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[发明专利]利用选择性碳化硅外延来提升SONOS擦写速度的方法-CN201010502712.5有效
发明人：缪燕;孙勤;彭虎 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用选择性碳化硅外延来提升SONOS擦写速度的方法，包括如下步骤：第一步，采用选择性外延工艺在硅衬底上生长碳化硅外延层；第二步，在碳化硅外延层上生长隧穿氧化层；第三步，在隧穿氧化层上生长氮氧化硅陷阱层，并同时用N2O对其进行原位掺杂，形成氮氧化硅混合物，作为存储电荷的介质；第四步，在氮氧化硅陷阱层上生长高温热氧化层。
利用选择性碳化硅外延提升 sonos 擦写速度方法

[发明专利]碳氮氧化硅膜的形成方法-CN201210581126.3有效
发明人：铃木启介;门永健太郎;李丙勲;李殷祚;孙成德;张宰赫;朴度炫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。
氧化形成方法

[发明专利]双向TVS器件结构及其制作方法-CN201510254873.X有效
发明人：张常军;王平;陈祖银;周琼琼 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种双向TVS器件结构及其制作方法，在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良好的粘附性，氮氧化硅层不易吸潮，有利于提高双向TVS器件的可靠性。
双向 tvs 器件结构及其制作方法

[实用新型]双向TVS器件结构-CN201520322456.X有效
发明人：张常军;王平;陈祖银;周琼琼 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双向TVS器件结构，在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良好的粘附性，氮氧化硅层不易吸潮，有利于提高双向TVS器件的可靠性。
双向 tvs 器件结构

[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制作方法-CN202110582874.2有效
发明人：赵小平;时宝;杨二存;逯承承;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：自太阳能电池的正面至太阳能电池的背面，太阳能电池包括依次层叠的：第一正面氧化硅层、正面氮氧化硅层、第二正面氧化硅层、正面氮化硅层、电池基片、背面氧化铝层、第一背面氧化硅层、背面氮化硅层、背面氮氧化硅层、第二背面氧化硅层。
太阳能电池制作方法

[发明专利]自对准接触孔的工艺方法-CN201710906184.1有效
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准接触孔的工艺方法，包含：步骤一，在硅衬底上形成一层多晶硅，然后再形成一层氮氧化硅；步骤二，利用栅极层次的光罩形成光刻胶图形；然后对氮氧化硅及多晶硅进行刻蚀，形成晶体管的栅极；再对栅极上的氮氧化硅进行回刻蚀；对栅极进行快速热退火或炉管，从而形成栅极二氧化硅保护层；步骤三，沉积氮化硅和二氧化硅；并对硅片进行普遍刻蚀，从而形成栅极侧墙；再刻蚀掉栅极侧墙上和栅极顶部的氮氧化硅；进行源漏区注入及形成钴硅合金；步骤四，形成刻蚀阻挡层和接触孔介质层，进行化学机械研磨，进行接触孔刻蚀。
对准接触工艺方法

[发明专利]一种适用于MWT太阳能电池的多层复合膜及其制造方法-CN202310303454.5在审
发明人：钱小芳;徐建华;彭小江;范琼 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公布了一种适用于MWT太阳能电池的多层复合膜及其制造方法，该多层复合膜位于硅片表面的氧化铝层上，自内向外依次为：第二氮化硅层、碳氮化硅层、第三氮化硅层、氮氧化硅层以及氧化硅层；其中所述第三氮化硅层为由19‑21nm的第四氮化硅层、20‑30nm的第五氮化硅层以及30‑40nm的第六氮化硅层叠置组成。本发明通过氧化铝膜和氮化硅膜中间先加镀一层氮化硅膜，对氧化铝进行重构，再镀一层碳氮化硅膜，碳氮化硅的折射率高于氮化硅，所以底层高折射率的膜层起到优化钝化效果，然后在氮化硅膜外侧镀上氮氧化硅膜和氧化硅膜，氮氧化硅和氧化硅的折射率低于2.0，可以做到2.0以下的折射率，进一步减少了光损失。
一种适用于 mwt 太阳能电池多层复合及其制造方法

[发明专利]作为用于高生长速率含硅膜的前体的官能化环硅氮烷-CN201880047342.5有效
发明人：萧满超;M·R·麦克唐纳 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本文描述了官能化环硅氮烷前体化合物以及通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合来沉积含硅膜的包含该前体化合物的组合物和方法，该含硅膜例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或碳掺杂氧化硅。
作为用于生长速率含硅膜官能化环硅氮烷

[实用新型]一种电池正面多层膜结构-CN202122883935.7有效
发明人：袁桃生;马列;姚骞;蒋卫朋;萧圣义 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电池正面多层膜结构，涉及电池正面膜层技术领域，包括硅基体，在所述硅基体的正表面叠加形成多个介电层，所述介电层为氮化硅、氮氧化硅或氧化硅中的至少一个材料构成的膜系层，在硅基体正表面形成的膜系层依次为氮化硅膜层、氮氧化硅膜层和氧化硅膜层，其中氮化硅膜层由多层不同折射率的渐变膜层构成，本实用新型在使用中，通过在氮化硅膜层上依次设置氮氧化硅膜层和氧化硅膜层，提高钝化效果，减少载流子复合，提升开路电压，并通过多层渐变膜层的设置减小渐变膜层之间折射率差距较大导致光学失配造成的光损失
一种电池正面多层膜结构

