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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件、存储单元及其形成方法-CN202210048496.4在审
发明人： 林毓超;涂元添;邱荣标 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种存储单元包括底部电极、存储元件、选择器、顶部电极及连接结构。存储元件设置在底部电极上。选择器设置在存储元件上。顶部电极设置在选择器上。连接结构将存储元件电连接到选择器，其中连接结构包括基底部分及柱部分。基底部分设置在存储元件上。柱部分设置在基底部分上，其中柱部分实体连接到选择器且包括斜角柱脚。
半导体器件存储单元及其形成方法

[发明专利]存储单元、集成电路以及存储单元的制造方法-CN202210174803.3在审
发明人： 林毓超;李东颖;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储单元包括底部电极、第一介电层、可变电阻层以及顶部电极。第一介电层在侧向上环绕底部电极。底部电极的顶表面位于比第一介电层的顶表面的水平高度低的水平高度处。可变电阻层设置在底部电极以及第一介电层上。可变电阻层与底部电极的顶表面以及第一介电层的顶表面接触。顶部电极设置在可变电阻层上。
存储单元集成电路以及制造方法

[发明专利]半导体装置、存储单元和其形成方法-CN202210054178.9在审
发明人：李东颖;林伯俊;余绍铭;林毓超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种半导体装置、存储单元和其形成方法。一种存储单元包括存储装置、连接结构、绝缘层以及选择器。连接结构设置在存储装置上并电性连接至存储装置。绝缘层覆盖存储装置和连接结构。选择器位于存储装置上并电性连接至存储装置，其中选择器设置在绝缘层上并通过贯穿绝缘层而连接到连接结构。
半导体装置存储单元形成方法

[发明专利]存储器阵列、半导体芯片与存储器阵列的制造方法-CN202210048475.2在审
发明人： 林毓超;邱荣标 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本揭露提供一种存储器阵列、半导体芯片及存储器阵列的制造方法。存储器阵列包括第一信号线、第二信号线与记忆胞元。第一信号线沿第一方向延伸。第二信号线在第一信号线上沿第二方向延伸。记忆胞元定义在第一与第二信号线的交错处，且分别包括可变电阻层、切换层、电极层与含碳介电层。切换层交迭于可变电阻层。电极层延伸于可变电阻层与切换层之间。含碳介电层侧向环绕包括可变电阻层、切换层与电极层的堆叠结构。
存储器阵列半导体芯片制造方法

[发明专利]存储单元及其制造方法、具有存储单元的半导体器件-CN202210396003.6在审
发明人： 林毓超;陈佑升;卡罗斯·H·迪亚兹;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括底部电极、存储元件层、第一缓冲层以及顶部电极。存储元件层设置在底部电极之上。第一缓冲层插入在存储元件层与底部电极之间，其中第一缓冲层的热导率小于存储元件层的热导率。顶部电极设置在存储元件层之上，其中存储元件层设置在顶部电极与第一缓冲层之间。
存储单元及其制造方法具有半导体器件

[发明专利]存储单元、其制造方法、及具有存储单元的半导体器件-CN202210015064.3在审
发明人： 林毓超;陈佑昇;邱大秦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种存储单元、具有存储单元的半导体器件及制造存储单元的方法。一种存储单元包括介电结构、存储元件结构以及顶部电极。存储元件结构设置在介电结构中，且存储元件结构包括第一部分及第二部分。第一部分包括第一侧及与第一侧相对的第二侧，其中第一侧的宽度小于第二侧的宽度。第二部分连接到第一部分的第二侧，其中第二部分的宽度大于第一侧的宽度。顶部电极设置在存储元件结构上，其中第二部分设置在第一部分与顶部电极之间。
存储单元制造方法具有半导体器件

[发明专利]存储器元件、其形成方法及具有存储器元件的半导体元件-CN202110813024.9在审
发明人： 林毓超;邱荣标 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供一种存储器元件及其形成方法。存储器元件包括：多条位线，沿着第一方向延伸；多条字线，沿着与第一方向不同的第二方向延伸；多个存储柱；及选择器。所述多条字线设置在所述多条位线之上。所述多个存储柱设置在所述多条位线与所述多条字线之间，且分别位于所述多条位线与所述多条字线的多个交叉部位处。选择器设置在所述多个存储柱与所述多条字线之间。选择器从一个存储柱的顶表面延伸到覆盖相邻的存储柱的顶表面。还提供具有所述存储器元件的半导体元件。
存储器元件形成方法具有半导体

