏场施加层设置于第一反铁磁层与第一阻绝层之间。第一外漏场施加层产生平行于膜面的外漏磁场。第一反铁磁层接触所述第一外漏场施加层以定义第一外漏场施加层所产生的磁矩方向。
垂直磁化自旋轨道磁性元件

[发明专利]可变电阻装置、物理性不可复制功能电路与控制方法-CN201710367962.4有效
发明人：邓端理;陈佑昇;王丁勇 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种可变电阻装置、物理性不可复制功能电路与控制方法。物理性不可复制功能电路的控制方法可应用于物理性不可复制功能电路与磁阻式可变电阻装置。方法包括将多个磁阻式可变电阻电路的磁穿隧接面元件初始化至一电阻状态后，施加一第一能量至磁穿隧接面元件，以及判断具有一预定电阻状态的上述磁穿隧接面元件的一汉明权重是否在一预定数值范围内。
可变电阻装置物理不可复制功能电路控制方法

[发明专利]记忆体操作方法-CN201911045784.9在审
发明人：吴昭谊;柯文昇;蔡劲;陈佑昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本案揭示一种包括以下操作的记忆体操作方法。第一信号被施加到记忆体元件中的记忆体单元，以调整记忆体单元的电阻值。在施加第一信号之后，将第二信号施加到除第一记忆体单元之外的记忆体单元，以进一步调整除第一记忆体单元之外的此些记忆体单元的电阻值。在施加第二信号之后，对应于第一预定电阻值及第二预定电阻值的数据分别储存在第一记忆体单元及第二记忆体单元中。第一信号用于控制记忆体单元中的第一记忆体单元，以具有第一预定电阻值。第二信号用于控制记忆体单元中的第二记忆体单元，以具有第二预定电阻值。
记忆体操作方法

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