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN202110203419.7有效
发明人：董永志;李文琪;杨洁;余丁;赵世杰;柴嘉磊 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池的制作方法包括：提供N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；在所述基底前表面形成第一钝化层，所述第一钝化层包括多个氮氧化硅子层，所述氮氧化硅子层内掺杂有氢离子，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子层的厚度不大于20nm，在远离所述基底的方向上，所述多个氮氧化硅子层的折射率递减；在所述第一钝化层表面形成第二钝化层，所述第二钝化层包括多个氮化硅子层，在远离所述基底的方向上，所述多个氮化硅子层的折射率递减；在所述基底后表面形成钝化接触结构。
太阳能电池及其制作方法

[实用新型]一种多膜层结构晶硅电池-CN202221663956.6有效
发明人：赵家林;沈晓;刘鹏 -专利权人：江苏格林保尔光伏有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶硅电池技术领域，特别涉及一种多膜层结构晶硅电池，包括硅基底，所述硅基底的正面从下至上依次设置有氧化硅层Ⅰ、折射率依次降低的若干层氮化硅层Ⅰ、氮氧化硅层Ⅰ和氧化硅层Ⅱ；所述硅基底的背面从上至下依次设置有氧化铝层、氮氧化硅层Ⅱ、折射率依次降低的若干层氮化硅层Ⅱ和氧化硅层Ⅲ。
一种多膜层结构电池

[发明专利]一种叠层背膜及其制备方法-CN202110884411.1在审
发明人：厉文斌;赵颖;何悦;任勇 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供了一种叠层背膜及其制备方法。所述制备方法包括：1)将一面沉积有氧化铝层的硅片置于反应器中抽真空，通入第一气体对氧化铝层进行预沉积，得到第一半成品；所述第一气体为含氧气体；2)通入第二气体，在预处理产品的氧化铝层上沉积氧化硅层，得到第二半成品；3)通入第三气体，在第二半成品的氧化硅层上沉积氮氧化硅层，得到第三半成品；4)通入第四气体，在第三半成品的氮氧化硅层上沉积氮化硅层，得到所述叠层背膜。通过采用含O气体的对氧化铝表面进行预处理，可增强表面负电荷密度，增强钝化效果。通过用背面氧化硅层、氮氧化硅层叠加氮化硅层来代替现有技术中的单层氮化硅膜层，改善了电池片的LeTID现象。
一种叠层背膜及其制备方法

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN201811022186.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：盛世瑶兰（深圳）科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件，其包括衬底、形成在所述衬底上的外延层、形成在外延层内的体区、形成在体区内的源区、位于体区与源区之间的沟道区及位于体区之间的漂移区、间隔形成在外延层上的第一氧化硅层、形成在第一氧化硅层之间的氮氧化硅层、形成在第一氧化硅层及氮氧化硅层的上表面的半绝缘多晶硅层、形成在半绝缘多晶硅层上的第二氧化硅层及形成在第二氧化硅层的上表面的多晶硅层，第一氧化硅层位于沟道区及源区的上表面，在垂直于衬底的上表面的方向上氮氧化硅层的投影区域包含在漂移区的投影区域内
氧化硅层上表面氮氧化硅层功率器件外延层衬底体区源区半绝缘多晶硅二氧化硅层投影区域沟道区漂移区制备导通损耗多晶硅层寄生电容垂直

[发明专利]晶体硅太阳能电池上的钝化堆叠件-CN201480063181.0有效
发明人：朱俊杰;周肃;H·豪格;E·斯鲁德马斯泰因;S·E·福斯;王文静;周春兰 -专利权人：能源技术研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明描述了用于制造晶体硅太阳能电池(1)器件上的钝化堆叠件的方法，所述方法包括以下步骤提供包括诸如晶体硅晶圆或晶片的晶体硅层(2)的基板；通过至少从晶体硅层(2)的一面的一部分去除氧化物层来清洁晶体硅层(2)的表面(21,23)；在至少部分清洁表面(21,23)上沉积氮氧化硅层(3)；以及在氮氧化硅层(3)的顶部沉积包含氢化的介电材料的覆盖层(5)，其中在100℃至200℃、优选100℃至150℃且甚至更优选100℃至130℃的温度下沉积氮氧化硅层(3)，其中沉积氮氧化硅层(3)的步骤包括以下子步骤在N2环境气氛中使用N2O和SiH4作为前体气体；以及用低于2、优选低于1且甚至更优选约0.5的气体流量比的N2O与SiH4来沉积氮氧化硅。
晶体太阳能电池钝化堆叠

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310455022.2无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明旨在提供一种具有封装层结构的有机电致发光器件，该封装层为交替层叠的氮氧化硅阻挡层和无机阻挡层，氮氧化硅阻挡层的材质为氮氧化硅，无机阻挡层的材质为二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪。该封装层可有效地防止外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，可延长有机电致发光器件的使用寿命。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制备。
一种有机电致发光器件及其制备方法