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件和方法-CN201711130153.8有效
发明人：张铭庆;杨宝如;林毓超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：方法包括去除第一鳍上方的伪栅极结构的第一部分，同时保留第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第一部分形成暴露第一鳍的第一凹槽；在第一凹槽中和第一鳍上方形成第一栅极介电材料；以及去除第二鳍上方的伪栅极结构的第二部分，其中，去除第二部分形成暴露第二鳍的第二凹槽。该方法还包括在第二凹槽中和第二鳍上方形成第二栅极介电材料，第二栅极介电材料接触第一栅极介电材料；以及用导电材料填充第一凹槽和第二凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。
场效应晶体管器件方法

[发明专利]半导体器件、存储单元及其形成方法-CN202110824255.X在审
发明人： 林毓超;李东颖;涂元添;邱荣标 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储单元包括底部电极、存储元件、间隔件、选择器及顶部电极。存储元件位于底部电极上且包括第一导电层、第二导电层及储存层。第一导电层电连接到底部电极。第二导电层位于第一导电层上，其中第一导电层的宽度小于第二导电层的宽度。储存层位于第一导电层与第二导电层的中间。间隔件位于第二导电层及储存层旁边。选择器设置在间隔件上且电连接到存储元件。顶部电极设置在选择器上。
半导体器件存储单元及其形成方法

[发明专利]相变存储器件及其形成方法-CN202110307279.8在审
发明人：李东颖;林毓超;余绍铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：方法包括在衬底上方形成介电层，该介电层具有顶面；在介电层中蚀刻开口；在开口内形成底电极，该底电极包括阻挡层；在开口内及在底电极上形成相变材料(PCM)层，其中，PCM层的顶面与介电层的顶面齐平或位于介电层的顶面的下方；以及在PCM层上形成顶电极。本申请的实施例涉及相变存储器件及其形成方法。
相变存储器件及其形成方法

[发明专利]形成互连结构的方法-CN202011296349.6在审
发明人：林伯俊;李东颖;林毓超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成互连结构的方法包含形成通道；形成第一阻障层以至少覆盖通道的顶面与侧壁；形成第一介电层于第一阻障层上；执行第一平坦化制程以去除第一介电层的一部分与第一阻障层的一部分，从而暴露通道顶面；形成第二介电层于第一介电层上，其中第二介电层具有暴露通道顶面的开口；形成阻挡层于通道顶面上；形成第二阻障层于第二介电层上；去除阻挡层以暴露通道顶面以及形成导电特征于开口中，其中导电特征接触通道顶面。
形成互连结构方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110275150.3在审
发明人：赵子昂;皮特纳·麦可·格列高里;陈则安;李连忠;林毓超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其使用碳纳米管的制造方法。在实施例中，形成纳米管堆叠件，然后利用非破坏性去除工艺来减小该纳米管堆叠件的厚度。然后可以由减小的纳米管堆叠件来形成诸如晶体管的器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN202110133574.6在审
发明人：林伯俊;林毓超;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请的实施例是一种形成互连结构方法，包括：在掩模层中形成开口，该开口使掩模层下方的导电部件露出；使用无电镀沉积工艺在开口中形成导电材料，该导电材料形成导电通孔；去除掩模层；在导电通孔的顶面和侧壁上形成共形势垒层；在共形势垒层和导电通孔上方形成介电层；将共形势垒层从导电通孔的顶面去除；以及在导电通孔上方形成导电线并且该导电线电耦合到导电通孔。根据本申请的其他实施例，还提供了互连结构。
互连结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202011609073.2在审
发明人：江宏礼;林毓超;郑兆钦;陈自强;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包含基底。半导体装置结构包含在基底上方的第一纳米结构。半导体装置结构包含在基底上方并围绕第一纳米结构的栅极堆叠。半导体装置结构包含在基底上方的第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构。栅极堆叠在第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构之间。半导体装置结构包含内间隔层，内间隔层覆盖第一源极/漏极结构的侧壁并部分地位于栅极堆叠和第一源极/漏极结构之间。第一纳米结构穿过内间隔层。半导体装置结构包含在栅极堆叠上方并延伸到内间隔层中的介电结构。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]存储单元-CN202110389979.6在审
发明人： 林毓超;李东颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供一种存储单元及形成所述存储单元的方法。存储单元包括底部电极、顶部电极、储存元件层及保护层。储存元件层设置在底部电极与顶部电极之间。保护层覆盖储存元件层及顶部电极，且保护层的材料衍生自储存元件层。还提供一种具有存储单元的半导体器件。
存储单元

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